Технология изготовления кристаллов полупроводниковых интегральных микросхем
Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
Подобные документы
- 101. Разработка конструкции и технологии изготовления усилителя низкой частоты в интегральном исполнении
Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.
курсовая работа, добавлен 26.11.2014 Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа, добавлен 07.06.2011Цифровые автоматы - логические устройства, в которых помимо логических элементов имеются элементы памяти. Разработка микропрограммного цифрового автомата на основе микросхем малой степени интеграции. Синтез преобразователя кода и цифровая индикация.
курсовая работа, добавлен 26.05.2012Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат, добавлен 06.01.2009Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.
курсовая работа, добавлен 09.12.2015Комплекс материалов, использующихся на предприятии ККБ "Искра" для изготовления различных элементов СВЧ и микросборок. Способы компоновки изделий на производстве. Получение рисунка плат и ознакомление с системами автоматизированного проектирования.
отчет по практике, добавлен 08.05.2009Переход на субмикронную и частично глубокую субмикронную технологии. Системы на кристалле, в корпусе и на подложке. Базовые технологии и их ограничения. Проектирование микросхем с низковольтным питанием. Микросхемотехника аналого-цифровых СФ блоков.
реферат, добавлен 03.03.2011Открытие жидких кристаллов. Сфера применения жидких кристаллов. Дисплеи на жидких кристаллах. Изготовление интегральных схем. Жидкокристаллические телевизоры. О будущих применениях жидких кристаллов. Жидкокристаллические фильтры.
реферат, добавлен 08.04.2005Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Бескопрусная технология как реализация минимизации площади. ТАВ-технология и бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях.
реферат, добавлен 13.06.2012Анализ и назначение сверхбольших интегральных схем программируемой логики. Сущность, особенности, структура и классификация микропроцессоров. Общая характеристика и задачи системы автоматизированного проектирования матричных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 31.05.2010Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа, добавлен 22.05.2015Интегральные микросхемы: сведения, классификация, условно-графическое обозначение, маркировка. Условные обозначения микросхем, основные электрические параметры, базовые логические элементы. Регистры, счетчики, дешифраторы, триггеры, аппараты защиты.
лекция, добавлен 20.01.2010Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа, добавлен 17.05.2013- 114. Логические элементы
Изучение представления о булевой алгебре. Сравнительная оценка базовых логических элементов. Устройство и принцип работы резисторно–емкостной транзисторной и транзисторно–транзисторной логики с диодами Шоттки. Примеры и характеристики серии микросхем.
контрольная работа, добавлен 24.11.2015 Методика разбиения диапазона частот на поддиапазоны. Особенности расширения полосы пропускания приемника за счет нестабильности частоты передатчика. Технология проверки правильности выбора транзистора. Параметры и схемы включения микросхем серии К226.
курсовая работа, добавлен 01.12.2010Технические характеристики ИС, необходимые для успешного применения ИС ТТЛ в электронной вычислительной аппаратуре. Порядок и методы обеспечения помехоустойчивости, ее разновидности и характеристика, способы повышения. Правила электромонтажа ИС ТТЛ.
учебное пособие, добавлен 15.04.2009Форма поля в магнитных линзах. Магнитная отклоняющая система. Недостатки электростатической и магнитной систем отклонения. Технология изготовления колбы и экрана, его люминофорное покрытие. Заключительные операции изготовления электронно-лучевых трубок.
курсовая работа, добавлен 20.05.2014Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция, добавлен 20.01.2010Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2013Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция, добавлен 19.11.2008Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
лабораторная работа, добавлен 24.06.2015Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2016Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа, добавлен 19.10.2009Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа, добавлен 13.03.2013