Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
Подобные документы
Описание принципа действия принципиальной электрической схемы устройства. Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов. Монтаж аппаратуры на печатных платах. Порядок сборки и эксплуатации.
курсовая работа, добавлен 16.05.2017Параметры многолучевых приборов. Конструкция и параметры резонаторных систем. Достоинства и недостатки многоканальных и кольцевых резонаторов. Однозазорные тороидальные клистронные резонаторы с упаковкой пролетных каналов в единой пролетной трубе.
контрольная работа, добавлен 28.05.2012Физические основы и принцип работы светоизлучающих диодов как полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет. Применение и анализ преимуществ и недостатков светоизлучающего диода. Стоимость светодиодных ламп и перспективы использования в ЖКХ.
реферат, добавлен 03.03.2011Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015- 105. Резисторы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа, добавлен 13.01.2009 Определение основных параметров микропроцессора. Разработка структурной, функциональной и принципиальной схемы, расчет временных параметров. Принципы формирования структуры программного обеспечения и определение основных требований, предъявляемых к нему.
курсовая работа, добавлен 14.06.2014Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат, добавлен 14.03.2010- 108. Полевые транзисторы
Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат, добавлен 27.05.2012 Выражение параметров передаточных функций, структурная схема. Определение области устойчивости по коэффициенту усиления разомкнутой системы. Синтез корректирующего устройства. Определение параметров фильтра. Оценка качества переходного процесса системы.
контрольная работа, добавлен 07.12.2013Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа, добавлен 14.12.2013Определение порядка выбора схемы тиристорного преобразователя. Расчет падения напряжения на активном сопротивлении и определение условного холостого хода тиристорного преобразователя. Общий расчет параметров силового трансформатора и выбор тиристоров.
методичка, добавлен 22.02.2015Понятие микропроцессорной системы, её назначение, электрическая схема и назначение составляющих устройств. Проведение схемотехнического анализа устройства источника питания системных блоков. Электрические и эксплуатационные параметры блоков питания ЭВМ.
дипломная работа, добавлен 08.06.2014Краткое изложение теории четырехполюсников и более подробное изложение теории электрических фильтров. Основные определения и классификация четырехполюсников. Системы уравнений. Входное сопротивление, сопротивления холостого хода и короткого замыкания.
учебное пособие, добавлен 31.05.2010Иерархическая структура радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания линейного тракта приемника. Определение рабочей точки транзистора. Основные параметры радиоприемников. Зависимость входной проводимости транзистора от частоты и тока коллектора.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Проектирование элементов усилителя мощности. Расчёт входного каскада. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча, импульса коллекторного тока транзистора. Нахождение входного сопротивления транзистора по переменному току.
курсовая работа, добавлен 06.01.2015- 117. Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
Описание предметной области по основным характеристикам и частотным показателям качества системы автоматического управления, разработка структуры Интернет-подсистемы для исследования ее устойчивости. Изготовление эпитаксиально-планарного транзистора.
дипломная работа, добавлен 27.05.2013 Разработка схемы электрической принципиальной микрофонного усилителя. Определение параметров печатной платы. Конструктивное выполнение разрабатываемого устройства. Выбор типов элементов. Определение класса точности, электрических параметров платы.
курсовая работа, добавлен 27.05.2014Обоснование способа и силовой схемы регулирования выпрямленного напряжения. Расчет параметров управляемого выпрямителя и выбор типа силовых полупроводниковых приборов. Анализ работы управляемого выпрямителя. Система импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 31.03.2018Определение звуковой катушки и параметров магнитного зазора громкоговорителя. Расчет диффузора, гибкой подвески, магнитной системы и внешнего оформления устройства. Определение звукового давления. Расчет частотной характеристики громкоговорителя.
курсовая работа, добавлен 08.09.2012- 121. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 - 122. Температурные зависимости параметров вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода
Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа, добавлен 01.02.2012 Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Методы расчета параметров устройства отображения буквенно-цифровой информации при телевизионном способе формирования знаков согласно заданных параметров кинескопа и кадровой развертки, принцип его работы и назначение отдельных функциональных частей.
контрольная работа, добавлен 24.12.2010Расчет оконечного каскада и коэффициента использования напряжения питания. Предельная частота оконечного транзистора. Расчет нелинейных искажений, регулятора тембра и каскада предварительного усиления. Постоянное время регулятора, входное сопротивление.
реферат, добавлен 21.04.2011