Розрахунок напівпровідникового діода та біполярного транзистора
Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
Подобные документы
Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат, добавлен 05.02.2009Определение значений производных в электрических цепях. Составление операторных схем замещения в переходных процессах. Входные и выходные характеристики транзистора. Графический расчет простейшего усилительного каскада транзистора с общим эмиттером.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Расчет коллекторного сопротивления транзистора. Расчет выходного, входного и промежуточного каскада усилителя. Входные и выходные характеристики транзистора. Расчет разделительных конденсаторов, тока потребления и мощности, рассеиваемой на резисторах.
курсовая работа, добавлен 17.04.2010Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат, добавлен 13.06.2009Розрахунок основних параметрів випрямляча в керованому режимі. Вибір захисту тиристорів від перевантажень за струмом та напругою. Вибір схеми та розрахунок параметрів джерела живлення, вхідного кола генератора пилкоподібної напруги та пускових імпульсів.
курсовая работа, добавлен 30.03.2011Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа, добавлен 09.08.2010Изучение транзистора с обобщенной и избирательной нагрузкой. Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора. Расчет параметров нагрузки на резонансной частоте, резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи по карте нулей и полюсов.
контрольная работа, добавлен 06.01.2015Исследование структурной схемы импульсного усилителя. Выбор рабочей точки и транзистора. Расчет эквивалентной схемы транзистора, усилительных каскадов, разделительных и блокировочных емкостей. Характеристика особенностей эмиттерной термостабилизации.
курсовая работа, добавлен 23.10.2013Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 05.07.2014Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).
реферат, добавлен 07.10.2011Загальні відомості про резонансні підсилювачі. Сутність явища резонансу. Резонансний підсилювач, призначення і види. Коефіцієнт підсилення і АЧХ одноконтурного РП. Розрахунок стійкості одноконтурного резонансного підсилювача. Вибір транзистора для РПП.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Реалізація функції логічного множення та складання з наступною інверсією результату. Проведення замірів напруги і сили струму. Визначення потужності, знаходження максимального та мінімального часу проходження сигналу. Визначення часу проходження сигналу.
контрольная работа, добавлен 01.04.2016Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.
курсовая работа, добавлен 19.09.2012Аналитические электрические модели. Расчет дрейфового поля, сопротивлений транзистора. Зарядная емкость эмиттера и коллектора. Расчет максимальной частоты. Эквивалентная П-образная схема на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
курсовая работа, добавлен 21.09.2010Расчёт оконечного каскада. Расчёт рабочей точки. Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто. Расчёт однонаправленной модели транзистора. Расчёт и выбор схемы термостабилизации. Расчёт ёмкостей и дросселей.
курсовая работа, добавлен 01.03.2002Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа, добавлен 11.02.2008Режим работы выходного каскада по постоянному и переменному току. Определение низкочастотных и высокочастотных параметров транзистора выходного каскада. Выбор транзистора для предварительных каскадов. Определение показателей рассчитываемого усилителя.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Анализ характера АЧХ и ФЧХ входной функции, выведение ее операторного выражения. Вычисление резонансных частот и сопротивлений. Исследование модели транзистора с обобщенной нагрузкой. Автоматизированный расчет цепи транзистора с избирательной нагрузкой.
курсовая работа, добавлен 14.10.2012Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа, добавлен 13.08.2013Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа, добавлен 08.07.2014Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа, добавлен 01.11.2010Проектирование элементов усилителя мощности. Расчёт входного каскада. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча, импульса коллекторного тока транзистора. Нахождение входного сопротивления транзистора по переменному току.
курсовая работа, добавлен 06.01.2015