Расчёт электронно-дырочного перехода
Диоды на основе электронно-дырочного перехода. Режимы работы диода. Технология изготовления электронно-дырочного перехода. Анализ диффузионных процессов. Расчет максимальной рассеиваемой мощности корпуса диода. Тепловое сопротивление корпуса диода.
Подобные документы
Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа, добавлен 18.12.2009Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2016Классификация фильтров по виду их амплитудно-частотных характеристик. Разработка принципиальных схем функциональных узлов. Расчет электромагнитного фильтра для разъединения электронных пучков. Определение активного сопротивления фазы выпрямителя и диода.
курсовая работа, добавлен 11.12.2012Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.
реферат, добавлен 07.01.2009- 30. Туннельный диод
Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.
реферат, добавлен 02.02.2012 Общая характеристика, основные параметры и схематическое изображение электронно-лучевых трубок. Осциллографические электронные трубки. Передающие телевизионные трубки с накоплением зарядов: иконоскоп, супериконоскоп, ортикон, суперортикон, видикон.
реферат, добавлен 29.05.2010Особенности цоколевки электронно-оптических преобразователей, их селекция и контроль. Сборка узлов квантовых генераторов. Основные требования к оптической системе квантового генератора на твердом теле. Юстировка резонатора с вынесенными зеркалами.производ
реферат, добавлен 12.12.2008Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа, добавлен 17.03.2015Физические явления в переключательных p-i-n-диодах - основных элементов высокоскоростных СВЧ-модуляторов. Технология, структура и требования к параметрам полупроводникового материала. Методы создания p-i-n-структур, конструкции и способы сборки.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Эскизный расчёт напряжения, токи каналов на выходе источника. Выбор номинала токоограничивающего резистора, выбор ёмкости выходного конденсатора и выпрямительного диода основного канала. Расчет элементов частотозадающей и обратной связи напряжения.
курсовая работа, добавлен 25.03.2012Выбор и обоснование схемы рельсовой цепи, принцип действия и назначение её аппаратуры. Разработка двухниточного плана железнодорожной станции и определение режимов работы автоматического перехода перегонной рельсовой цепи. Надежность путевой автоматики.
курсовая работа, добавлен 13.10.2014Анализ динамики электрокожного сопротивления. Система электрод-кожа как комплексное сопротивление, которое значительно влияет на результаты конечных измерений. Работа электронно-вычислительной машины. Методы исследования электрической активности кожи.
дипломная работа, добавлен 20.03.2011Физические модели p-n переходов в равновесном состоянии и при электрическом смещении. Влияние процессов генерации-рекомбинации на вид ВАХ для PSPICE модели полупроводникового диода, связь концентрации и температуры с равновесной барьерной емкостью.
лабораторная работа, добавлен 31.10.2009Расчет схем, параметров транзистора, выпрямителя, тока и напряжения на диоде. Выявление особенностей работы диода и стабилитрона. Определение переходного процесса в цепи с нелинейным элементом и построение графиков. Нахождение положения рабочей точки.
курсовая работа, добавлен 26.01.2015- 41. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.
курсовая работа, добавлен 21.11.2014 Разработка функциональной и принципиальной схемы контактора. Расчет силовой части устройства: выбор варистора и диодного моста, фильтровых конденсаторов. Расчет параметров силового диода и расчет тепловой загрузки. Источник питания системы управления.
дипломная работа, добавлен 08.11.2011Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция, добавлен 17.02.2011Расчет схемы частотного дробного детектора. Определение типа вакуумного и полупроводникового диода. Выбор средства обеспечения избирательности супергетеродинного приемника по зеркальному и соседнему каналам. Ослабление одиночного колебательного контура.
контрольная работа, добавлен 19.04.2012Комплексный электрический расчет усилителя, оценка его надежности и разработка конструктивного чертежа устройства. Вольтамперная характеристика диода КД-514А. Определение искажения в предоканечном каскаде. Расчет коэффициента линейных искажений.
курсовая работа, добавлен 10.01.2015Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.
контрольная работа, добавлен 04.01.2011Выбор электродвигателя, кинематический расчёт. Расчёт цепной передачи, закрытой цилиндрической передачи, элементов корпуса. Предварительный расчёт диаметров валов. Конструктивные размеры шестерни и колеса. Расчёт реакций опор и изгибающих моментов.
курсовая работа, добавлен 27.09.2010Математические модели радиоэлектронных элементов. Частотные характеристики испытуемых резисторов номиналом. Анализ технической прогрессивности новой конструкции РЭА. Расчет площади и габаритов платы, теплового режима ИКУ. Частотные параметры диода.
дипломная работа, добавлен 07.03.2009Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа, добавлен 02.08.2009Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа, добавлен 11.11.2010