Преобразовательные приборы

Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.

Подобные документы

  • Основы построения оптических систем передачи. Источники оптического излучения. Модуляция излучения источников электромагнитных волн оптического диапазона. Фотоприемные устройства оптических систем передачи. Линейные тракты оптических систем передачи.

    контрольная работа, добавлен 13.08.2010

  • Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).

    лабораторная работа, добавлен 24.06.2015

  • Описание функциональной схемы и характеристик сигналов в системе питания привязной платформы. Обоснование структурной схемы разрабатываемого индикатора радиоизлучения. Методика измерения чувствительности устройства оценки электромагнитного излучения.

    курсовая работа, добавлен 23.08.2017

  • Обзор оптических свойств преобразователей оптического излучения при разных температурах. Изучение возможностей прибора для нагревания кристаллов, собранного на базе ПИД-регулятора ОВЕН ТРМ101. Настройка прибора, разработка инструкции по пользованию им.

    дипломная работа, добавлен 30.06.2014

  • Электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (полупроводниковые приборы). Классификация полупроводниковых приборов по назначению и принципу действия, типу материала, конструкции и технологии, применению.

    реферат, добавлен 17.03.2011

  • Методы и устройства измерения радиоактивного излучения. Расчет структурной схемы портативного цифрового радиометра. Подготовка производства цифровых электронных устройств для измерения интенсивности радиоактивного излучения гамма- и бета-лучей.

    дипломная работа, добавлен 14.01.2012

  • Методы расчета усилительных каскадов на основе транзисторов. Проектирование усилителя модулятора лазерного излучения. Приобретение конкретных навыков в расчете усилительных каскадов на примере решения конкретной задачи. Расчет широкополосного усилителя.

    курсовая работа, добавлен 23.06.2008

  • Антенно-фидерное устройство для излучения и приёма радиоволн как неотъемлемая часть любой радиотехнической системы. Применение многоэлементных решёток излучателей с электрически управляемыми диаграммами направленности для острой направленности антенны.

    реферат, добавлен 17.03.2011

  • Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Описание схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов. Разработка трассировки и компоновки печатной платы. Настройка простого средневолнового синтезатора частоты. Организация рабочего места оператора.

    дипломная работа, добавлен 18.04.2015

  • Создание и проекционный перенос изображения с помощью пучка электронов. Характеристики рассеяния электронов в слое электронорезиста. Рентгеношаблон. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Источник рентгеновского излучения.

    реферат, добавлен 14.01.2009

  • Описание и область применения излучателя. Вертикальная антенная решетка из пяти излучателей Вивальди. Расчет диаграммы направленности приближенным методом. Система возбуждения излучателей на трех частотах и цифрового управления. Синтез антенной системы.

    курсовая работа, добавлен 05.01.2013

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация, добавлен 29.05.2010

  • Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.

    лабораторная работа, добавлен 05.06.2014

  • Синтез функциональной схемы. Строение функциональной схемы. Выбор элементной базы и реализация функциональных блоков схемы. Назначение основных сигналов схемы. Описание работы принципиальной схемы. Устранение помех в цепях питания. Описание программы.

    курсовая работа, добавлен 15.09.2008

  • Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.

    реферат, добавлен 14.02.2003

  • Назначение разрабатываемого устройства (детектора высокочастотного излучения) для оперативного обнаружения радиоизлучающих подслушивающих устройств промышленного шпионажа. Технические требования к устройству, его патентной чистоте и условиям эксплуатации.

    дипломная работа, добавлен 12.12.2010

  • Передающие оптоэлектронные модули, их применение. Построение зависимости выходной мощности источника оптического излучения от величины электрического тока. Определение зависимости чувствительности фотодетектора от длины волны оптического излучения.

    контрольная работа, добавлен 05.05.2014

  • Использование громкоговорителя прямого излучения для преобразования механических колебаний в акустические. Особенности устройства диффузора. Излучение пульсирующей сферы. Формула звукового давления. Зависимость коэффициента направленности от угла.

    контрольная работа, добавлен 16.11.2010

  • Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2011

  • Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.

    учебное пособие, добавлен 25.03.2009

  • Методы достижения кратковременного состояния невесомости. Единицы измерения поглощенной дозы радиоактивного излучения, его источники. Радиационная стойкость конденсаторов. Устройство гетерогенного ядерного реактора. Защитные устройства от гамма-излучения.

    реферат, добавлен 25.01.2009

  • Проверка в вычислительных экспериментах схемы модельного синтеза дифракционных антенн с заданными электродинамическими характеристиками. Исследование физических особенностей в процессах излучения импульсных и монохроматических волн такими антеннами.

    презентация, добавлен 09.10.2015

  • Изучение спиральной антенны дециметрового диапазона. Расчет геометрических размеров антенны и ее характеристик излучения. Основа работы цилиндрической спиральной антенны, определение диаметра его витков и шага намотки. Понятие круговой поляризации.

    курсовая работа, добавлен 06.01.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.