Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
Подобные документы
Разработка импульсного лабораторного источника вторичного электропитания, предназначенного для питания лабораторных макетов и низковольтных устройств. Конструкторский анализ схемы и расчет характеристик надежности. Экономическое обоснование проекта.
дипломная работа, добавлен 11.03.2012Диод как электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Его вольт-амперная характеристика. Основные типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, переключающие, стабилитроны, сарикапы и диоды Шотки.
реферат, добавлен 22.02.2015Проектирование лабораторного стенда и методического комплекса для проведения лабораторных и практических работ. Выбор элементной базы. Сборка принципиальной схемы дешифратора на логических элементах в EWB512. Изготовление действующего макета устройства.
курсовая работа, добавлен 11.07.2015- 79. Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
Описание предметной области по основным характеристикам и частотным показателям качества системы автоматического управления, разработка структуры Интернет-подсистемы для исследования ее устойчивости. Изготовление эпитаксиально-планарного транзистора.
дипломная работа, добавлен 27.05.2013 Конструктивные особенности типовых элементов схемы: резисторов, конденсаторов, диодов, индикаторов, усилителей. Определение требований к печатной плате, расчет конструктивных параметров и надежности ее элементов. Технология поверхностного монтажа.
курсовая работа, добавлен 16.06.2011Сборка схемы дешифратора на логических элементах в EWB512. Проектирование монтажной схемы устройства и методического комплекса. Изготовление действующего макета устройства. Расчет стоимости лабораторного стенда и экономического эффекта ее внедрения.
дипломная работа, добавлен 24.06.2015Надежность электронных компонентов, туннельный пробой в них и методы его определения. Надежность металлизации и контактов интегральных схем, параметры их надежности. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем.
реферат, добавлен 10.12.2009Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Определение предельных значений токов и напряжений в различных ветвях и точках схемы однофазного двухполупериодного выпрямителя с выводом от средней точки. Расчет диодов, напряжения вторичной обмотки и мощности трансформатора, сечения проводов обмоток.
контрольная работа, добавлен 04.02.2016Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Принцип распространения звуковых волн в помещении и звукоизоляция. Акустические каналы утечки информации. Способы перехвата акустической (речевой) информации из выделенных помещений. Порядок проведения измерений с помощью шумомера АТЕ-9051, его настройка.
дипломная работа, добавлен 15.06.2013Разработка газодинамического стенда "Крокус" для создания многокомпонентных парогазовых смесей с задаваемыми уровнями концентраций каждого компонента. Управление блоками и устройствами стенда, схемы подключения. Принцип измерений тепловых расходомеров.
практическая работа, добавлен 25.11.2013Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.
контрольная работа, добавлен 15.11.2012Компоненты волоконно-оптических линий связи спектрального уплотнения. Сравнение систем плотного мультиплексирования. Описание лазерных диодов. Моделирование 8-ми канальной DWDM линии с применением системы автоматизированного проектирования LinkSim.
дипломная работа, добавлен 14.09.2011Рассмотрение сервисных функций мультиметра: измерение емкости и индуктивности, температуры, частоты; прозвонка; проверка полупроводниковых приборов и генерация простого тестового сигнала. Функциональная схема цифрового мультиметра АЦП серии 7106.
реферат, добавлен 08.05.2013Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.
лекция, добавлен 19.11.2008Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 22.11.2010Особенности работы теплоэлектростанций. Технико-экономическим характеристикам преобразователь типа ВЧРП-ТМ. Выбор частотного преобразователя, диодов и транзисторов. Анализ электромагнитной совместимости преобразователя частоты ВЧРП-ТМ и питающей сети.
курсовая работа, добавлен 06.05.2015Параметры оптических волокон. Методы измерения затухания, длины волны, расстояний, энергетического потенциала, дисперсии и потерь в волоконно-оптических линиях связи. Разработка лабораторного стенда "Измерение параметров волоконно-оптического тракта".
дипломная работа, добавлен 07.10.2013Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа, добавлен 27.07.2013Методы формирования и виды электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка транзисторов. Устройство полупроводниковых интегральных гибридных микросхем. Аноды и сетки электронных ламп. Питание цепей усилителя и стабилизация рабочей точки.
контрольная работа, добавлен 19.02.2012Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Выбор и обоснование структурной схемы лабораторного макета, расчет ее электрических параметров. Разработка RS-триггера на дискретных элементах (транзисторах). Асинхронный и синхронный RS-триггеры на логических элементах и интегральных микросхемах.
курсовая работа, добавлен 16.05.2012Особенности измерения основных напряжений выходных каналов блоков питания. Создание и описание стенда для тестирования БП АТХ разных форм-факторов, их совместимость. Оценка экономических характеристик разработки энергосбережения; требования безопасности.
дипломная работа, добавлен 15.06.2012