Расчет и проектирование динистора
Применение полупроводниковых приборов в радиоэлектронике. Типы тиристоров, понятие о динисторах, их вольтамперная характеристика и параметры, проектирование структуры. Виды и выбор полупроводникового материала. Время жизни неосновных носителей заряда.
Подобные документы
Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат, добавлен 14.03.2010Анализ технического задания. Оценка достоверности цифровой информации в канале связи. Выбор типа структурной схемы радиоприёмника. Разработка функциональной схемы. Применение приборов с переносом заряда. Проектирование схемы информационного тракта.
курсовая работа, добавлен 13.05.2009Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.
дипломная работа, добавлен 28.09.2014Характеристика свойств и параметров полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов и стабилитронов. Расчет стабилизаторов напряжения, выпрямителей с емкостным фильтром. Выбор стандартного трансформатора. Определение коэффициента полезного действия.
курсовая работа, добавлен 19.02.2013Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Конструктивные особенности и параметры полупроводниковых приборов для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Классификация диодов, транзисторов, тиристоров по основному рабочему материалу, принципу действия, частоте и мощности.
презентация, добавлен 03.05.2011Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2013Расчет и проектирование полупроводникового преобразователя электрической энергии. Проектирование принципиальной схемы управления данным ППЭЭ, основанной на цифровых микросхемах транзисторно-транзисторной логики: типы микросхем – К155АГ3 и К140УД7.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Описание принципа действия принципиальной электрической схемы устройства. Расчет параметров теплового режима блока и выбор радиаторов для охлаждения полупроводниковых приборов. Монтаж аппаратуры на печатных платах. Порядок сборки и эксплуатации.
курсовая работа, добавлен 16.05.2017Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2013Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009- 12. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа, добавлен 09.11.2010 Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат, добавлен 14.02.2003Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция, добавлен 15.03.2009Определение, виды и назначение тиристоров. Теоретическое и практическое описание принципа действия полупроводниковых приборов и их основных параметров. Упрощённые типичные схемы силовых частей управляемых выпрямителей, их достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 24.12.2011Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа, добавлен 08.05.2009Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа, добавлен 16.05.2013Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2014Операционные усилители: понятие и параметры. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе. Моделирование схем с помощью программы Elektronik Workbench. Выбор транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Проведение исследования области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Снятие осциллограммы входного и выходного напряжений. Проведение сравнительного анализа характера изменения входных и выходных напряжений.
контрольная работа, добавлен 02.12.2010Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.
курсовая работа, добавлен 22.08.2015