Работа биполярных транзисторов в микрорежиме

Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.

Подобные документы

  • Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.

    курсовая работа, добавлен 09.08.2010

  • Транзистор как прибор, предназначенный для преобразования различных электрических сигналов. Устройство и принцип действия транзисторов. Схема включения, система обозначения силовых транзисторов, кодовая маркировка, тип корпуса, пример параметров.

    реферат, добавлен 19.02.2010

  • Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2015

  • Конструкция и разновидности терморезисторов, их применение и режим работы. Принцип действия терморезисторов. Основные технические данные тиристора ММТ-1, измерение параметров вольтамперной характеристики. Построение графика зависимости напряжения от тока.

    лабораторная работа, добавлен 02.05.2015

  • Коллекторные характеристики БПТ. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода в активном режиме. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Малосигнальные Т-образные модели БПТ. Параметры основной П-образной модели. Системы параметров.

    реферат, добавлен 14.12.2008

  • Выбор варианта схемы. Составление системы уравнений для расчета токов и напряжений. Определение выражения для комплексного коэффициента передачи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера. Построение графиков АЧХ и ФЧХ.

    курсовая работа, добавлен 23.01.2013

  • Исследование принципа действия импульсного преобразователя постоянного напряжения понижающего типа. Фазы работы преобразователя. Расчёт силовой части схемы. Определение динамических потерь транзистора, возникающих в момент его включения и выключения.

    курсовая работа, добавлен 16.10.2014

  • Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 21.07.2013

  • Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.

    статья, добавлен 08.05.2014

  • Выбор схемы выходного каскада. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор и расчет выпрямителя, блока питания и схемы фильтра.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2016

  • Применение сейсмических средств обнаружения (ССО) при организации охраны территории: достоинства и недостатки. Преобразование сейсмических колебаний грунта в электрические сигналы с помощью сейсмоприемников. Принцип действия сейсмических средств охраны.

    реферат, добавлен 27.08.2009

  • Расчет токов и напряжений для всех элементов схемы усилительного каскада с общим эмиттером с распределенной нагрузкой. Моделирование переходных и частотных характеристик каскада в ППП "MicroCap". Статический и усилительный режим работы транзистора.

    курсовая работа, добавлен 26.02.2012

  • Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.

    дипломная работа, добавлен 16.05.2013

  • Заданные характеристики усилителя. Расчет выходного каскада, каскадов предварительного усиления, выбор оконечного каскада, транзисторов, схемы. Формула расчета емкости конденсатора. Входная и выходная характеристики транзистора, разводка печатной платы.

    курсовая работа, добавлен 10.05.2009

  • Анализ влияния напряжения питания на работу микроэлектронных устройств. Принцип действия и характеристика устройств контроля напряжения. Выбор типа микроконтроллера. Функции, выполняемые супервизором. Разработка алгоритма и структурной схемы устройства.

    диссертация, добавлен 29.07.2015

  • Определение предельных значений токов и напряжений в различных ветвях и точках схемы однофазного двухполупериодного выпрямителя с выводом от средней точки. Расчет диодов, напряжения вторичной обмотки и мощности трансформатора, сечения проводов обмоток.

    контрольная работа, добавлен 04.02.2016

  • Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.

    реферат, добавлен 21.06.2015

  • Конструирование структурной электрической схемы ИВЭП, расчет ее элементов, построение временных диаграмм, отражающих принцип действия источников вторичного электропитания. Разработки печатной платы и конструкции импульсного преобразователя напряжения.

    курсовая работа, добавлен 14.04.2011

  • Описание устройства регулятора напряжения. Основное назначение и область применения прибора. Рассмотрение особенностей регулятора на основе тиристоров, магнитных усилителей, транзисторов. Синхронный компенсатор: понятие, назначение, принцип работы.

    реферат, добавлен 03.11.2015

  • Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.

    курсовая работа, добавлен 19.02.2013

  • Ионный газоразрядный электровакуумный прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Принцип действия стабилитрона тлеющего разряда. Основные физические закономерности. Область стабилизации напряжения. Работа параметрического стабилизатора.

    контрольная работа, добавлен 28.10.2011

  • Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.

    реферат, добавлен 10.12.2009

  • Схемы и переключающие функции автономных инверторов напряжения. Структура полумостовых, однофазных мостовых и трехфазных мостовых автономных инверторов напряжения. Работа трехфазного автономного инверторов напряжения на несимметричную нагрузку.

    курсовая работа, добавлен 02.01.2018

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка, добавлен 11.12.2012

  • Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.

    курс лекций, добавлен 11.01.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.