Теоретичні положення і методичні вказівки до виконання лабораторних робіт
Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.
Подобные документы
Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013Експериментальне дослідження та комп’ютерне моделювання вихідних і світлових діодних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію з p+-i-n+ структурою. Аналіз електронної моделі перетворювача.
статья, добавлен 23.12.2016Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Дослідження взаємодії компонентів активної речовини МПЕ. Фізико-хімічні та емісійні властивості металевопористих емітерів з додаванням скандію. Особливості розробки фізичної моделі їхньої робочої поверхні, яка впливає на вольт-амперні характеристики.
автореферат, добавлен 30.08.2014Математична модель багатопроменевої сферичної дзеркальної антени зі спіральними випромінювачами різної конфігурації. Геометричні параметри випромінювача та його положення щодо дзеркала. Дослідження характеристик вхідного опору спіральних структур.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 34. Тиристори
Будова, види та принципи дії тиристорів - напівпровідникових приладів вентильного типу, які відкривається для пропускання електричного струму при досягненні певного порогового значення напруги. Використання тиристорів в електричному колі, їх захист.
реферат, добавлен 21.12.2020 Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Особливість підготовки монтажних робіт до виробництва. Аналіз виконання пусконалагоджувальних робіт. Приєднання однодротових мідних жил проводів та кабелів до нерухомих елементів приладів. Перевірка засобів автоматизації, що приймаються в монтаж.
реферат, добавлен 28.01.2016Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Проектування топології мікросхеми та вихідні дані. Проектування напівпровідникової мікросхеми та вибір конструкції активних елементів. Розрахунки пасивних елементів та площі кристалу, тонкоплівкових резисторів та особливості паразитних зв’язків.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослiдження температурного поля силових напiвпровiдникових приладiв при дiї струмового iмпульсу довiльної форми. Інженерна методика розрахунку, що дозволяє розраховувати тепловий режим роботи напiвпровiдникових приладiв у складi електронних апаратiв.
статья, добавлен 27.07.2016Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014Класифікація (радіокристалічні, іонні, дипольні), основні властивості та технічні характеристики сегнетоелектриків. Мікроскопічний механізм спонтанної поляризації, застосування оптичних кристалів та п'єзоелектричних перетворювачів в електроніці.
реферат, добавлен 08.11.2015Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Передумови інтенсивного розвитку фотоелектрики у 50-х рр. ХХ ст. Досягнення в розробці кремнієвих транзисторів. Вирішення конструктивно-технологічних питань К. Фуллером, Д. Пірсоном та Д. Чапіном у створенні фотоелектричних кремнієвих перетворювачів.
статья, добавлен 27.03.2018