Монтаж с использованием эвтектических сплавов. Виды выводов

Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.

Подобные документы

  • Історія та походження назви золота, його хімічні властивості. Поширення в природі золота, його одержання, переваги, використання в промисловості. Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках.

    курсовая работа, добавлен 30.01.2014

  • Понятия теории множеств и теории графов. Переход от электрической схемы к графу. Разбиение электрической схемы с использованием итерационных алгоритмов. Разновидности задач трассировки. Размещение элементов РЭА с использованием конструктивного алгоритма.

    курсовая работа, добавлен 13.02.2012

  • Разработка структурной схемы и 3D модель мехатронной системы ориентирования, проектирование ее электронной и механической частей. Методы измерения расстояния с использованием лазеров. Технические характеристики лазерного сканирующего дальномера.

    дипломная работа, добавлен 18.09.2015

  • Материалы, используемые при изготовлении однослойных печатных плат. Маркировка печатных плат, контроль и автоматизация технологического процесса изготовления однослойных печатных плат. Система печатных проводников. Длина сигнальных проводников в плате.

    курсовая работа, добавлен 14.06.2011

  • Актуальность проблемы электромагнитной совместимости (ЭМС) радиоэлектронных систем. Основные виды электромагнитных помех. Материалы, обеспечивающие токопроводящий монтаж. Применение радиопоглощающих материалов. Методы и оборудование для проверки ЭМС.

    дипломная работа, добавлен 08.02.2017

  • Основные этапы развития сетей абонентского доступа. Изучение способов организации широкополосного абонентского доступа с использованием технологии PON, практические схемы его реализации. Особенности среды передачи. Расчет затухания участка трассы.

    дипломная работа, добавлен 02.12.2013

  • Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.

    курсовая работа, добавлен 26.05.2010

  • Виды сигнализации. Технические характеристики сигнализатора. Степень его защиты от воздействия окружающей среды. Принцип действия прибора, карта его ремонт и техобслуживание, сборка и монтаж. Индикация информации о сопротивлении резистивного датчика.

    презентация, добавлен 15.04.2014

  • Кремний как основной материал микроэлектроники. Блок-схема датчика давления, применение в них тензометрических, резонансных или емкостных преобразователей. Преимущества интегральных механоэлектрических преобразователей по сравнению с традиционными.

    реферат, добавлен 29.09.2010

  • Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

    курсовая работа, добавлен 20.11.2013

  • Электрические методы неразрушающего контроля. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов. Работа электропотенциальных приборов. Электропотенциальный метод с использованием четырех электродов.

    реферат, добавлен 03.02.2009

  • Конструктивные особенности и параметры полупроводниковых приборов для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Классификация диодов, транзисторов, тиристоров по основному рабочему материалу, принципу действия, частоте и мощности.

    презентация, добавлен 03.05.2011

  • Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.

    лекция, добавлен 15.03.2009

  • Утечки речевой информации с использованием ЗУ и РЗУ, условия их образования. Классификация закладных устройств. Закладки с передачей информации по токоведущим линиям. Электроакустический канал. Высокочастотное навязывание. Оптико-акустический канал.

    реферат, добавлен 18.12.2008

  • Принципы и основы работы счётчиков и сумматоров. Классификация приборов, конструктивные особенности. Основы работы в среде Multisim. Схемотехническое моделирование работы и конструкции счетчиков и сумматоров на базе триггеров и интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 07.02.2016

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.

    контрольная работа, добавлен 13.02.2015

  • Выбор и обоснование трассы прокладки кабеля между пунктами Шахты-Волгодонск. Расчет необходимого числа каналов. Выбор системы передачи и определение требуемого числа волокон. Определение длины регенерационного участка. Смета на строительство и монтаж.

    курсовая работа, добавлен 13.11.2013

  • Освоение методики анализа и синтеза систем автоматического регулирования с использованием логарифмических частотных характеристик и уточненных расчетов на ЭВМ. Выбор параметров параллельного корректирующего устройства. Анализ устойчивости системы.

    курсовая работа, добавлен 14.07.2013

  • Изучение принципов работы жидкокристаллических дисплеев, плазменных панелей. Исследование характеристик полупроводниковых приборов и электронных устройств: полевых транзисторов, диодов, усилительных каскадов. Двоичные системы счисления в электронике.

    курсовая работа, добавлен 24.10.2015

  • Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Этапы проектирования микропроцессорной системы для контроля переданной информации использованием модифицированного кода Хемминга. Назначение микропроцессорного комплекта, генератора тактовых импульсов. Разработка аппаратной и программной части системы.

    курсовая работа, добавлен 21.01.2011

  • Определение удельного сопротивления полупроводникового образца с использованием четырехзондовой методики; а также типа проводимости по знаку термоЭДС с использованием термозонда с учетом и без учета поправочных коэффициентов; метрологические показатели.

    практическая работа, добавлен 22.09.2011

  • Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Выбор и обоснование трассы прокладки волоконно-оптической линии передачи (ВОЛП). Расчет необходимого числа каналов. Подбор типа и вычисление параметров оптического кабеля. Определение длины регенерационного участка. Смета на строительство и монтаж ВОЛП.

    курсовая работа, добавлен 15.11.2013

  • Организационная структура системы звукового вещания. Структурная схема электрического канала с использованием спутниковой системы связи. Типы антенн, используемые для радиосвязи между наземными и спутниковыми станциями. Облучатели зеркальных антенн.

    курсовая работа, добавлен 11.12.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.