Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния

Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.

Подобные документы

  • Технические характеристики и условия эксплуатации отладочной платы. Осуществление патентного поиска. Выбор конденсаторов, резисторов, светодиодов, транзисторов, микроконтроллера. Расчет надежности устройства. Технология изготовления печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 26.06.2012

  • Анализ исходной системы автоматического управления, определение передаточной функции и коэффициентов. Анализ устойчивости исходной системы с помощью критериев Рауса, Найквиста. Синтез корректирующих устройств и анализ синтезированных систем управления.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2011

  • Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.

    реферат, добавлен 20.09.2010

  • Терморезисторы (термисторы) - полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, имеющие зависимость электросопротивления от температуры. Исследование зависимости повышения температуры в терморезисторе от повышения токов и напряжений.

    лабораторная работа, добавлен 18.06.2015

  • Резистор - элемент электронного устройства. Их классификация, типы, виды электрических соединений, зарубежные аналоги. Параметры и характеристики конструкции и материалы резисторов. Система условных обозначений и буквенно-цифровая маркировка детали.

    реферат, добавлен 13.03.2011

  • Описание конструкции амплитудного модулятора. Выбор и обоснование схемы электрической принципиальной. Определение коэффициентов нагрузки для транзисторов, резисторов, конденсаторов, общей интенсивности отказа прибора. Расчет площади печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 01.06.2015

  • Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.

    реферат, добавлен 07.11.2010

  • Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.

    курсовая работа, добавлен 13.01.2009

  • Разработка топологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки на основе тонкопленочной технологии. Схемотехнические данные и используемые материалы. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки.

    курсовая работа, добавлен 07.08.2013

  • Изучение понятия, классификации и способов производства резисторов. Принципы строения, материалы изготовления и преимущества металлопленочных, металлоокисных и проволочных (постоянного и переменного сопротивлений) пассивных элементов электрической цепи.

    практическая работа, добавлен 05.12.2010

  • Конструктивные особенности типовых элементов схемы: резисторов, конденсаторов, диодов, индикаторов, усилителей. Определение требований к печатной плате, расчет конструктивных параметров и надежности ее элементов. Технология поверхностного монтажа.

    курсовая работа, добавлен 16.06.2011

  • Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.

    курсовая работа, добавлен 09.03.2009

  • Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.

    контрольная работа, добавлен 15.12.2015

  • Анализ электрической принципиальной схемы и выбор элементной базы. Выбор резисторов, конденсаторов, транзисторов и печатной платы. Конструкторско-технологический расчет печатной платы. Конструкторские расчеты печатного узла. Расчет теплового режима.

    курсовая работа, добавлен 28.02.2013

  • Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.

    курсовая работа, добавлен 03.02.2010

  • Общие сведения о резисторах, классификация, система условных обозначений и маркировка. Основные электрические параметры и свойства резисторов. Характеристики и свойства переменных и постоянных резисторов, назначение и использование резисторных наборов.

    реферат, добавлен 30.08.2010

  • Классификация, конструкции, характеристики и применение резисторов. Цветовая маркировка и обозначение резисторов в перечне элементов отечественных и зарубежных фирм; их параметры, эквивалентные схемы замещения. Физическая природа электросопротивления.

    презентация, добавлен 29.04.2014

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация, добавлен 29.05.2010

  • Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.

    реферат, добавлен 14.11.2008

  • Форма поля в магнитных линзах. Магнитная отклоняющая система. Недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Технология изготовления колбы и экрана, его люминофорное покрытие. Заключительные операции изготовления электронно-лучевых трубок.

    курсовая работа, добавлен 20.05.2014

  • Выбор конструкции, материалов и покрытий. Расчет теплового режима. Расчет платы на ударопрочность и вибропрочность. Определение допустимой длины проводников печатной платы. Анализ технологичности оригинальных деталей. Технология общей сборки блока.

    дипломная работа, добавлен 25.05.2012

  • Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.

    лабораторная работа, добавлен 02.08.2009

  • Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.

    курсовая работа, добавлен 08.05.2009

  • Выбор принципа конструирования, конструкционной системы, серии логического ИМС. Расчет теплового режима и параметров электрических соединений. Разработка технологического процесса изготовления устройства. Анализ технологичности конструкции изделия.

    курсовая работа, добавлен 06.06.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.