Сравнительный анализ влияния низкотемпературного и высокотемпературного электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов
Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
Подобные документы
Классификация и типы полупроводников, их характеристики и свойства. Контактные явления на границе раздела полупроводников различных типов. Изучение работы соответствующих устройств, резонанс токов и напряжений. Изучение вольтмперной характеристики диода.
дипломная работа, добавлен 03.07.2015Эффекты, возникающие в кристаллах полупроводников и диэлектриков при механическом возбуждении ультразвуковыми колебаниями. Кристаллы ZnS с примесью хрома, выращенные из расплава под давлением инертного газа. Метод электронного парамагнитного резонанса.
реферат, добавлен 26.06.2010- 53. Сканирующий туннельный микроскоп. Изобретение Г.К. Биннига и Г. Рорера. Атомно-силовой микроскоп
Управление свойствами полупроводниковых материалов, основанное на формировании в полупроводниковой матрице наноразмерных кластеров. Обработка экспериментальных данных и спектральные характеристики вентильной фотоэдс, структур, содержащих нанокластеры.
презентация, добавлен 06.12.2015 Восприимчивость электровакуумных приборов к загрязнениям. Возможность попадания в активное покрытие веществ, ухудшающих эмиссионные свойства катодов. Загрязнение деталей механическими частицами. Откачка электровакуумных приборов безмасляными насосами.
реферат, добавлен 10.02.2011Парамагнетизм и ферромагнетизм в системе коллективизированных электронов. Рассмотрение явления диамагнетизма электронного газа. Изучение влияния температуры на распределение Ферми-Дирака. Ознакомление со статистиками Бозе-Эйнштейна и Максвелла-Больцмана.
курсовая работа, добавлен 01.06.2014Основные типы связей в твёрдом теле. Особенности строения ионных кристаллов. Схема образования диполь-дипольной связи. Общие закономерности построения кристаллов, характеристика сил, которые удерживают в них атомы. Плотноупакованные структуры металла.
контрольная работа, добавлен 09.03.2013Энергетический спектр электронов и плотность электронных состояний в низкоразмерных объектах. Важнейшие квантовомеханические характеристики тел. Спектр неограниченного кристалла 3D-электронного газа. Электронный газ в квантовой проволоке или точке.
лекция, добавлен 24.04.2014Исследование истории развития электрических измерительных приборов. Анализ принципа действия магнитоэлектрических, индукционных, стрелочных и электродинамических измерительных приборов. Характеристика устройства для создания противодействующего момента.
курсовая работа, добавлен 24.06.2012Вывод формулы для нормального и тангенциального ускорения при движении материальной точки и твердого тела. Кинематические и динамические характеристики вращательного движения. Закон сохранения импульса и момента импульса. Движение в центральном поле.
реферат, добавлен 30.10.2014Момент инерции тела относительно неподвижной оси в случае непрерывного распределения масс однородных тел. Теорема Штейнера. Кинетическая энергия вращающегося твердого тела. Плоское движение твердого тела. Уравнение динамики вращательного движения.
презентация, добавлен 28.07.2015Технология изготовления, свойства и сферы применения квантовых ям, нитей и точек. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания кристаллических наноструктур. Использование двойной гетероструктуры полупроводниковых лазеров для генерации излучения.
дипломная работа, добавлен 05.04.2016Основы динамики вращений: движение центра масс твердого тела, свойства моментов импульса и силы, условия равновесия. Изучение момента инерции тел, суть теоремы Штейнера. Расчет кинетической энергии вращающегося тела. Устройство и принцип работы гироскопа.
презентация, добавлен 23.10.2013Классификация, структурные свойства и возможные отрасли применения нанотрубок. Особенности электрического сопротивления. Возможность создания устройства с высоконелинейными характеристиками включения на основе полупроводниковых одностенных нанотрубок.
реферат, добавлен 21.11.2010Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.
курсовая работа, добавлен 04.05.2011- 65. История возникновения и формирования квантовой механики и квантово-механической теории твердого тела
Экспериментальные основы и роль М. Планка в возникновении квантовой теории твердого тела. Основные закономерности фотоэффекта. Теория волновой механики, вклад в развитие квантово-механической теории и квантовой статистики А. Гейзенберга, Э. Шредингера.
доклад, добавлен 24.09.2019 Основные задачи динамики твердого тела. Шесть степеней свободы твердого тела: координаты центра масс и углы Эйлера, определяющие ориентацию тела относительно центра масс. Сведение к задаче о вращении вокруг неподвижной точки. Описание теоремы Гюйгенса.
презентация, добавлен 02.10.2013Понятие и главные свойства оптронов как особенных оптоэлектронных приборов, их классификация и разновидности, отличительные признаки. Преимущества и недостатки использования данных приборов, требования к среде и сферы их практического применения.
презентация, добавлен 02.12.2014Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах. Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста. Закономерности, структура и химическая связь соединений типа АIIIВV. Изопериодные гетероструктуры. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.
курсовая работа, добавлен 09.12.2010Диэлектрические волноводы как элементы интегральной оптики. Методики их производства и способы улучшения характеристик. Влияние облучения светом на свойства пленок диоксида титана, изготовленных по золь-гель и гель технологии, их спектральный анализ.
реферат, добавлен 17.12.2014Особенности и свойства жидкокристаллического состояния вещества. Структура смектических жидких кристаллов, свойства их модификаций. Сегнетоэлектрические характеристики. Исследование геликоидальной структуры смектика C* методом молекулярной динамики.
реферат, добавлен 18.12.2013Кинетическая энергия вращения твердого тела и момент инерции тела относительно нецентральной оси. Основной закон динамики вращения твердого тела. Вычисление моментов инерции некоторых тел правильной формы. Главные оси и главные моменты инерции.
реферат, добавлен 18.07.2013Общие вопросы устройства и теории электромеханических приборов. Магнитоэлектрические, электромагнитные, электродинамические, ферродинамические, электростатические, индукционные измерительные механизмы. Условные обозначения электромеханических приборов.
курсовая работа, добавлен 10.09.2012Особенности определения зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна. Определение на ней положения примесных акцепторных состояний EA и значений эффективных масс. Составление блока численных значений для основных параметров полупроводников.
контрольная работа, добавлен 23.12.2009Исследование методов формирования полупроводниковых квантовых точек. Анализ возможности их применения в электронных приборах: лазерах, одноэлектронных транзисторах, элементах памяти наноразмеров. Размерное квантование энергии электронов. Квантовые ямы.
статья, добавлен 28.11.2013Атомный и молекулярный спектральный анализ. Оптическая спектроскопия. Лазерное сканирование полупроводниковых пластин с последующим спектральным анализом люминесцентного излучения. Спектральные приборы и их принципиальная схема. Дифракционная решётка.
реферат, добавлен 15.01.2009