Биполярные транзисторы

Конструктивные особенности и параметры полупроводниковых приборов для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Классификация диодов, транзисторов, тиристоров по основному рабочему материалу, принципу действия, частоте и мощности.

Подобные документы

  • Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.

    реферат, добавлен 09.03.2007

  • Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Расчет усилителя мощности с представлением структурной схемы промежуточных каскадов на операционных усилителях. Расчет мощности, потребляемой оконечным каскадом. Параметры комплементарных транзисторов. Выбор операционного усилителя для схемы бустера.

    курсовая работа, добавлен 05.02.2013

  • Статистические характеристики и параметры передаваемого сообщения. Характеристики и параметры аналого-цифрового преобразования сообщения. Средняя квадратическая погрешность квантования. Основные характеристики и параметры сигналов дискретной модуляции.

    курсовая работа, добавлен 24.10.2012

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка, добавлен 11.12.2012

  • Требования к микросхемам аналогового интерфейса связи. Спектр мощности речевого сигнала. Характеристика сигналов аналоговых сообщений. Последовательность импульсов при передаче точек. Восстановление цифровых сигналов. Уплотнение каналов в телефонии.

    презентация, добавлен 22.10.2014

  • Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.

    контрольная работа, добавлен 15.11.2012

  • Свойства аналоговых сигналов. Речевые звуковые вибрации. "Аналоговое" преобразование сигнала. Понятие цифрового сигнала и полосы пропускания. Аналоговые приборы. Преобразователи электрических сигналов. Преимущества цифровых приборов перед аналоговыми.

    реферат, добавлен 20.12.2012

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа, добавлен 13.01.2009

  • Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.

    лабораторная работа, добавлен 13.12.2015

  • Назначение радиоприемников для приема и воспроизведения аналоговых и цифровых сигналов. Классификация приемных устройств по принципу действия. Построение приемников УКВ-диапазона. Схема супергетеродинного приемника. Расчет смесителя УКВ-радиоприемника.

    дипломная работа, добавлен 05.06.2012

  • Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.

    реферат, добавлен 20.12.2013

  • Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.

    дипломная работа, добавлен 28.04.2013

  • Определение параметров электрических сигналов. Мгновенное значение напряжения для гармонического сигнала. Параметры импульсного напряжения. Мультивибратор – релаксационный генератор прямоугольных импульсов с самовозбуждением. Методика эксперимента.

    лабораторная работа, добавлен 11.03.2012

  • Описание внешних сигналов микропроцессора, генератора, контроллера. Изучение назначения, направления распространения и результата действия сигналов. Организация дешифрации микросхем памяти и порта. Обзор программы преобразования двоичного кода индикатора.

    курсовая работа, добавлен 22.02.2014

  • Разработка структурной схемы передатчика. Расчёт усилителя мощности, цепи согласования, амплитудного модулятора, частотного модулятора, возбудителя частоты (автогенератора), колебательной системы, цепи питания и смещения, ёмкости связи с нагрузкой.

    курсовая работа, добавлен 03.07.2015

  • Выбор схемы выходного каскада. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор и расчет выпрямителя, блока питания и схемы фильтра.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2016

  • Схема, технические параметры и принцип работы шестиканального цифрового вольтметра. Прототипы схем измерения и отображения информации, подключения клавиатуры, сбора и накопления данных. Обработка аналоговых сигналов в микроконтроллере, его инициализация.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2013

  • Электрическое преобразование сигналов. Регулирование коэффициента усиления. Импульсы напряжения с выходов предварительного усилителя. Сумматоры сигналов, оптимизация сопротивлений резисторной матрицы. Интегратор координатных и энергетических сигналов.

    реферат, добавлен 11.01.2011

  • Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.

    курсовая работа, добавлен 19.09.2012

  • Расчет напряжения, параметров элементов усилителя. Коэффициент передач электрических сигналов. Выбор марки транзисторов. Моделирование устройства в системе схемотехнического моделирования Electronics Workbench. Характеристики усилительных каскадов.

    курсовая работа, добавлен 24.11.2014

  • Данные источников входных сигналов, основные требования к качеству работы электронного усилительного устройства системы автоматического управления. Выбор транзисторов оконечного каскада усиления. Расчет площади теплоотвода и сопротивлений резисторов.

    курсовая работа, добавлен 23.12.2011

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 08.11.2013

  • Усилители мощности для увеличения высокой выходной мощности звуковых сигналов. Теоретические основы проектирования УМЗЧ. Разработка принципиальной схемы. Выходные параметры. Выходной каскад. Промежуточный каскад. Исследование УМЗЧ с помощью ЭВМ.

    курсовая работа, добавлен 14.11.2008

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.