Исследование характеристик полупроводниковых диодов и устройств на их основе
Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
Подобные документы
Расчет схем, параметров транзистора, выпрямителя, тока и напряжения на диоде. Выявление особенностей работы диода и стабилитрона. Определение переходного процесса в цепи с нелинейным элементом и построение графиков. Нахождение положения рабочей точки.
курсовая работа, добавлен 26.01.2015Типичные мостовые схемы однофазных полупериодных выпрямителей, их характеристики и принцип работы. Стабилизаторы напряжения и выпрямительные устройства с простым емкостным фильтром на выходе. Расчёт однополупериодного выпрямителя с активной нагрузкой.
курсовая работа, добавлен 07.10.2011Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Обоснование способа и силовой схемы регулирования выпрямленного напряжения. Расчет параметров управляемого выпрямителя и выбор типа силовых полупроводниковых приборов. Анализ работы управляемого выпрямителя. Система импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 31.03.2018Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Выбор типов аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Формирователь длительности импульсов. Регулировочная характеристика преобразователя.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Параметрические стабилизаторы напряжения. Соотношения токов и напряжений. Относительное приращение напряжения на выходе стабилизатора. Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
лабораторная работа, добавлен 03.03.2009Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.
контрольная работа, добавлен 12.02.2016Виды постоянных запоминающих устройств (ПЗУ), их характеристики, принцип работы и строение. Исследование принципа работы ПЗУ с помощью программы Eltctronics WorkBench. Описание микросхемы К155РЕ3. Структурная схема стенда для изучения принципа работы ПЗУ.
дипломная работа, добавлен 29.12.2014Понятие и сфера применения выпрямителя электрического однофазного. Экспериментальное исследование характеристик мостового выпрямителя переменного тока с различными видами сглаживающих фильтров. Освоение методики исследования и расчета выпрямителя.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Обзор конструктивных особенностей и характеристик лазеров на основе наногетероструктур. Исследование метода определения средней мощности лазерного излучения, длины волны, измерения углов расходимости. Использование исследованных средств измерений.
дипломная работа, добавлен 26.10.2016Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Основные составляющие схемы однополупериодного выпрямителя. Сбор схемы двухполупериодного трансформаторного выпрямителя со средней точкой. Исследование схемы транзисторного усилителя с эмиттерным резистором. Моделирование подавления синфазной помехи.
курсовая работа, добавлен 18.01.2014Классификация фильтров по виду их амплитудно-частотных характеристик. Разработка принципиальных схем функциональных узлов. Расчет электромагнитного фильтра для разъединения электронных пучков. Определение активного сопротивления фазы выпрямителя и диода.
курсовая работа, добавлен 11.12.2012Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа, добавлен 15.07.2015Расчет схемы частотного дробного детектора. Определение типа вакуумного и полупроводникового диода. Выбор средства обеспечения избирательности супергетеродинного приемника по зеркальному и соседнему каналам. Ослабление одиночного колебательного контура.
контрольная работа, добавлен 19.04.2012Анализ электрических характеристик интегральных схем и модели их элементов. Моделирование диодов на основе р-п-перехода в программе PSPICE: эмиссия, температурный потенциал, напряжение пробоя, диффузионная емкость, вольтфарадная характеристика.
реферат, добавлен 13.06.2009Исследование различных схем выпрямителей и их работа на различные типы нагрузок. Снятие диаграмм напряжений и токов, выполнение необходимых расчетов. Схема выпрямителя однофазного однополупериодного с активной или индуктивной–емкостной нагрузкой.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2015Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.
презентация, добавлен 24.05.2014Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат, добавлен 29.10.2011Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
курсовая работа, добавлен 31.05.2014Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Определение удельного сопротивления полупроводникового образца с использованием четырехзондовой методики; а также типа проводимости по знаку термоЭДС с использованием термозонда с учетом и без учета поправочных коэффициентов; метрологические показатели.
практическая работа, добавлен 22.09.2011