Современные технологии кварцевых тиглей для металлургии монокристаллического кремния
Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
Подобные документы
Влияние лазерного вещества на конструкцию фотоэлемента из тонких пленок оксида цинка, аморфного кремния на стекле. Моделирование рекристаллизации в твердофазном состоянии. Взаимодействие поверхности кремния при воздействии импульсного лазерного излучения.
статья, добавлен 30.07.2017Обзор средств визуализации упругих свойств кубических кристаллов на основании матрицы упругих постоянных. Использованы данные измерений Сij кубических монокристаллов TiNi, известных мартенситными превращениями, эффектами памяти формы и сверхэластичности.
статья, добавлен 03.12.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Пироэлектричество – одно из интереснейших физических явлений, наблюдаемых в кристаллах. Действие основных законов кристаллофизики, рассматривающих взаимосвязь симметрии кристаллов и физических явлений. Взаимодействие различных свойств кристаллов.
реферат, добавлен 13.04.2023Определение физических свойств (гомогенность, анизотропия), форм и видов кристаллографического вещества. Выведение понятия сингонии из законов симметрии и геометрического осевого отношения. Методы распознавания двойников по входящим углам у кристаллов.
реферат, добавлен 26.08.2010Метод анализа водорода в конструкционных материалах реакторов. Расшифровка энергетических спектров электронов, отраженных от данного образца. Анализ слоев аморфного гидрогенизированного углерода, нанесенных на поверхность монокристаллического кремния.
статья, добавлен 02.11.2018Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
статья, добавлен 14.11.2013Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Рассеяние света в однородных кристаллах. Изучение характеристик однородных и слоистых кристаллов ниобата лития с различным содержанием примесей методом спектроскопии спонтанного параметрического рассеяния. Четырехфотонное рассеяние света на поляритонах.
реферат, добавлен 30.09.2013Схема фотоэлектрического модуля на основе кремниевого матричного солнечного элемента с линзой Френеля в качестве концентратора. Бесхлорная технология получения кремния для МСЭ. Глобальная солнечная энергетическая система. Использование энергии биомассы.
статья, добавлен 02.02.2019Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
реферат, добавлен 24.12.2016Рассмотрение кремния как элемента, обладающего полупроводниковыми свойствами. Изучение технологии изготовления кремниевого фотоэлемента. Характеристика конструкции солнечных батарей. Эффективность солнечных батарей в России, оценка перспективы развития.
реферат, добавлен 19.01.2017- 39. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Топки для сжигания каменных и бурых углей по низкотемпературной вихревой технологии. Характеристика топки для сжигания различных видов твердого топлива по ВЦКС-технологии (высокотемпературного циркулирующего кипящего слоя). Топки для сжигания биотоплива.
статья, добавлен 30.01.2017Матричные солнечные элементы первого, второго и третьего поколения на основе монокристаллического кремния с КПД более 25%. Основные методики исследований МСЭ при солнечном освещении. Методика исследований МСЭ при освещении импульсным имитатором.
презентация, добавлен 00.00.0000Общая характеристика, методы получения и области применения графена. Теоретические и экспериментальные исследования его свойств. Отличия свойств материала от других двумерных структур. Исследование кристаллической решетки, проводимости и эффекта Холла.
контрольная работа, добавлен 27.06.2013Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Влияние закалки на термолюминесценцию кристаллов фтористого натрия чистого и с примесью церия. Связь между радиационными центрами и пиками термолюминесценции. Легирование кристаллов и их закалка, образование в них центров окраски в большем количестве.
статья, добавлен 20.05.2018Изготовление тепловых интерференционных фильтров на основе слоев двуокиси гафния с показателем преломления n = 2,0 и двуокиси кремния с n = 1,45. Разработка фильтров с высоким пропусканием в видимой области спектра за счет использования слоев кремния.
творческая работа, добавлен 30.11.2018- 46. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Измерение размеров силицидов кобальта, образующихся при диффузионном легировании кремния атомами кобальта методом малоуглового рассеяния излучения лазера. Специфика образования силицидов кобальта размерами 0,8-30 мкм в приповерхностной области кремния.
статья, добавлен 22.06.2015Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Понятие, сущность и предназначение калориметрии. Особенности процесса адаптации новой методики исследования систем с летучими компонентами с использованием вакуумированных кварцевых ампул. Влияние дисперсности порошка на точность измерения теплоты.
реферат, добавлен 11.06.2016Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013