Люминесценция
Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева.
Подобные документы
Излучение и поглощение аксионов в ядерных переходах магнитного типа. Аксион-электронное и - фотонное взаимодействие. Конверсия аксиона в фотон в лабораторном магнитном поле. Поток и энергетический спектр солнечных аксионов, излучаемых в М1-переходе 57Fe.
дипломная работа, добавлен 24.04.2012Взаимодействие заряженных частиц с веществом. Радиационное дефектообразование в ZnO. Расчет радиационных характеристик движущегося протона и концентрации наведенных дефектов с помощью программы SRIM. Концентрации дефектов в ZnO по спектрам поглощения.
отчет по практике, добавлен 15.01.2014Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
курсовая работа, добавлен 08.06.2015Определение тепловой мощности объекта. Построение годового графика теплопотребления. Интенсивность прямой и рассеянной солнечной радиации. Площадь солнечных коллекторов. Годовой график теплопоступления. Подбор бака-аккумулятора и котла-дублера.
курсовая работа, добавлен 11.01.2012Виды и происхождения радиации, понятие радиоактивности, ионизирующего излучения и периода полураспада. Классификация радиационных загрязнений, простейшие способы их обнаружения и исследования. Основные методы разделения типов излучения в полевых условиях.
реферат, добавлен 25.12.2010- 81. Все о радиации
Радиометрия (в ядерной физике) — совокупность методов измерения активности радиоактивного источника. Радиометрические и дозиметрические характеристики излучения. Дозиметрия, виды и единицы доз. Природные и искусственные источники радиации. Виды излучений.
реферат, добавлен 15.02.2014 Расчет усилий, моментов, действующих в системе, мощности двигателя скипового подъемника. Полезное усилие в тросе при спуске порожнего скипа. Выбор силовых полупроводниковых элементов. Действующее значение тока двигателя. Потери мощности в цепи якоря.
курсовая работа, добавлен 25.06.2013Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
реферат, добавлен 09.03.2007Примесные состояния атомного типа в полупроводниковых квантовых ямах, проволоках, точках во внешних полях. Магнитооптическое поглощение комплексов "квантовая точка–водородоподобный примесный центр". Актуальность исследований и их практическое применение.
дипломная работа, добавлен 23.08.2010Явление кругового дихроизма. Методы анализа спектров кругового дихроизма белков. Инфракрасные спектры поглощения белков. Поглощение белков в ИК-области. Методы анализа ИК-спектров белков. Работа с пакетом программ STRUC по анализу ИК-спектров белков.
методичка, добавлен 13.12.2010Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
контрольная работа, добавлен 25.07.2013История создания лазера. Принцип работы лазера. Некоторые уникальные свойства лазерного излучения. Применение лазеров в различных технологических процессах. Применение лазеров в ювелирной отрасли, в компьютерной технике. Мощность лазерных пучков.
реферат, добавлен 17.12.2014Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.
презентация, добавлен 09.11.2014Характеристика сущности резисторов, которые предназначены для перераспределения и регулирования электрической энергии между элементами схемы. Классификация, конструкции и параметры резисторов, характеризующие их эксплуатационные возможности применения.
реферат, добавлен 10.01.2011Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.
реферат, добавлен 28.11.2008Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.
контрольная работа, добавлен 28.10.2014Физические величины и их измерения. Различие между терминами "контроль" и "измерение". Штриховая мера длины IА-0–200 ГОСТ 12069–90. Параметры для оценки шероховатости. Назначение, типы и параметры угольников поверочных. Измерение деформаций и напряжений.
контрольная работа, добавлен 28.05.2014Усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах). Выбор принципиальной схемы. Расчет выходного, предоконечного и входного каскадов. Параметры схемы и расчет обратной связи. Расчет элементов связи.
курсовая работа, добавлен 27.11.2009Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа, добавлен 28.03.2016Электродинамические параметры плазмы как материальной среды, в которой распространение электромагнитных волн сопровождается частотной дисперсией. Характеристика взаимодействия частиц плазмы между собой кулоновскими силами притяжения и отталкивания.
курсовая работа, добавлен 28.10.2011- 96. Влияние космической радиации на солнечные батареи искусственных спутников Земли и способы защиты
Космическая радиация и эксплуатация солнечных батарей на спутниках. Деградация оптических параметров и радиационная деградация вследствие корпускулярной радиации. Пространственное распределение протонов и электронов при выборе антирадиационной защиты.
курсовая работа, добавлен 17.03.2010 Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 10.06.2014Общее понятие прямой и рассеянной солнечной радиации и факторы, влияющие на их величину. Значения отношений потоков прямой солнечной радиации на наклонную и горизонтальную поверхности. Способы определения альбедо (отражательной способности поверхности).
реферат, добавлен 05.04.2016Общие сведения о проводниковых материалах. Электрическое сопротивление проводников. Параметры и использование стабилитронов. Полупроводниковые приборы. Основные определения и классификация диэлектриков. Характеристики электроизоляционных материалов.
реферат, добавлен 27.02.2009Определение параметров силового полупроводникового ключа. Характеристики ключей и режим работы схемы. Расчет предельных характеристик полупроводниковых ключей. Исследование процесса формирования потерь в силовых ключах. Допустимые режимы работы ключей.
конспект урока, добавлен 26.03.2019