Расчет основных формул по основам электроники
Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
Подобные документы
Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
курсовая работа, добавлен 30.10.2011Напряжения между линейными проводами. Определение токов в катушках и обмотках трансформатора. Расчет показаний приборов, активной и реактивной мощности источника. Фазные напряжения для звезды нагрузки. Сопротивление фазы звезды, эквивалентной двигателю.
учебное пособие, добавлен 09.02.2014Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат, добавлен 12.06.2009Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Расчет заземляющих устройств с учетом естественных заземлителей. Расчетное удельное сопротивление грунта. Сопротивление искусственных заземлителей с учетом коэффициента экранирования. Молниезащита зданий и сооружений. Однолинейная схема электроснабжения.
методичка, добавлен 06.05.2009Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация, добавлен 27.11.2015Проектирование антенны "волновой канал" методом последовательных приближений. Координаты элементов антенны, ее электрические параметры и конструкция. Графики зависимости входного сопротивления от частоты. Оптимизация расстояния между вибраторами.
лабораторная работа, добавлен 04.12.2012Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация, добавлен 24.05.2014Настройка схемы преобразователя. Зависимость частоты от входного напряжения и сопротивления. Время переходного процесса, его характеристика. Зависимость частоты от температуры при фиксированном входном напряжении. Анализ преобразователя частоты.
контрольная работа, добавлен 11.05.2014Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа, добавлен 02.08.2009Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа, добавлен 02.06.2011Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Расчет параметров элементов цепей смещения путем решения системы, составленной по правилам Кирхгофа. Анализ стабильности режима схемы по постоянному току при воздействии температуры. Зависимость изменения тока коллектора при изменении напряжения питания.
лекция, добавлен 16.03.2011Особенности проектирования и принцип работы программируемого стабилизатора температуры. Анализ исходных данных и методов решения, обоснование выбора элементной базы микроконтроллера. Расчет размеров элементов печатного рисунка, сопротивления и емкости.
курсовая работа, добавлен 16.08.2012Назначение и описание выводов инвертирующего усилителя постоянного тока К140УД8. Рассмотрение справочных параметров и основной схемы включения операционного усилителя. Расчет погрешностей дрейфа напряжения смещения от температуры и входного тока.
реферат, добавлен 28.05.2012Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.
реферат, добавлен 08.02.2013Классификация датчиков сопротивления. Принцип действия термопары. Статическая характеристика датчика индуктивности. Выполнение сельсинов по типу асинхронных машин переменного тока. Изменение концентрации электролита (уровня жидкости) в емкостном датчике.
презентация, добавлен 21.01.2010Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция, добавлен 19.11.2008Эквивалентная схема измерения температуры с использованием термопреобразователя сопротивления. Анализ модели датчика температуры. Выбор источника опорного напряжения. Расчет коэффициента усиления и напряжения смещения дифференциального усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.12.2013Определение порядка выбора схемы тиристорного преобразователя. Расчет падения напряжения на активном сопротивлении и определение условного холостого хода тиристорного преобразователя. Общий расчет параметров силового трансформатора и выбор тиристоров.
методичка, добавлен 22.02.2015