Применение полупроводниковых приборов

Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.

Подобные документы

  • Классификация биполярных транзисторов по типу рабочего материала и механизму передачи тока в структуре. Технологические разновидности БТ. Основные свойства сплавных и планарных транзисторов. Ширина диапазона рабочих частот БТ. Способы повышения усиления.

    контрольная работа, добавлен 15.01.2011

  • Описание принципа действия принципиальной электрической схемы устройства. Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов. Монтаж аппаратуры на печатных платах. Порядок сборки и эксплуатации.

    курсовая работа, добавлен 16.05.2017

  • Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.

    лабораторная работа, добавлен 08.06.2023

  • Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.

    реферат, добавлен 17.03.2011

  • Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.

    контрольная работа, добавлен 05.07.2014

  • Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.

    дипломная работа, добавлен 06.12.2015

  • Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2015

  • Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.

    курсовая работа, добавлен 09.12.2015

  • Физические принципы функционирования электронных приборов. Дефекты реальных кристаллов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Принцип работы биполярных транзисторов. Поверхностные явления в полупроводниках.

    контрольная работа, добавлен 04.10.2010

  • Транзистор - полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Максимально допустимые параметры и вольтамперные характеристики биполярного и полевого транзисторов. Расчет величин элементов системы.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2014

  • Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.

    курсовая работа, добавлен 30.04.2011

  • Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.

    реферат, добавлен 02.02.2012

  • Разработка и расчет основных характеристик усилительных каскадов. Сущность и применение графоаналитического метода. Вычисление параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов. Нелинейные искажения и анализ данных в усилительном каскаде.

    курсовая работа, добавлен 05.04.2009

  • Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.

    реферат, добавлен 09.01.2009

  • Статический и энергетический расчет трёхкаскадного импульсного усилителя мощности. Определение суммарных тепловых потерь в схеме при различных режимах ее работы. Выбор полупроводниковых приборов, расчет сопротивлений резисторов. Определение КПД схемы.

    курсовая работа, добавлен 16.04.2017

  • Ознакомление с принципами работы и испытание светодиодов, фототранзистора, столбиковых индикаторов и линейки светодиодов, рассмотрение принципов действия исследуемых схем в среде схемотехнического моделирования Electronics WorkBench (Multisim).

    методичка, добавлен 17.05.2022

  • Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.

    курсовая работа, добавлен 21.11.2014

  • Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.

    курсовая работа, добавлен 19.05.2011

  • Описание устройства регулятора напряжения. Основное назначение и область применения прибора. Рассмотрение особенностей регулятора на основе тиристоров, магнитных усилителей, транзисторов. Синхронный компенсатор: понятие, назначение, принцип работы.

    реферат, добавлен 03.11.2015

  • Понятие, виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики, особенности принципа работы. Возможности, недостатки и эффективность светодиодных ламп. Применение органических светодиодов при создании устройств отображения информации (дисплеев).

    реферат, добавлен 23.07.2010

  • Конструкция и разновидности терморезисторов, их применение и режим работы. Принцип действия терморезисторов. Основные технические данные тиристора ММТ-1, измерение параметров вольтамперной характеристики. Построение графика зависимости напряжения от тока.

    лабораторная работа, добавлен 02.05.2015

  • Интегральная микроэлектроника как элементная база дискретной техники. Применение биполярных и полевых транзисторов в качестве активных элементов цифровых микросхем. Выбор и обоснование структурной схемы суммирующего двоично-десятичного счетчика импульсов.

    курсовая работа, добавлен 04.06.2010

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат, добавлен 10.12.2009

  • Использование биполярных транзисторов в импульсных источниках электропитания. Линейная область работы транзистора. Коммутационные процессы в транзисторе, определяющие динамические потери при его переключении. Метод симметрирования токов транзисторов.

    контрольная работа, добавлен 30.08.2010

  • Порядок изучения основных характеристик полевых транзисторов, включенных по схеме с общим истоком. Методы снятия статических вольтамперных характеристик, вычисление по ним электрических параметров. Анализ влияния управляющего напряжения на выходной ток.

    лабораторная работа, добавлен 12.05.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.