Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
Подобные документы
Основные типы и принцип работы резистивных преобразователей. Область применения датчиков контактного сопротивления, реостатных преобразователей и датчиков температуры. Резистивные преобразователи контактного сопротивления: тензорезисторы и пьезорезисторы.
реферат, добавлен 21.05.2013Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Разработка и расчет автогенератора на диоде Ганна с варакторной перестройкой частоты в заданном диапазоне. Структура автогенератора и тип диода. Расчет автогенератора и резонансной системы. Оптимальное сопротивление нагрузки и КПД резонансной системы.
курсовая работа, добавлен 27.08.2010- 104. Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине "Проектирование интегральных микросхем"
Исследование принципа действия биполярного транзистора. Конструирование и расчет параметров диффузионных резисторов. Классификация изделий микроэлектроники, микросхем по уровням интеграции. Характеристика основных свойств полупроводниковых материалов.
дипломная работа, добавлен 20.06.2012 Методы и способы расчета управляемого выпрямителя по схеме с нулевым диодом, системы амплитудно-импульсного управления, источника питания, который включен в схему СИФУ. Обоснование выбора элементов. Разработка защиты устройства от аварийных режимов.
курсовая работа, добавлен 02.02.2011Расчет и выбор параметров системы. Расчет входного выпрямителя, фильтра и прямоходового преобразователя. Расчет потерь в сердечнике, системы охлаждения транзистора. Мощность потерь в диодах выпрямителя, в дросселях, в обратных и в выпрямительных диодах.
курсовая работа, добавлен 17.02.2013Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. Повышение степени интеграции микросхем и уменьшение размеров элементов.
реферат, добавлен 30.12.2008История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат, добавлен 15.11.2009Основные виды датчиков перемещения, принцип их действия и особенности проектирования. Обзор первичных измерительных преобразователей и цепей. Выбор и обоснование направления проектирования, структурной схемы. Анализ метрологических характеристик.
курсовая работа, добавлен 04.05.2017Свойства индуктивных, емкостных, магнитострикционных, реостатных преобразователей и преобразователей Холла. Основные требования к преобразователю, принцип его действия. Расчет функции преобразования, чувствительности, основных параметров и погрешности.
курсовая работа, добавлен 29.07.2013Интегральные микросхемы: сведения, классификация, условно-графическое обозначение, маркировка. Условные обозначения микросхем, основные электрические параметры, базовые логические элементы. Регистры, счетчики, дешифраторы, триггеры, аппараты защиты.
лекция, добавлен 20.01.2010Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа, добавлен 28.04.2013Термоэлектроника как основа работы полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора: схема с общей базой и общим эмиттером. Способ исследования потока тепла. Опыт с биполярным транзистором, показывающий положительную обратную связь.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Сущность понятий термопара и терморезистор. Основные виды тепловых преобразователей. Применение термоэлектрических преобразователей в устройствах для измерения температуры. Характерные свойства металлов, применяемых для изготовления терморезисторов.
контрольная работа, добавлен 18.11.2010Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Основные функции вторичных измерительных преобразователей. Усилители, делители напряжения и мосты, фазометры и частотомеры. Специфика вторичных преобразователей для датчиков перемещений. Нелинейность вторичных преобразователей при аналоговой обработке.
реферат, добавлен 21.02.2011Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Назначение, область применения и основные параметры изделия. Описание конструкции с обоснованием применяемых материалов и полуфабрикатов. Расчет геометрических размеров печатной платы. Электрический и тепловой расчет интегрального стабилизатора.
дипломная работа, добавлен 20.12.2010Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация, добавлен 19.02.2014Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Типы проводимостей полупроводников и их отличия. Преимущества гетероэпитаксиальных структур КРТ по сравнению с объемными кристаллами КРТ, выращивание. Разновидности полупроводниковых фотоприёмников. Приборы на основе КРТ: принцип действия и устройство.
курсовая работа, добавлен 18.10.2009Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат, добавлен 18.01.2017Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Свет переносит информацию. Цвет, длинна волны, частота - три характерных параметра света. Лазер как источник светового излучения. Модуляция интенсивности излучения. Источники света - светоизлучающий диод и лазер. Многоцелевая абонентская сеть.
реферат, добавлен 26.01.2007Назначение, классификация и основные характеристики оптических средств обнаружения, принцип действия, универсальность и особенности применения. Сущность сигналообразования, классификация помех, сравнительный анализ методов повышения помехоустойчивости.
реферат, добавлен 27.08.2009