Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е

Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.

Подобные документы

  • Понятие и задачи идентификации. Анализ аналитических и экспериментальных методов получения математических моделей технологических объектов управления. Формализация дискретных последовательностей операций (технологических циклов изготовления продукции).

    курсовая работа, добавлен 06.12.2010

  • Принцип действия, назначение и режимы работы биполярных транзисторов. Режим покоя в каскаде с общим эмиттером. Выбор типа усилительного каскада по показателям мощности, рассеиваемой на коллекторе. Расчет сопротивления резистора базового делителя.

    курсовая работа, добавлен 02.07.2014

  • Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2014

  • Классификация ЛЭ двухступенчатой логики на биполярных транзисторах. Транзисторно-транзисторные ИМС (TTL). Базовая схема элемента T-TTL, его модификации. Характеристика ЛЭ на полевых МДП-транзисторах. Сравнение ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах.

    реферат, добавлен 12.06.2009

  • Разработка полупроводникового усилителя для управления приводным двигателем следящей системы: проведение расчета оконечного, предоконечного и входного каскадов, выбор резисторов эмитерных цепей и транзисторов. Расчет емкостей реактивных элементов.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2011

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа, добавлен 17.03.2015

  • Использование транзистора для обозначения портативных радиовещательных приемников на полупроводниковых приборах. Особенности субмикронных МОП-транзисторов. Уравнение электронейтральности для зарядов на единицу площади. Принцип действия МДП-транзистора.

    реферат, добавлен 12.01.2010

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация, добавлен 29.05.2010

  • Разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Расчет двухкаскадной схемы усилителя низкой частоты с использованием полевого и биполярного транзисторов. Выбор навесных элементов и определение конфигурации пленочных элементов усилителя частоты.

    курсовая работа, добавлен 22.03.2014

  • Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 10.02.2016

  • Характеристики используемого транзистора. Схема цепи питания, стабилизации режима работы, нагрузочной прямой. Определение величин эквивалентной схемы, граничной и предельных частот, сопротивления нагрузки , динамических параметров усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 09.06.2010

  • Разработка технологических процессов соответственно к единой системе подготовки производства измерителя H21э транзисторов. Анализ типа, условий и годовой программы выпуска. Маршрут конструкторской схемы сборки, выбор оборудования, оптимизация монтажа.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2011

  • Частота усиливаемых сигналов, дифференциальные параметры транзисторов, их равенство низкочастотным значениям. Определение сквозного коэффициента усиления по напряжению. Режимы короткого замыкания и холостого хода, входное и выходное сопротивление.

    курсовая работа, добавлен 25.08.2012

  • Методы моделирования характеристик КМОП транзисторов с учетом высокочастотных эффектов. Проектирование высокочастотного усилителя на МОП транзисторе с использованием S-параметров. Сравнение измеренных и рассчитанных характеристик усилителя на транзисторе.

    дипломная работа, добавлен 30.09.2016

  • Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.

    курсовая работа, добавлен 12.12.2011

  • Усилитель звуковых частот. Расчёт оконечного каскада. Выбор транзисторов по допустимой мощности рассеяния на коллекторе и максимальной амплитуде коллекторного тока. Выбор входного транзистора, расчет входных элементов. Расчет мощности элементов схемы.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2016

  • Понятие моделей источников цифровых сигналов. Программы схемотехнического моделирования цифровых устройств. Настройка параметров моделирования. Определение максимального быстродействия. Модели цифровых компонентов, основные методы их разработки.

    курсовая работа, добавлен 12.11.2014

  • Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.

    реферат, добавлен 05.02.2009

  • Параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе. Принципиальная схема усилительного каскада. Величина сопротивления в цепи термостабилизации. Элементы делителя напряжения в цепи. Входное сопротивление переменному току транзистора в точке покоя.

    контрольная работа, добавлен 02.08.2009

  • Расчёт параметров усилителя, анализ различных схем термостабилизации. Характеристика эквивалентных моделей транзистора. Параметры схемы Джиаколетто. Определение эмиттерной коррекции, схемы термостабилизации. Расчет результирующего коэффициента усиления.

    курсовая работа, добавлен 25.04.2015

  • Выбор и расчет параметров функциональных схем приемной и передающей частей канала. Расчет усилителя мощности радиочастоты. Y-параметры для каскадного включения транзисторов. Расчет режима автогенератора. Принципиальная схема передающей части канала.

    курсовая работа, добавлен 12.02.2013

  • Разработка диапазонного радиопередатчика, его параметры. Использование транзисторов в качестве активных усилительных элементов на данных частотах и мощностях во всех каскадах. Структурная схема передатчика, включения модуляции. Выбор согласующихся цепей.

    курсовая работа, добавлен 27.03.2013

  • Выбор схемы выходного каскада. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор и расчет выпрямителя, блока питания и схемы фильтра.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2016

  • Методика и основные этапы проектирования усилителя низкой частоты на основе полупроводниковых приборов. Расчет оконечного каскада, принципы и обоснование выборов транзисторов. Определение параметров входного каскада. Расчет надежности устройства.

    контрольная работа, добавлен 15.11.2012

  • Разработка усилителя в однокристальном исполнении. Использование полевых транзисторов в качестве активных элементов. Обеспечение минимизации дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот. Влияние входного сопротивления на коэффициент шума.

    контрольная работа, добавлен 24.05.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.