Биполярные и полевые СВЧ транзисторы
Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.
Подобные документы
Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.
реферат, добавлен 20.09.2010Расчет некорректированного каскада с общим эмиттером. Расчет каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией. Расчет каскада с эмиттерной коррекцией. Коррекция искажений вносимых входной цепью. Согласованные каскады с обратными связями.
учебное пособие, добавлен 19.11.2003Принципы и условия наблюдения квантово-размерного квантования. Квантово-размерные структуры в приборах микро- и наноэлектроники. Структуры с двумерным и одномерным (квантовые нити) электронным газом. Применение квантово-размерных структур в приборах.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа, добавлен 17.03.2015Система управления технологическими процессами и оборудованием. Многоэмиттерный и полевой транзисторы. Логические элементы. Триггеры, дешифраторы, мультиплексор, регистр, счетчики, делитель частоты и запоминающие устройства. Функциональные узлы.
практическая работа, добавлен 03.03.2009Понятие и методы исследования квантово-размерных структур, их типы и получение. Классификация гетероструктур. Методы изготовления квантовых нитей, их плотность и предъявляемые требования. Порядок создания приборов на системах с размерным квантованием.
дипломная работа, добавлен 02.02.2015Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Применение мощных полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы) в выходных каскадах усилителей мощности. Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах в программе Multisim 8. Линейные и фазовые искажения, коэффициент гармоник.
дипломная работа, добавлен 30.04.2010Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья, добавлен 08.05.2014Обзор современной элементной базы для построения мощных ШИМ-преобразователей. Силовые транзисторы и диоды, конденсаторы. Выбор и расчет элементов силовой схемы мощного понижающего ШИМ-преобразователя. Организационный план работ по реализации проекта.
дипломная работа, добавлен 31.12.2012МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 19.10.2014Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.
курсовая работа, добавлен 17.01.2015Аналитические электрические модели. Расчет дрейфового поля, сопротивлений транзистора. Зарядная емкость эмиттера и коллектора. Расчет максимальной частоты. Эквивалентная П-образная схема на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером.
курсовая работа, добавлен 30.01.2016Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация, добавлен 27.11.2015Расчет стабилизированного источника питания с мостовой схемой выпрямителя, каскада с общей базой и значений тока коллектора, соответствующего режиму насыщения. Определение условий обеспечения стабилизации рабочей точки падения напряжения на резисторе.
контрольная работа, добавлен 12.02.2011Высокочастотные амперметры, виды разверток и синхронизация в универсальном электронно-лучевом осциллографе. Электронно-счетный частотомер при измерении частоты СВЧ сигналов. Аналоговые измерители спектральной плотности мощности случайного сигнала.
контрольная работа, добавлен 27.01.2010Обзор принципиальных схем транзисторных фильтров и проведение проектного расчета транзисторного фильтра с нагрузкой в центре эмиттера. Оценка уровня пульсации при изменениях нагрузки сети и определение коэффициента сглаживания разработанного фильтра.
курсовая работа, добавлен 12.08.2015Понятие расхода как количественной характеристики жидкости или газа, протекающего через сечение трубопровода в единицу времени. Классификация приборов, измеряющих расход. Новые методы измерения расхода жидкостей и газов. Сигнализаторы потока и протока.
презентация, добавлен 07.12.2012Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Электроизмерительные приборы: магнитоэлектрические и электромагнитные приборы из ферромагнитного материала. Магнитодинамические и ферродинамические приборы. Трехпоточные индукционные счетчики. Синусоидальный ток в однофазных и трехфазных цепях.
реферат, добавлен 12.07.2008Технические характеристики телевизионного приемника. Расчет схемы эмиттерного повторителя в канале изображения, статического коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, постоянной составляющей тока коллектора, усилительного каскада в канале звука.
курсовая работа, добавлен 22.07.2011Свойства аналоговых сигналов. Речевые звуковые вибрации. "Аналоговое" преобразование сигнала. Понятие цифрового сигнала и полосы пропускания. Аналоговые приборы. Преобразователи электрических сигналов. Преимущества цифровых приборов перед аналоговыми.
реферат, добавлен 20.12.2012Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.
реферат, добавлен 17.03.2011- 49. Аналоговые АТС
Расчет показателей надежности оборудования АТСК. Классификация контроля по виду организации, по характеру времени проведения. Определение неисправности оборудования методом половинного разбиения. Графическое описание процедуру поиска неисправности.
контрольная работа, добавлен 18.10.2012 Основные сборочно-юстировочные операции. Сборочные элементы. Построение технологического процесса сборки. Технологическая документация. Последовательность операций, выполняемых при сборке. Контрольно-юстировочные приборы. Зрительные трубки. Коллиматор.
реферат, добавлен 12.12.2008