Исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов
Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
Подобные документы
Анализ технического задания. Выбор способа изготовления печатной платы, расчет конструктивно-технологических параметров, выбор элементов и материалов, расчет надежности. Технологический процесс изготовления реле, операционная карта изготовления.
курсовая работа, добавлен 03.07.2008Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа, добавлен 13.11.2012Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа, добавлен 26.05.2010Выбор и обоснование структурной и принципиальной схемы стабилизатора постоянного напряжения. Защита полупроводниковых стабилизаторов напряжения на основе операционного усилителя от перегрузок по току и короткому замыканию. Расчет регулирующего элемента.
курсовая работа, добавлен 09.07.2014Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат, добавлен 20.12.2013Разработка принципиальной схемы и печатной платы СВЧ ГУН и квадратичного детектора в среде P-Cad. Монтаж печатных плат генератора и квадратичного детектора, анализ их характеристик. Метрологические характеристики установленных в устройство СВЧ-блоков.
дипломная работа, добавлен 15.07.2014Описание принципиальной схемы автомата включения освещения. Анализ элементной базы и применяемых в устройстве полупроводниковых элементов. Габаритные размеры симистора КУ208Г. Микросхема К561ЛА7 логики КМОП, ее маркировка, распиновка, цоколевка и корпус.
курсовая работа, добавлен 28.12.2015Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Этапы проектирование полупроводниковых интегральных микросхем. Составление фрагментов топологии заданного уровня. Минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Основные достоинства использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок.
презентация, добавлен 29.11.2013Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
контрольная работа, добавлен 19.03.2011Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа, добавлен 19.03.2012Определение уровня сыпучих материалов с помощью уровнемера. Анализ объекта исследований, методов и приборов для измерения уровня. Выбор и описание конструкции прибора. Произведение математической обработки результатов, проверка однородности наблюдений.
курсовая работа, добавлен 30.11.2014Рассмотрение синтеза структуры транзистора с использованием расчетных соотношений и параметров материалов, применяемых в производстве. Расчет кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов, их конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики.
курсовая работа, добавлен 21.09.2010Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.
курс лекций, добавлен 13.12.2009Модель электрофизических параметров атмосферы. Расчет фазовых искажений сигнала при прохождении через тропосферную радиолинию. Применение линейной частотной модуляции при зондировании. Моделирование параметров радиосигнала после прохождения атмосферы.
дипломная работа, добавлен 15.01.2012Материалы для изготовления оптических деталей, их оптические характеристики. Обработка деталей оптических приборов. Нормируемые показатели качества оптического стекла. Пороки стекла. Цветное оптическое стекло, его типы. Кварцевое оптическое стекло.
реферат, добавлен 22.11.2008Паяные электрические соединения: применение, критерии объективной оценки их качества. Конструкция паяных электромонтажных соединений. Технология изготовления основы жесткого магнитного диска, состав ферролака. Виды и назначение коммутационных устройств.
контрольная работа, добавлен 29.07.2010Понятие и общая характеристика приборов - излучателей или приемников электромагнитных волн. Описание детекторных радиоприемников, принципы работы диода и триода. Устройство транзистора, свойства полупроводников, особенности возникновения p-n перехода.
реферат, добавлен 17.03.2011Физические и математические законы функционирования мемристоров. Симметрия резистора, индуктора, конденсатора и мемристора. Обзор материалов с эффектом памяти: твердых электролитов и халькогенидов. Архитектура, основанная на мемристивной системе.
реферат, добавлен 19.05.2017Криоэлектроника (криогенная электроника) – направление электроники и микроэлектроники, охватывающее исследование взаимодействия электромагнитного поля с электронами в твердых телах при криогенных температурах и создание электронных приборов на их основе.
реферат, добавлен 30.12.2008Физические принципы функционирования электронных приборов. Дефекты реальных кристаллов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Принцип работы биполярных транзисторов. Поверхностные явления в полупроводниках.
контрольная работа, добавлен 04.10.2010- 122. Основы теории цепей
Общая характеристика способов представления и параметров. Элементы R,L,C в цепи синусоидального тока. Специфика алгебры комплексных чисел, формы их представления. Особенности символического метода, его применение. Законы цепей в символической форме.
реферат, добавлен 03.12.2010 Особенности применения: автоколлимационной трубы, динаметров, прибора Юдина, апертометра Аббе. Широкоугольные коллиматоры. Параметры гониометра. Ошибки изготовления оптических деталей приборов и их влияние на отклонение параметров оптических систем.
реферат, добавлен 12.12.2008Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа, добавлен 02.06.2011- 125. Исследование нелинейно-оптических процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников
Кремний как материал современной электроники. Способы получения пористых полупроводников на примере кремния. Анализ процесса формирования, методов исследования, линейных и нелинейных процессов в неоднородных средах на основе пористых полупроводников.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014