Р-канальный полевой транзистор с изолированным затвором
Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
Подобные документы
Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.
курсовая работа, добавлен 29.10.2013Разработка формирователя импульсов трапецеидальной формы - мультивибратора на биполярных транзисторах, триггера на биполярных транзисторах, RC-фильтра, одновибратора в интегральном исполнении. Исследование компаратора на основе операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 23.06.2012Применение четырехканального реограф на транзисторах с питанием от батарей для ведения научно-исследовательских работ. Конструкция прибора, структурная и принципиальная схемы, технические данные. Расчет транзисторного ВЧ генератора и аттенюатора.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа, добавлен 14.12.2013Нахождение корреляционной функции входного сигнала. Спектральный и частотный анализ входного сигнала, амплитудно-частотная и фазочастотная характеристика. Переходная и импульсная характеристика цепи. Определение спектральной плотности выходного сигнала.
курсовая работа, добавлен 27.04.2012Расчёт объёма звукового файла и порядка фильтра Баттерворта как основа для приложений обработки сигналов. Спектр входного сигнала и его частота. Расчет порядка фильтра и дискретная функция передач. Амплитудная модуляция и детектирование сигнала.
курсовая работа, добавлен 07.05.2012Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа, добавлен 03.02.2012История разработки и использования интегральных микросхем. Выбор элементной базы устройства. Синтез электрической принципиальной схемы: расчет усилительных каскадов на транзисторах, параметры сумматора, инвертора, усилителя, дифференциатора и интегратора.
курсовая работа, добавлен 25.11.2010Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат, добавлен 14.02.2016Отличительные особенности триггера как функционального устройства. Осуществление логической операции ИЛИ-НЕ при наличии микросхем И-НЕ. Изменение состояния триггера микросхемы К561ТВ1 при подаче на тактирующий вход С серии прямоугольных импульсов.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Техника электроэрозионной и токовой подгонки тонкопленочных резисторов. Обработка пленок в тлеющем разряде. Подгонки тонкопленочных конденсаторов. Анодирование и анодное оксидирование. Электронные и ионные методы подгонки. Лазерная обработка пленки.
лабораторная работа, добавлен 01.02.2014Разработка программно-аппаратного комплекса (микропроцессорного контроллера) для тестирования интегральных микросхем. Функциональный контроль по принципу "годен" - "не годен". Параметры микроконтроллера КМ1816ВЕ51. Блок-схема алгоритма работы контроллера.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Электрическая принципиальная схема измерительного устройства. Расчет полевого транзистора, емкостей конденсаторов на входе и выходе каскада и в цепи эмиттера. Определение эффективности прибора. Возможные неисправности, их причины и методы устранения.
курсовая работа, добавлен 30.06.2014Использование биполярных транзисторов в импульсных источниках электропитания. Линейная область работы транзистора. Коммутационные процессы в транзисторе, определяющие динамические потери при его переключении. Метод симметрирования токов транзисторов.
контрольная работа, добавлен 30.08.2010Биполярные и полевые транзисторы в дискретном или интегральном исполнении как основа современных усилителей. Классы усиления усилительных каскадов. Метод расчета схем с нелинейным элементом. Схема с фиксированным напряжением базы. Методы стабилизации.
лекция, добавлен 15.03.2009Измерение напряжения на базе, коллекторе и эмиттере транзистора относительно общего провода. Построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному токам. Определение линейных искажений, вносимых порознь разделительными и блокировочной емкостями.
лабораторная работа, добавлен 22.11.2012Сущность и назначение цифровых интегральных микросхем, описание их статических и динамических параметров. Основы алгебры логики. Изучение элементов транзисторной логики с эмитерными связями. Принципы сочетания диодного элемента с транзисторным инвертором.
реферат, добавлен 21.11.2010Понятие дискретизации сигнала: преобразование непрерывной функции в дискретную. Квантование (обработка сигналов) и его основные виды. Оцифровка сигнала и уровень его квантования. Пространства сигналов и их примеры. Непрерывная и дискретная информация.
реферат, добавлен 24.11.2010Экспериментальное исследование схемы автоколебательных мультивибраторов на транзисторах и интегральных микросхемах. Измерение тока коллектора с помощью осциллографа. Факторы, ограничивающие величину максимальной частоты генерации мультивибраторов.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа, добавлен 11.02.2008Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.06.2011Изучение протоколов 2-го, канального уровня OSI модели, оперирующих кадрами. Оценка эффективности использования протоколов в каналах с различными техническими характеристиками. Условия рационального применения тех или иных версий канальных протоколов.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2009Конструктивно-технологические параметры печатной платы, выбор элементов и материалов для полевого транзистора, расчет надежности акустического реле. Операционная карта процесса изготовления согласно технологическим операциям и методам производства.
курсовая работа, добавлен 01.07.2008Обоснование выбора типа индикатора в соответствии с режимом стробирования. Построение буферной микросхемы. Расчет формирователей строк или столбцов. Синтез знакогенератора. Характеристики германиевого транзистора. Выбор резисторов по номинальному ряду.
контрольная работа, добавлен 29.12.2010