Исследование полупроводниковых диодов

Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

Подобные документы

  • Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.

    реферат, добавлен 26.03.2011

  • Определение мощности нагрузки выпрямителя. Расчет активного сопротивления трансформатора. Выбор типа вентилей для однофазной мостовой схемы выпрямления. Расчет нагрузочной характеристики. Принципиальная электрическая схема, нагрузочная схема выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 28.01.2018

  • Создание схемы неуправляемого выпрямителя, временных диаграмм напряжений переменного тока на входе выпрямителя и напряжения на выходе выпрямителя. Схема трехфазного однотактного неуправляемого выпрямителя. Расчет напряжения на закрытом вентиле.

    практическая работа, добавлен 20.04.2020

  • Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.

    презентация, добавлен 21.03.2022

  • Блок-схема однофазного источника вторичного питания. Анализ технического задания и разработка принципиальной схемы. Расчёт стабилизатора, сглаживающего фильтра и выпрямителя. Состав и основные параметры выпрямителей. Основные параметры вентилей в схемах.

    контрольная работа, добавлен 14.01.2015

  • Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.

    лабораторная работа, добавлен 28.06.2015

  • Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.

    курсовая работа, добавлен 11.01.2016

  • Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.

    курс лекций, добавлен 02.03.2017

  • Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.

    контрольная работа, добавлен 26.09.2017

  • Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.

    реферат, добавлен 17.06.2015

  • Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 16.04.2015

  • Малосигнальная эквивалентная схема варикапа. Изучение особенности конструирования, функциональные зависимости параметров варикапов и методы их измерения. Параметрические усиления слабых сигналов и фототоков, электронная настройка контуров и фильтров.

    реферат, добавлен 19.12.2013

  • Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.

    методичка, добавлен 24.03.2014

  • История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.

    реферат, добавлен 15.04.2010

  • Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.

    реферат, добавлен 24.05.2015

  • Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.

    контрольная работа, добавлен 17.12.2011

  • Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.

    курсовая работа, добавлен 18.05.2014

  • Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).

    презентация, добавлен 27.04.2023

  • Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.

    автореферат, добавлен 14.04.2018

  • Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.

    книга, добавлен 19.03.2015

  • Выбор трансформатора по стандартной шкале мощностей. Типы вентилей с воздушным охлаждением для выпрямителя и инвертора, параметры вентильных плеч. Схема выравнивания токов в параллельных ветвях вентильных плеч соответственно для выпрямителя и инвертора.

    курсовая работа, добавлен 11.08.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.