Физические основы работы светоизлучающих диодов

Назначение, преимущества, расчет технических параметров светоизлучающих диодов (СИД). Внешний квантовый выход и потери излучения. СИД как элемент электрической цепи и как элемент оптрона. Излучательная, спектральная, оптическая характеристики СИД.

Подобные документы

  • Конструктивные особенности типовых элементов схемы: резисторов, конденсаторов, диодов, индикаторов, усилителей. Определение требований к печатной плате, расчет конструктивных параметров и надежности ее элементов. Технология поверхностного монтажа.

    курсовая работа, добавлен 16.06.2011

  • Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2011

  • Рассмотрение конструктивно-технологических параметров ПЗС. Квантовая эффективность и квантовый выход ПЗС-камеры. Применения ПЗС-камер инфракрасного диапазона как прибора ночного видения или устройства для определения температурного поля; их особенности.

    курсовая работа, добавлен 20.07.2015

  • Датчик — элемент управляющего устройства, первичный преобразователь контролируемой величины в удобный сигнал: принцип работы, схемы подключения к микроконтроллеру (МК). Общая характеристика емкостных датчиков со звуковым индикатором, расчет параметров.

    курсовая работа, добавлен 04.12.2011

  • Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.

    лабораторная работа, добавлен 31.10.2009

  • Оптическая схема стереовидеокамеры, ее структура и компоненты, принцип действия и назначение. Параметры источника приемника излучения. Габаритный расчет оптической системы. Расчет коэффициента пропускания, отношения сигнал-шум. Описание конструкции.

    курсовая работа, добавлен 24.11.2010

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка, добавлен 11.12.2012

  • Описание схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов. Разработка трассировки и компоновки печатной платы. Настройка простого средневолнового синтезатора частоты. Организация рабочего места оператора.

    дипломная работа, добавлен 18.04.2015

  • Назначение, устройство и принцип действия счетчика Гейгера-Мюллера. Основные физические закономерности работы, восстановление работоспособности после регистрации частицы, дозиметрические и счетные характеристики датчиков ионизирующего излучения.

    реферат, добавлен 31.10.2011

  • Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Выбор варианта схемы. Составление системы уравнений для расчета токов и напряжений. Определение выражения для комплексного коэффициента передачи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера. Построение графиков АЧХ и ФЧХ.

    курсовая работа, добавлен 23.01.2013

  • Определение предельных значений токов и напряжений в различных ветвях и точках схемы однофазного двухполупериодного выпрямителя с выводом от средней точки. Расчет диодов, напряжения вторичной обмотки и мощности трансформатора, сечения проводов обмоток.

    контрольная работа, добавлен 04.02.2016

  • Основные характеристики электропривода. Расчет цепи постоянного и переменного тока по законам Кирхгофа, по методу контурных токов и узловых потенциалов. Сравнение результатов, полученных разными методами. Построение потенциальной и векторной диаграммы.

    курсовая работа, добавлен 02.07.2014

  • Расчет количественных характеристик надежности невосстанавливаемых элементов, построение графика их зависимости от времени. Определение времени безотказной работы и восстановления системы после отказа. Расчет надежности триггера при заданных параметрах.

    контрольная работа, добавлен 10.02.2013

  • Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.

    реферат, добавлен 20.12.2013

  • Анализ основных методов расчёта линейных электрических цепей постоянного тока. Определение параметров четырёхполюсников различных схем и их свойства. Расчет электрической цепи синусоидального тока сосредоточенными параметрами при установившемся режиме.

    курсовая работа, добавлен 03.08.2017

  • Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.

    курсовая работа, добавлен 17.03.2011

  • Обоснование, выбор и расчет тактико-технических характеристик самолетной радиолокационной станции. Определение параметров излучения и максимальной дальности действия. Оценка параметров цели. Описание обобщённой структурной схемы радиолокационной станции.

    курсовая работа, добавлен 23.11.2010

  • Устройства выборки-хранения, их сущность и особенности, принцип работы и назначение. Простейшая схема УВХ, их классификация и содержание. Линейные стабилизаторы напряжения, принцип их работы и назначение, регулирующий элемент и используемая схемотехника.

    реферат, добавлен 14.02.2009

  • Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2015

  • Катушка индуктивности как элемент радиоэлектронных средств, ее функционирование, назначение, устройство, особенности проектирования. Расчет конструкции и необходимых деталей, температурного коэффициента индуктивности, уточнение электрических параметров.

    курсовая работа, добавлен 04.03.2010

  • Исследование нагрузки линейной электрической цепи. Предполагаемый характер частотных характеристик на основе анализа схемы. Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Исследование параметров транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой.

    курсовая работа, добавлен 17.11.2014

  • Сущность и описание амплитудной передаточной характеристики логических элементов. Входная и выходная характеристика, ее составные части, отличительные черты. Зависимость импульсивной помехоустойчивости от амплитуды. Характеристика основных параметров ЛЭ.

    курсовая работа, добавлен 15.04.2009

  • Вычисление и изображение на спектральной диаграмме спектра периодического процесса с заданной амплитудой и частотой. Спектральная плотность одиночного прямоугольного импульса. Расчет спектра амплитудно-манипулированного и фазоманипулированного сигнала.

    контрольная работа, добавлен 11.07.2013

  • Порядок составления блок-схемы передатчика, работающего на 120 МГц. Выбор и обоснование транзистора для работы в выходном каскаде. Вычисление модулятора и коллекторной цепи. Расчет параметров возбудителя, умножителя цепи и предоконечного каскада.

    курсовая работа, добавлен 03.01.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.