Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект

Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

Подобные документы

  • Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Структурное проектирование устройства, выполняющего цифровую обработку информации. Основные характеристики выбранного микроконтроллера. Преобразователь ток-напряжение и интегрирующий усилитель.

    контрольная работа, добавлен 07.08.2013

  • Виды транзисторных усилителей, основные задачи проектирования транзисторных усилителей, применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статические характеристики, дифференциальные параметры транзисторов и усилителей, обратные связи в усилителях.

    реферат, добавлен 01.04.2010

  • Основные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Классификация радиационных эффектов. Действие облучения на биполярные транзисторы. Радиационные эффекты в усилительных и дифференциальных каскадах. Радиационные эффекты в ИОУ.

    реферат, добавлен 09.03.2007

  • Принцип действия, структура и методы расчета параметрического стабилизатора напряжения на основе кремниевого стабилитрона графоаналитическим способом. Определение h-параметров двух биполярных транзисторов, включенных по схеме с общей базой и эмиттером.

    курсовая работа, добавлен 30.06.2014

  • Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Расчёт выходного каскада радиопередатчика на биполярных транзисторах на заданную мощность; выбор схем, транзисторов, элементов колебательных систем, способа модуляции. Расчёт автогенератора, элементов эмиттерной коррекции; выбор варикапа и его режима.

    курсовая работа, добавлен 11.06.2012

  • Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.

    контрольная работа, добавлен 10.06.2013

  • Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Основные параметры широкополосных аналоговых сигналов, модели электронных ключей: электронные на диодах, биполярные, полевые транзисторы. Расчет входного и выходного усилителя и источника питания. Анализ структурной схемы блока электронной коммутации.

    дипломная работа, добавлен 14.11.2017

  • Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.

    реферат, добавлен 18.01.2017

  • Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Работа усилителя мощности. Композитное включение транзисторов.

    реферат, добавлен 22.02.2011

  • Исследование основных характеристик избирательных усилителей с различными типами резонансной нагрузки. Измерение избирательности, коэффициента усиления и крутизны АЧХ резонансного усилителя с двойной автотрансформаторной связью контура с транзисторами.

    лабораторная работа, добавлен 03.06.2014

  • Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.

    презентация, добавлен 12.12.2013

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа, добавлен 17.03.2015

  • Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.

    курсовая работа, добавлен 12.06.2010

  • Загальні відомості та принцип дії фототиристора. Зміна електричного опору напівпровідника під дією випромінення. Розрахунок параметрів фототранзистора на гетеропереходах. Спектральний розподіл фотоструму напівпровідників в області власного поглинання.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2009

  • Определение напряжения открывания (переключения) транзисторов. Статические характеристики схемы при вариации напряжения питания. Длительность переходных процессов при включении и выключении ключа и среднее время задержки в сети для различных приборов.

    контрольная работа, добавлен 23.12.2010

  • Принцип построения радиопередающего устройства, его технические характеристики. Разработка функциональной схемы передающего устройства, параметры транзисторов в генераторном режиме. Расчет усилителей, умножителей, модуляторов, кварцевых генераторов.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2014

  • Разработка технологических процессов соответственно к единой системе подготовки производства измерителя H21э транзисторов. Анализ типа, условий и годовой программы выпуска. Маршрут конструкторской схемы сборки, выбор оборудования, оптимизация монтажа.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2011

  • Сущность метода наименьших квадратов. Принцип работы и основные разновидности полевых транзисторов. Типовые комбинационные цифровые устройства и характеристика их работы. Командный и микропрограммный уровни программного управления микропроцессором.

    шпаргалка, добавлен 27.02.2009

  • Проблемы внедрения цифрового вещания в низко-, средне-, высокочастотных диапазонах. Структурная схема и технические характеристики передатчика. Расчет колебательной системы, схемы защиты транзисторов; каскадов усиления мощности и интенсивности их отказов.

    дипломная работа, добавлен 14.11.2017

  • Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.

    лабораторная работа, добавлен 13.12.2015

  • Разработка и обоснование функциональной схемы устройства. Определение предварительного усилителя, цепи смещения и термостабильности. Исследование стабильности выходного каскада и самовозбуждения транзисторов. Расчет оконечного и предварительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 13.10.2021

  • Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, определение площади теплоотводов, элементов усилителя мощности. Выбор и расчет выпрямителя, схемы фильтра, трансформатора.

    курсовая работа, добавлен 22.09.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.