Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
Подобные документы
Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат, добавлен 13.06.2009Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат, добавлен 18.01.2017Выбор материала для изготовления транзистора. Расчет полупроводниковой структуры, профиля легирования. Удельные поверхностные сопротивления базового и эмиттерного слоёв. Расчет импульсных характеристик. Технологические процессы при производстве прибора.
дипломная работа, добавлен 14.02.2016Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа, добавлен 13.07.2008Определение, виды и назначение тиристоров. Теоретическое и практическое описание принципа действия полупроводниковых приборов и их основных параметров. Упрощённые типичные схемы силовых частей управляемых выпрямителей, их достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 24.12.2011Определение основных параметров и построение характеристик демультиплексора с помощью САПР MicroCap 9. Разработка принципиальной и функциональной микросхем основного вентиля на основе эмиттерно-связанной логики. Анализ динамического режима работы схемы.
контрольная работа, добавлен 20.10.2012Отличительные особенности триггера как функционального устройства. Осуществление логической операции ИЛИ-НЕ при наличии микросхем И-НЕ. Изменение состояния триггера микросхемы К561ТВ1 при подаче на тактирующий вход С серии прямоугольных импульсов.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Разработка структурной схемы линейного тракта приемника. Выбор антенны, транзистора радиотракта, промежуточных частот. Расчёт допустимого коэффициента шума приёмника, усилителя радиочастоты, входной цепи, гетеродина. Применение и подключение микросхем.
курсовая работа, добавлен 27.11.2013Проектирование специализированных радиоэлектронных устройств с применением микропроцессорных комплектов и цифровых микросхем среднего и малого уровней интеграции. Архитектура микроконтроллеров семейства INTEL8051. Программа устройства на Ассемблере.
курсовая работа, добавлен 29.07.2009История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат, добавлен 15.11.2009- 111. Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2015 Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.
реферат, добавлен 09.03.2007Описание схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов. Разработка трассировки и компоновки печатной платы. Настройка простого средневолнового синтезатора частоты. Организация рабочего места оператора.
дипломная работа, добавлен 18.04.2015Проектирование топологии гибридных микросхем, тонко- и толстопленочных, их тепловой режим и характер паразитных связей. Конструкции пленочных конденсаторов и используемые при их изготовлении материалы. Пример расчета параметров конденсатора данного типа.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014- 115. Технология микросхем
Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация, добавлен 24.05.2014 Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010- 117. Разработка цифрового тахометра, измеряющего в диапазоне от 1200 до 6000 об/мин с погрешностью 0.2 %
Разработка структурной, функциональной и принципиальной схемы тахометра. Выбор генератора тактовых импульсов, индикаторов и микросхем для счетного устройства. Принцип действия индикатора. Описание работы тахометра. Расчет потребляемой тахометром мощности.
курсовая работа, добавлен 30.03.2012 - 118. Транзистор
Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.
реферат, добавлен 12.01.2010 Идентификация параметров электромеханической системы. Моделирование нелинейных объектов. Оптимизация параметров пид-регуляторов для объектов управления с нелинейностями с применением пакета прикладных программ Nonlinear Control Design (NCD) Blockset.
лабораторная работа, добавлен 25.05.2010Анализ особенностей корпусов интегральных микросхем как объекта для исследования механических и тепловых процессов. Оценка программного обеспечения для моделирования механических и тепловых процессов. Правила оформления конструкторской документации.
дипломная работа, добавлен 10.02.2017Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013- 122. Резисторы
Классификация резисторов. Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью. Маркировка резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов.
лекция, добавлен 19.11.2008 История возникновения и развития ОАО "НИТЕЛ", его организационная структура и характеристика деятельности. Описание принципов создания пленочных интегральных микросхем. Особенности формирования диэлектрических слоев. Технология напыления тонких пленок.
отчет по практике, добавлен 29.11.2010Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа, добавлен 09.08.2010Определение сигнальных параметров транзистора и разработка принципиальной схемы однокаскадного усилителя. Расчет сопротивления резисторов и составление схемы каскада в области средних частот. Линейная схема и повышение коэффициента усиления каскада.
контрольная работа, добавлен 29.08.2011