Трехмерные транзисторы
Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.
Подобные документы
Основы схемотехники аналоговых электронных устройств. Расчет физических малосигнальных параметров П-образной схемы замещения биполярного транзистора, оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов для усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 10.02.2016Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 01.10.2014Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат, добавлен 29.10.2011Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 15.07.2012История открытия, классификация транзисторов по структуре (биполярные, полевые, однопереходные и криогенные), мощности, исполнению, материалу (пластик, полимеры). Особенности металлических и полимерных транзисторов и их сравнительная характеристика.
презентация, добавлен 06.03.2015Использование радиопередатчика с частотной модуляцией для связи между группами людей и обоснование его структурной схемы: один генератор, умножительные и усилительные каскады. Расчет электронного режима транзистора и выбор типа кварцевого резонатора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2011Назначение и техническая характеристика устройства "Простой бегущий огонек". Разработка электрической схемы в программе МультиСим. Травление микросхемы и выпаивания на ней нужные элементы. Использование транзистора для усиления электрических сигналов.
контрольная работа, добавлен 15.09.2014Понятие и характеристика базовых аналоговых вычислительных устройств. Разработка в среде Multisim схемы сумматора, интегратора, дифференциатора, а также схемы для моделирования абсорбционных процессов в конденсаторах. Построение графиков их испытаний.
реферат, добавлен 11.01.2012Использование аппаратных и программных средств в устройствах обработки информации. Организация взаимодействия устройств, входящих в систему, при помощи микропроцессора. Описание микроконтроллера, процессорного блока, адаптера параллельного интерфейса.
курсовая работа, добавлен 18.09.2010Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.
контрольная работа, добавлен 21.02.2016Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
реферат, добавлен 05.08.2009Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация, добавлен 06.06.2013Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка, добавлен 02.12.2010Биполярные транзисторы с изолированным затвором (РТ) новой технологии (IGBT) против полевых МОП транзисторов. Улучшенные динамические характеристики. Рабочие частоты и токи. Положительный температурный коэффициент. Потери проводимости и переключения.
статья, добавлен 27.09.2009Описание процесса термического окисления, цели его проведения и применяемое оборудование. Краткая характеристика и общее строение интегральной микросхемы. Последовательность формирования изолированных областей в изопланарной структуре транзистора.
реферат, добавлен 07.01.2011Понятие и общая характеристика приборов - излучателей или приемников электромагнитных волн. Описание детекторных радиоприемников, принципы работы диода и триода. Устройство транзистора, свойства полупроводников, особенности возникновения p-n перехода.
реферат, добавлен 17.03.2011Функциональная схема синтезатора частот. Электрический расчёт автогенератора. Выбор транзистора. Определение амплитуды напряжения на нагрузке коллекторной цепи. Расчет насыщенного симметричного триггера, построенного по типовой схеме мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 12.10.2013Вариант применения персональных компьютеров (ПК) для решения задач вторичной обработки радиолокационной информации. Сравнительный анализ используемых и предлагаемых алгоритмов. Схемы устройств для сопряжения ПК с цифровой станцией 55Ж6; расчет затрат.
дипломная работа, добавлен 27.06.2011Розгляд будови та принципу роботи ключів на прикладі біполярного транзистора із спільним емітером. Вивчення особливостей МДН-транзисторів із резистивним, динамічним та комплементарним навантаженням. Аналіз режимів автоколивального мультивібратора.
реферат, добавлен 30.01.2010Электрическая принципиальная схема измерительного устройства. Расчет полевого транзистора, емкостей конденсаторов на входе и выходе каскада и в цепи эмиттера. Определение эффективности прибора. Возможные неисправности, их причины и методы устранения.
курсовая работа, добавлен 30.06.2014Описание и сравнительный анализ непосредственных преобразователей постоянного напряжения всех типов. Заряд и разряд индуктивности. Определение минимальной и максимальной величин коэффициента заполнения импульсов. Выбор модулятора биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 12.01.2015Анализ технического задания и описание электрической схемы. Особенности данного типа микропроцессора (PIC12F675). Обоснование выбора транзистора, диодов, резистора, конденсатора и микросхем. Расчет надежности, узкого места и катушки индуктивности.
дипломная работа, добавлен 18.02.2009Измерение напряжения на базе, коллекторе и эмиттере транзистора относительно общего провода. Построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному токам. Определение линейных искажений, вносимых порознь разделительными и блокировочной емкостями.
лабораторная работа, добавлен 22.11.2012Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
курсовая работа, добавлен 16.02.2010Методика разбиения диапазона частот на поддиапазоны. Особенности расширения полосы пропускания приемника за счет нестабильности частоты передатчика. Технология проверки правильности выбора транзистора. Параметры и схемы включения микросхем серии К226.
курсовая работа, добавлен 01.12.2010