Свойства полупроводников
Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
Подобные документы
Электроизмерительные приборы и измерение сопротивлений. Изучение электростатического поля и электростатической индукции. Определение емкости конденсатора по изучению его разряда. Температурная зависимость сопротивления проводников и полупроводников.
книга, добавлен 01.11.2008Явление перемещения жидкости в пористых телах под действием электрического поля. Электрокинетические явления в дисперсных системах. Уравнение Гельмгольца–Смолуховского для электроосмоса. Движение частиц дисперсной фазы в постоянном электрическом поле.
реферат, добавлен 10.05.2009Описание двухступенчатого BOSH-процесса. Классификация электрических разрядов в газе. Способы создания разряда постоянного тока. Движение электрона в постоянном электрическом поле в вакууме. Зависимость типа разряда от частоты отсечки ионов и электронов.
презентация, добавлен 02.10.2013Кристаллы - реальные твердые тела. Термодинамика точечных дефектов в кристаллах, их миграция, источники и стоки. Исследование дислокации, линейного дефекта кристаллической структуры твёрдых тел. Двумерные и трехмерные дефекты. Аморфные твердые тела.
доклад, добавлен 07.01.2015Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа, добавлен 22.10.2009Законы природы, строение атома и гравитация. Корпускулярно-волновой дуализм. Магнитное поле и электрический ток, шаровая молния. Процесс образования планет, их движение. Пространство и время. Математика и физический смысл. Модели протона и электрона.
эссе, добавлен 15.11.2012Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.
реферат, добавлен 26.06.2010Способы модифицирования перфторированных мембран. Преимущества проведения синтеза полианилина в матрице в условиях внешнего электрического поля. Параметры, позволяющие провести экономическую оценку эффективности данных мембран в электрическом поле.
курсовая работа, добавлен 18.07.2014- 59. Электростатика
Понятие электрического заряда, единица его измерения. Закон сохранения алгебраической суммы заряда в замкнутой системе. Перераспределение зарядов между телами при их электризации. Особенности взаимодействия зарядов. Основные свойства электрического поля.
презентация, добавлен 07.02.2015 Изучение наночастиц core-shell типа, созданных в макромолекулах жидкокристаллического дендримера поли (пропилен имина) второй генерации. Исследование динамики кристаллической решетки наночастиц методом ядерного гамма резонанса. Модель Дебая твердого тела.
курсовая работа, добавлен 21.06.2014Угловое распределение электронов, рассеянных никелевой пластинкой. Характеристика фазовой и групповой скоростей волн де Бройля. Функция состояния, математический образ. Волновая функция, частица в потенциальном поле. Нормальное состояние атома.
реферат, добавлен 13.01.2011Спектральный анализ, его достоинства и применение. Распределение энергии в спектре. Анализ общей структуры спектра атома гелия на основе принципа Паули. Определение собственных значений энергии системы из двух электронов, движущихся в поле атомного ядра.
контрольная работа, добавлен 30.07.2011Диэлектрики (изоляторы) — вещества, практически не проводящие электрический ток. Физические свойства: потери и пробой диэлектрика, поляризация во внешнем электрическом поле. Пьезоэлектрики: кварц, пьезоэлектрические преобразователи; пироэлектрики.
контрольная работа, добавлен 15.06.2014Понятие об электрическом токе. Изменение электрического поля вдоль проводов со скоростью распространения электромагнитной волны. Условия появления и существования тока проводимости. Вектор плотности тока. Классическая электронная теория проводимости.
презентация, добавлен 21.03.2014Наночастицы типа core-shell. Исследование динамики кристаллической решетки наночастиц методом ядерного гамма резонанса. Модель Дебая твёрдого тела. Применение модельно-зависимого метода к моделированию мёссбауэровских спектров магнитных наночастиц.
дипломная работа, добавлен 20.07.2014Уравнение Кеплера и движение вдоль орбиты. Задача двух тел: движение одного тела относительно другого и относительно центра масс. Формулировка ограниченной задачи трех тел. Движение в поле тяготения Земли. Условия появления искусственных спутников Земли.
презентация, добавлен 28.09.2013Тепловое движение частиц твердого тела. Развитие теории теплоемкости и теплопроводности кристаллической решетки материала. Основные механизмы переноса тепла в твердом теле. Фотоны. Фотонный газ. Электронная теплопроводность. Закон Видемана-Франца.
курсовая работа, добавлен 24.06.2008Сведения о колебаниях кристаллических решёток, функции, описывающие их физические величины. Кристаллографические системы координат. Расчет энергии взаимодействия атомов в ковалентных кристаллах, спектра колебаний кристаллической решётки вольфромата бария.
дипломная работа, добавлен 09.01.2014Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
реферат, добавлен 01.12.2010Эволюция представлений о строении атомов на примере моделей Эрнеста Резерфорда и Нильса Бора. Стационарные орбиты и энергетические уровни. Объяснение происхождения линейчатых спектров излучения и поглощения. Достоинства и недостатки теории Н. Бора.
реферат, добавлен 19.11.2014Классификация полупроводников по различным признакам, их разновидности и характеристика, отличительные черты. Порядок и схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. Динамические свойства аналоговых интегральных микросхем, порядок составления.
реферат, добавлен 03.04.2009- 72. Полупроводники
Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.
реферат, добавлен 28.07.2010 Особенности формирования катодолюминесцентного излучения. Генерация неравновесных носителей заряда, их движение и рекомбинация. Пространственное разрешение катодолюминесцентной микроскопии. Методика экспериментальных исследований, информативность сигнала.
реферат, добавлен 06.06.2011Физико-химические свойства халькогенидных металлов и стеклообразных полупроводников. Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge2Sb2Te5. Использование халькогенидных стекол в качестве фоточувствительного материала для записи и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 16.05.2016История открытия, механизм получения и применение графена, вид его кристаллической решетки и зонная структура. Линейный закон дисперсии для электронов, связь между циклотронной массой и энергетическим спектром. Сохранение хиральности и парадокс Клейна.
статья, добавлен 17.05.2011