Полупроводники
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
Подобные документы
Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Лабораторный стенд. Расчет параметров элемента фильтра по исходным данным. Схемы исследования фильтра с указанием параметров элемента. Таблица экспериментальных данных. Возможность изменения цвета проводников. Пассивные фильтры электрических сигналов.
лабораторная работа, добавлен 04.10.2008Анализ схемотехнических решений мультиметров, рассмотрение принципов работы устройства для проверки элементов, разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Меры безопасности при техническом обслуживании средств вычислительной техники.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие, добавлен 25.03.2009Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы стабилизатора постоянного напряжения. Защита полупроводниковых стабилизаторов напряжения на основе операционного усилителя от перегрузок по току и короткому замыканию. Расчет регулирующего элемента.
курсовая работа, добавлен 09.07.2014Основные частотные свойства структурных схем. Динамический диапазон обобщенной структуры устойчивых D-элементов. Собственная компенсация доминирующих параметров активных элементов. Базовый алгоритм структурного синтеза схем с собственной компенсацией.
магистерская работа, добавлен 08.03.2011Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.
реферат, добавлен 26.01.2013Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат, добавлен 03.02.2011Электрические свойства кабельных линий связи. Оценка процессов распространения электромагнитной энергии вдоль кабельной цепи. Измерение сопротивления цепи и ёмкости жил прибором. Волновое сопротивление. Рабочее затухание. Измерение параметров влияния.
контрольная работа, добавлен 16.05.2014Стабилизатор напряжения, его предназначение. Экспериментальное определение характеристик полупроводниковых параметрического и компенсационного интегрального стабилизатора напряжения постоянного тока. Определение мощности, рассеиваемой на стабилизаторе.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Описание принципиальной схемы автомата включения освещения. Анализ элементной базы и применяемых в устройстве полупроводниковых элементов. Габаритные размеры симистора КУ208Г. Микросхема К561ЛА7 логики КМОП, ее маркировка, распиновка, цоколевка и корпус.
курсовая работа, добавлен 28.12.2015Оптимизация конструкции охладителя для полупроводниковых приборов. Расчет и построение тепловых характеристик охладителя для естественного и принудительного воздушного охлаждения радиатора. Исходные данные, параметры и тепловой режим работы охладителя.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Выбор и обоснование варианта конструкции и материала сердечника, катушки, обмоточного провода, изоляционных материалов. Защита катушки сглаживающего дросселя от внешних воздействий. Расчет габаритных размеров, электрических и конструктивных параметров СД.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа, добавлен 07.06.2011Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 09.01.2009Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 20.11.2013Системы передачи информации с помощью радиотехнических и радиоэлектронных приборов. Понятие, классификация радиоволн, особенности их распространения и диапазон. Факторы, влияющие на дальность и качество радиоволн. Рефракция и интерференция радиоволн.
реферат, добавлен 27.03.2009Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа, добавлен 28.04.2013Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
курсовая работа, добавлен 31.05.2014Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009История развития и становления радиопередающих устройств, основные проблемы в их работе. Обобщенная структурная схема современного радиопередатчика. Классификация радиопередатчиков по разным признакам, диапазон частот как одна из характеристик приборов.
реферат, добавлен 29.04.2011Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Классификация воздействий в электрических цепях. Анализ линейных электрических цепей при гармонических воздействиях. Анализ параллельной цепи переменного тока. Напряжения, сопротивления и проводимости.
реферат, добавлен 07.04.2007Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.
презентация, добавлен 14.12.2013