Зонная модель электронной проводимости металлов
Зонная модель электронно-дырочной проводимости полупроводников. Расчет концентрации ионизованной примеси. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости. Электронно-дырочные переходы. Полупроводниковые выпрямители. Суть сверхпроводимости.
Подобные документы
Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
реферат, добавлен 09.03.2007Исследование формирования катодолюминесцентного излучения, генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей заряда. Характеристика кинетики процессов возгорания и гашения люминесценции, концентрации легирующих примесей в ряде полупроводников.
курсовая работа, добавлен 10.06.2011Общие характеристики, энергия и масса электромагнитного поля. Закон электромагнитной индукции в дифференциальной форме. Дивергенция плотности тока проводимости. Уравнения электромагнитного поля в интегральной форме. Сущность теоремы Умова-Пойнтинга.
презентация, добавлен 29.10.2013Ток и плотность тока проводимости. Закон Ома в дифференциальной форме. Стороннее электрическое поле. Законы Кирхгофа в дифференциальной форме. Уравнение Лапласа для электрического поля в проводящей среде. Дифференциальная форма закона Джоуля-Ленца.
презентация, добавлен 13.08.2013Физико-химические свойства халькогенидных металлов и стеклообразных полупроводников. Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge2Sb2Te5. Использование халькогенидных стекол в качестве фоточувствительного материала для записи и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 16.05.2016Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа, добавлен 20.03.2007Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Изучение свойств графита и структуры однослойных нанотруб. Квантовые поправки к проводимости невзаимодействующих электронов. Эффекты слабой локализации в присутствии магнитного поля. Взаимодействие в куперовском канале в присутствии магнитного поля.
дипломная работа, добавлен 20.10.2011Явление ферромагнетизма, фазовые переходы, домены в ферромагнетиках. Знакомство с одномерной и двумерной линейной моделью Изинга, предназначеной для описания намагничивания материала. Построение статистической термодинамики кристаллического состояния.
реферат, добавлен 18.09.2009Аккумуляция энергии в ячейке с МЖ. Анизотропия электропроводности МЖ, наведенная внешним воздействием. Действие электрического и магнитного полей на структурные элементы МЖ. Математическая теория проводимости МЖ. Результаты эксперимента.
дипломная работа, добавлен 12.03.2007Открытие особенностей изменения сопротивления ртути в 1911 году. Сущность явления сверхпроводимости, характерного для многих проводников. Наиболее интересные возможные промышленного применения сверхпроводимости. Эксперимент с "магометовым гробом".
презентация, добавлен 22.11.2010Метод диодного детектора (датчика). Эффект изменения проводимости полупроводника в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, эквивалентная схема диода. Метод с использованием газоразрядного датчика. Структурная схема измерителя импульсной мощности.
реферат, добавлен 10.12.2013Проблема атомного ядра как самая серьезная в современной физике, роль в ней проблемы урана. Природа и условия возникновения света, испускаемого атомами. Этапы, возможность воздействия двух атомных ядер друг на друга. Техническое значение полупроводников.
реферат, добавлен 20.09.2009Магниторезистивный эффект (магнетосопротивление) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Качественное объяснение эффекта. Тензор проводимости двумерного дырочного газа в магнитном поле и отрицательное магнетосопротивление.
контрольная работа, добавлен 21.02.2009Определение режимов работы нейтрали источников и приемников электрической энергии. Описание лабораторной установки, ее принципиальная электрическая схема. Компенсированная нейтраль при симметричной проводимости фаз относительно земли, замыкание фазы.
лабораторная работа, добавлен 03.05.2016Электронно-микроскопический метод исследования. Физические основы растровой электронной микроскопии. Схема растрового электронного микроскопа, назначение его узлов и их функционирование. Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним.
курсовая работа, добавлен 04.05.2011Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.
курсовая работа, добавлен 01.01.2014Зависимость электропроводности магнитной жидкости с графитовым наполнителем от направления магнитного поля. Теория, объясняющая наблюдаемую зависимость электрической проводимости от направления магнитного поля.
статья, добавлен 14.07.2007Открытие явления сверхпроводимости. Первые экспериментальные факты. Эффект Мейснера, изотопический эффект. Теория сверхпроводимости. Щель в энергетическом спектре. Образование электронных пар. Квантование магнитного потока (макроскопический эффект).
дипломная работа, добавлен 24.08.2010История открытия, механизм получения и применение графена, вид его кристаллической решетки и зонная структура. Линейный закон дисперсии для электронов, связь между циклотронной массой и энергетическим спектром. Сохранение хиральности и парадокс Клейна.
статья, добавлен 17.05.2011Способы выращивания монокристаллов: спонтанная кристаллизация, гидротермальное выращивание, твердофазная рекристаллизация, зонная плавка, лазерный разогрев. Экспериментальное определение однородности вхождения оптических центров в кристалловолокне.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.
контрольная работа, добавлен 12.01.2012Понятие квантового размерного эффекта (КРЭ). Выбор висмута, его обоснование. Требуемые улучшения в исследовании КРЭ. Расширенная зонная структура висмута вдоль различных кристаллографических направлений. График зависимости сопротивления от толщины плёнки.
дипломная работа, добавлен 26.08.2017Моделирование прохождения пучков протонов через систему формирования равномерного поля протонов. Принцип действия циклотрона. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Расчет составляющих системы формирования равномерного поля протонов.
дипломная работа, добавлен 26.06.2012Необходимость управления напряжением на входных клеммах устройств с целью регулирования их выходных характеристик при использовании электротехнических устройств постоянного тока. Полупроводниковые статические преобразователи как управляемые выпрямители.
презентация, добавлен 08.07.2014