Основные качества полупроводников

Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.

Подобные документы

  • Виды герметизации пропитки, назначение и область их применения. Основные свойства пропиточных материалов, рекомендации по применению. Обволакивание и заливка. Неразъёмная герметизация сваркой и пайкой. Проходные изоляторы для герметизированных корпусов.

    реферат, добавлен 10.12.2008

  • История развития телевидения. Классификация телевизоров. Потребительские и функциональные свойства. Количество программ. Оптические и растровые характеристики, телетекст. Оценка товара по параметрам. Характеристика результатов потребления.

    реферат, добавлен 04.04.2005

  • История появления фотографии. Дагерр и Ньепс - изобретатели и создатели первой фотографии. Описание первого снимка. Принцип действия гравера. Фотографические свойства цветных фотоматериалов. Ключевые преимущества цифрового фотоаппарата перед пленочным.

    контрольная работа, добавлен 24.08.2010

  • Исследование информационных возможностей импульсных систем. Критерии оценки качества формирования и воспроизведения сигналов с импульсной модуляцией. Амплитудно-частотный и фазово-частотный спектры периодической последовательности прямоугольных импульсов.

    контрольная работа, добавлен 24.08.2015

  • Понятие и свойства динамического звена, его значение в работе системы. Передаточная функция системы и ее основные звенья. Характеристики соединений звеньев и порядок построения их логарифмических частотных. Определение идеального дифференцирующего звена.

    реферат, добавлен 08.08.2009

  • Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.

    курсовая работа, добавлен 03.03.2011

  • Характеристика систем спутниковой связи. Принципы квадратурной амплитудной модуляции. Факторы, влияющие на помехоустойчивость передачи сигналов с М-КАМ. Исследование помехоустойчивости приема сигналов 16-КАМ. Применение визуального симулятора AWR VSS.

    курсовая работа, добавлен 28.12.2014

  • Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.

    дипломная работа, добавлен 06.12.2015

  • Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.

    лекция, добавлен 19.11.2008

  • Влияние нелинейностей на свойства систем и их фазовые портреты. Устойчивость нелинейных систем "в малом", "в большом" и "в целом". Системы, эквивалентные устойчивым линейным и абсолютная устойчивость. Области устойчивости системы в фазовой плоскости.

    реферат, добавлен 30.12.2009

  • Построение гексагонального кодирующего коллиматора. Полуэмпирическая формула расчета глубинного расширения. Влияние на свойства кодирующего коллиматора циклических перестановок элементов в последовательности. Тексты программ и описание их работы.

    дипломная работа, добавлен 10.06.2012

  • Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.

    контрольная работа, добавлен 24.08.2015

  • Классификация, конструкции конденсаторов, принцип действия. Электролитические, керамические, плёночные и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Основные параметры конденсаторов всех типов. Электрическая прочность конденсатора, стабильность емкости.

    реферат, добавлен 09.01.2009

  • Основные параметры и принципы переключения. Схемы подключения ключей. Механические и электронные высокочастотные переключатели. Полевые транзисторы с МОП структурой затвора и монолитные СВЧ интегральные схемы. Исполнительные механизмы микросистем.

    реферат, добавлен 31.01.2015

  • Создание модели антенны и оптимизация ее конструкции. Свойства антенны горизонтальной поляризации с учетом свойств поверхности земли в направлении максимального КНД и влияние диаметра проводников симметричного вибратора на рабочую полосу частот.

    курсовая работа, добавлен 23.02.2016

  • Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • Этапы и тенденции развития микроэлектроники. Кремний и углерод как материалы технических и живых систем. Физическая природа свойств твёрдых тел. Ионные и электронные полупроводники. Перспективные материалы для электроники: серое олово, теллурид ртути.

    реферат, добавлен 23.06.2010

  • Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.

    реферат, добавлен 14.02.2016

  • Климатические и другие факторы внешней среды, влияющие на работу радиоэлектронной аппаратуры. Стойкость материалов, применяемых в аппаратуре, к действию вредных факторов. Воздействие на электронную аппаратуру радиации, пониженного давления, влаги, пыли.

    реферат, добавлен 13.09.2010

  • Постоянный и переменный электрический ток. Закон Ома для участка и полной цепи. Работа и мощность электрического тока. Активная и реактивная мощность трехфазных цепей. Переходные процессы в линейных электрических цепях. Составные и полевые транзисторы.

    шпаргалка, добавлен 04.05.2015

  • Обслуживание потоков сообщений. Модель с явными потерями. Характеристики качества обслуживания и пропускная способность системы. Простейшая модель обслуживания и модель потока требований. Свойства пуассоновского потока запросов. Нестационарный поток.

    реферат, добавлен 30.11.2008

  • Виды угроз в телефонных сетях. Потенциально возможные злоумышленные действия. Факторы, влияющие на требуемый уровень защиты информации. Методы и средства обеспечения безопасности в каналах телефонной связи. Рекомендации по увеличению уровня защищенности.

    курсовая работа, добавлен 08.08.2014

  • Устройства ввода изображения и видео. Принцип работы планшетного сканера. Виды проекционных приборов. Устройства для вывода визуальной информации. Классификация мониторов по строению. Свойства акустико-механической системы. Плоттеры бытового назначения.

    реферат, добавлен 24.10.2014

  • Технические свойства фазоманипулированных сигналов. Параметры повышенной скорости передачи данных стандарта GSM. Виды фазовой манипуляции. Спектр сигнала двоичной фазовой модуляции. Фазовые созвездия для EDGE и GPRS. Сравнение пропускной способности.

    презентация, добавлен 14.09.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.