Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке
Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
Подобные документы
Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.
курсовая работа, добавлен 15.10.2010Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат, добавлен 12.06.2009Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
курсовая работа, добавлен 31.05.2014Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа, добавлен 12.12.2011Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя. Расчет режима базовой диффузии, профиля распределения примеси в эмиттерной области, окисления при получении диэлектрических карманов и диэлектрической пленки, для создания защитной маски.
курсовая работа, добавлен 09.09.2014Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 26.11.2009Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа, добавлен 14.03.2014Закон распределения. Распределение Вейбулла. Экспоненциальное распределение вероятности. Определение закона распределения и выбор числа показателей надежности. Выбор числа показателей надежности. Выдвижение гипотез о математических моделях распределения.
реферат, добавлен 28.01.2009Теория телетрафика как научное направление: основные задачи, историческое развитие, математические модели систем распределения информации. Общие методы решения прикладных задач, примеры. Расчет величины возникающей на цифровой АТС нагрузки от абонентов.
курсовая работа, добавлен 15.11.2013Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат, добавлен 29.06.2015Законы распределения случайной величины. Потоки вызовов. Телефонная нагрузка и ее параметры. Распределение нагрузки по направлениям. Расчет однозвенных полнодоступных коммутационных схем при обслуживании простейшего потока вызовов в системе с потерями.
контрольная работа, добавлен 21.03.2009Теория массового обслуживания. Нахождение коэффициента использования сервера. Экспоненциальный закон распределения времени между соседними вызовами. Вероятность отказа в обслуживании. Среднее время ожидания и пребывания в системе. Расчет объема буфера.
контрольная работа, добавлен 13.02.2015Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Изображение переходного процесса в программе электронного моделирования Electrоnic Work Bench. Расчет электрической схемы до коммутации; независимые начальные условия. Расчет напряжения на элементе, характеристическое уравнение для схемы после коммутации.
курсовая работа, добавлен 06.01.2015Выбор функции амплитудного распределения поля в раскрыве зеркала, расчет рупорного облучателя, реального распределения поля и фридерного трака с целью конструирования зеркальной антенны, предназначенной для обнаружения радиолокационных сигналов.
задача, добавлен 23.09.2011Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
контрольная работа, добавлен 19.03.2011Результаты эксплуатации РЭСИ используются для получения экспериментальных значений их критериев надежности. Определение оценок параметров и доверительных границ для параметров экспоненциального распределения. Использование распределения Пуассона.
реферат, добавлен 28.01.2009Расчет интенсивности поступающей нагрузки для каждой АТС и на их выходе, а также по направлениям других станций. Структурные матрицы распределения нагрузок. Расчет числа соединительных линий и цифровых трактов между площадками, проектирование ГТС с УВС.
курсовая работа, добавлен 20.05.2011Генерация случайного сигнала с равномерным законом распределения, заданным математическим ожиданием и среднеквадратическим отклонением. Длина участка реализации. Статическое распределение выборки из определенных значений. Теоретическое распределение.
курсовая работа, добавлен 12.08.2010Расчет вероятности безотказной работы звена матричным методом. Методика расчета вероятности безотказной работы резервируемой системы, применение метода Ньютона. Непрерывные распределения случайных величин в теории надежности: случайная величина и событие.
контрольная работа, добавлен 30.06.2011История появления и проблемы микроэлектроники. Развитие современных средств вычислительной техники, робототехники, аппаратуры цифровых коммуникаций. Положения и принципы микроэлектроники. Технология толстых пленок. Аналоговые интегральные микросхемы.
курсовая работа, добавлен 12.02.2013Нахождение по заданной структурной схеме и известным выражениям для передаточных функций динамических звеньев передаточной функции. Исследование устойчивости системы, проведение ее частотного анализа и преобразования, расчет переходных процессов.
курсовая работа, добавлен 13.05.2009Вычисление математического ожидания и дисперсии, плотности распределения случайных величин. Реализация квазидетерминированного случайного процесса. Помехоустойчивость сигналов при когерентном приеме. Вероятности ложной тревоги и пропуска сигнала.
контрольная работа, добавлен 20.03.2015