Расчёт электронно-дырочного перехода

Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

Подобные документы

  • Маршрут изготовления биполярных интегральных микросхем. Разработка интегральной микросхемы методом вертикального анизотропного травления с изоляцией диэлектриком и воздушной прослойкой. Комплекс химической обработки "Кубок", устройство и принцип работы.

    курсовая работа, добавлен 18.04.2016

  • Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.

    курсовая работа, добавлен 09.12.2015

  • Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.

    лекция, добавлен 24.01.2014

  • Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.

    курсовая работа, добавлен 24.03.2009

  • Расчёт оконечного каскада. Расчёт рабочей точки. Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто. Расчёт однонаправленной модели транзистора. Расчёт и выбор схемы термостабилизации. Расчёт ёмкостей и дросселей.

    курсовая работа, добавлен 01.03.2002

  • Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 08.11.2013

  • Расчёт оконечного каскада. Расчёт рабочей точки. Выбор транзистора и расчёт эквивалентных схем замещения. Расчёт и выбор схемы термостабилизации. Расчёт усилителя. Расчёт ёмкостей и дросселей. Схема электрическая принципиальная.

    курсовая работа, добавлен 02.03.2002

  • Особенности цоколевки электронно-оптических преобразователей, их селекция и контроль. Сборка узлов квантовых генераторов. Основные требования к оптической системе квантового генератора на твердом теле. Юстировка резонатора с вынесенными зеркалами.производ

    реферат, добавлен 12.12.2008

  • Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров. Вольт-амперные характеристики диодных и триодных тиристоров. Порядок включения тринисторов в цепях постоянного тока. Схема устройства, выполняющего функции дверного кодового замка.

    реферат, добавлен 25.06.2014

  • Высокочастотные амперметры, виды разверток и синхронизация в универсальном электронно-лучевом осциллографе. Электронно-счетный частотомер при измерении частоты СВЧ сигналов. Аналоговые измерители спектральной плотности мощности случайного сигнала.

    контрольная работа, добавлен 27.01.2010

  • Выбор и обоснование схемы рельсовой цепи, принцип действия и назначение её аппаратуры. Разработка двухниточного плана железнодорожной станции и определение режимов работы автоматического перехода перегонной рельсовой цепи. Надежность путевой автоматики.

    курсовая работа, добавлен 13.10.2014

  • Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 22.11.2010

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 05.06.2013

  • Спутниковая система навигации как комплексная электронно-техническая система, ее структура и содержание, назначение и функциональные особенности. Состав аппаратуры пользователя и правила ее применения. Принцип действия GPS и степень точности сигнала.

    курсовая работа, добавлен 16.11.2010

  • Расчет маломощного выпрямителя с ёмкостной нагрузкой. Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, определение его входных и выходных характеристик. Синтез цифровой комбинационной схемы. Расчёт параметрического стабилизатора напряжения.

    контрольная работа, добавлен 18.01.2012

  • Выбор схемы, описание принципа действия и расчёт автономного резонансного инвертора для промежуточного режима, "холодного" и "горячего" режимов, стабилизации напряжения на нагрузке, стабилизации мощности. Расчёт дросселя и согласующего трансформатора.

    курсовая работа, добавлен 16.07.2009

  • Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.

    лабораторная работа, добавлен 08.06.2023

  • Ионный газоразрядный электровакуумный прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Принцип действия стабилитрона тлеющего разряда. Основные физические закономерности. Область стабилизации напряжения. Работа параметрического стабилизатора.

    контрольная работа, добавлен 28.10.2011

  • Особенности и основные этапы производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Описание этапов планарно-эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых ИС. Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС.

    презентация, добавлен 24.05.2014

  • Общая характеристика, основные параметры и схематическое изображение электронно-лучевых трубок. Осциллографические электронные трубки. Передающие телевизионные трубки с накоплением зарядов: иконоскоп, супериконоскоп, ортикон, суперортикон, видикон.

    реферат, добавлен 29.05.2010

  • Определение числа каскадов. Распределение линейных искажений в области ВЧ. Расчёт выходного каскада. Расчёт входного каскада по постоянному току. Расчёт эквивалентной схемы транзистора. Расчёт корректирующих цепей. Расчёт разделительных ёмкостей.

    курсовая работа, добавлен 02.03.2002

  • Составление измерительных схем для снятия характеристик опто-электронных приборов, содержащих p-n-переходы; регистрация напряжений и токов. Значения параметров цепи, получение ВАХ p-n-перехода, определение параметров перехода, моделирование работы схемы.

    лабораторная работа, добавлен 23.12.2011

  • Определение числа каскадов. Распределение линейных искажений в области ВЧ. Расчёт выходного каскада. Расчёт предоконечного каскада. Расчёт входного каскада. Выбор транзистора. Расчёт цепей термостабилизации. Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей.

    курсовая работа, добавлен 01.03.2002

  • Технические характеристики, описание конструкции и принцип действия (по схеме электрической принципиальной). Выбор элементной базы. Расчёт печатной платы, обоснование ее компоновки и трассировки. Технология сборки и монтажа устройства. Расчет надежности.

    курсовая работа, добавлен 07.06.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.