Работа биполярных транзисторов в микрорежиме
Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.
Подобные документы
Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа, добавлен 09.08.2010Транзистор как прибор, предназначенный для преобразования различных электрических сигналов. Устройство и принцип действия транзисторов. Схема включения, система обозначения силовых транзисторов, кодовая маркировка, тип корпуса, пример параметров.
реферат, добавлен 19.02.2010Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.
контрольная работа, добавлен 22.03.2015Конструкция и разновидности терморезисторов, их применение и режим работы. Принцип действия терморезисторов. Основные технические данные тиристора ММТ-1, измерение параметров вольтамперной характеристики. Построение графика зависимости напряжения от тока.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Коллекторные характеристики БПТ. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода в активном режиме. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Малосигнальные Т-образные модели БПТ. Параметры основной П-образной модели. Системы параметров.
реферат, добавлен 14.12.2008Выбор варианта схемы. Составление системы уравнений для расчета токов и напряжений. Определение выражения для комплексного коэффициента передачи. Расчет токов и напряжений в сложной электрической цепи методом Крамера. Построение графиков АЧХ и ФЧХ.
курсовая работа, добавлен 23.01.2013Исследование принципа действия импульсного преобразователя постоянного напряжения понижающего типа. Фазы работы преобразователя. Расчёт силовой части схемы. Определение динамических потерь транзистора, возникающих в момент его включения и выключения.
курсовая работа, добавлен 16.10.2014Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
статья, добавлен 08.05.2014Выбор схемы выходного каскада. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор и расчет выпрямителя, блока питания и схемы фильтра.
курсовая работа, добавлен 28.01.2016Применение сейсмических средств обнаружения (ССО) при организации охраны территории: достоинства и недостатки. Преобразование сейсмических колебаний грунта в электрические сигналы с помощью сейсмоприемников. Принцип действия сейсмических средств охраны.
реферат, добавлен 27.08.2009Расчет токов и напряжений для всех элементов схемы усилительного каскада с общим эмиттером с распределенной нагрузкой. Моделирование переходных и частотных характеристик каскада в ППП "MicroCap". Статический и усилительный режим работы транзистора.
курсовая работа, добавлен 26.02.2012Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Заданные характеристики усилителя. Расчет выходного каскада, каскадов предварительного усиления, выбор оконечного каскада, транзисторов, схемы. Формула расчета емкости конденсатора. Входная и выходная характеристики транзистора, разводка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 10.05.2009Анализ влияния напряжения питания на работу микроэлектронных устройств. Принцип действия и характеристика устройств контроля напряжения. Выбор типа микроконтроллера. Функции, выполняемые супервизором. Разработка алгоритма и структурной схемы устройства.
диссертация, добавлен 29.07.2015Определение предельных значений токов и напряжений в различных ветвях и точках схемы однофазного двухполупериодного выпрямителя с выводом от средней точки. Расчет диодов, напряжения вторичной обмотки и мощности трансформатора, сечения проводов обмоток.
контрольная работа, добавлен 04.02.2016Схема выпрямителя, график токов и напряжений. Фильтры, используемые в устройствах электропитания. Принципиальная схема выпрямителя. Выбор полупроводниковых диодов. Рекомендации по монтажу и модернизации схемы. Частота пульсаций выпрямленного напряжения.
реферат, добавлен 21.06.2015Конструирование структурной электрической схемы ИВЭП, расчет ее элементов, построение временных диаграмм, отражающих принцип действия источников вторичного электропитания. Разработки печатной платы и конструкции импульсного преобразователя напряжения.
курсовая работа, добавлен 14.04.2011Описание устройства регулятора напряжения. Основное назначение и область применения прибора. Рассмотрение особенностей регулятора на основе тиристоров, магнитных усилителей, транзисторов. Синхронный компенсатор: понятие, назначение, принцип работы.
реферат, добавлен 03.11.2015Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2009Ионный газоразрядный электровакуумный прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Принцип действия стабилитрона тлеющего разряда. Основные физические закономерности. Область стабилизации напряжения. Работа параметрического стабилизатора.
контрольная работа, добавлен 28.10.2011Схемы и переключающие функции автономных инверторов напряжения. Структура полумостовых, однофазных мостовых и трехфазных мостовых автономных инверторов напряжения. Работа трехфазного автономного инверторов напряжения на несимметричную нагрузку.
курсовая работа, добавлен 02.01.2018- 74. Электроника
Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка, добавлен 11.12.2012 Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций, добавлен 11.01.2013