Электронные приборы
Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
Подобные документы
Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Общие сведения об электровакуумных приборах СВЧ, их особенности и классификация. Применение метода эквивалентных схем для анализа СВЧ приборов. Приборы с электростатическим управлением электронным потоком. Диод в качестве СВЧ генератора, монотрон.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Разработка методики моделирования физических процессов в устройствах электроники. Анализ метода холодного моделирования. Характеристика реализации в конкретных современных устройствах схем с металлодиэлектрическими структурами для сверхвысоких частот.
статья, добавлен 13.01.2020Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.
реферат, добавлен 22.08.2015- 56. Электроника
Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые приборы: физические основы работы, параметры, модели, применение. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем. Приборы вакуумной электроники.
презентация, добавлен 23.01.2014 Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.
курсовая работа, добавлен 29.06.2015Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Возникновение и основные этапы развития электроники как науки о взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
доклад, добавлен 22.12.2019Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Проект устройства индикации температуры и продолжительности процедур в медицинской технике. Назначение, применение и технические параметры индикатора. Выбор элементной базы. Расчет элементов электрической принципиальной схемы; экономическое обоснование.
дипломная работа, добавлен 03.04.2016Аналоговые устройства регистрации. Модули записи временных графиков на визуальные носители. Цифровые электронные приборы. Принцип работы тепловизора, направления его использования. Устройство осциллографа и его применение в исследовательских целях.
доклад, добавлен 28.11.2013Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Ознакомление с принципами устройства полупроводниковой электроники. Классификация и особенности применения аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Специфика технологических этапов проектирования радиоэлектронных средств коммуникации и связи.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013История создания электронного усилителя. Структура усилителя. Температурная стабилизация усилителя для выравнивания частотной характеристики. Аналоговые и цифровые усилители. Электронные приборы медицинской диагностики. Современные электрокардиографы.
реферат, добавлен 15.04.2012Классификация электронных ключей по способу подачи сигналов. Электронные ключи на полупроводниковых диодах. Схемы ключей на биполярных транзисторах. Логические элементы и логические интегральные схемы. Переход ключа из разомкнутого состояния в замкнутое.
реферат, добавлен 28.06.2015Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014- 72. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Описание электрических и магнитных цепей. Основы электроники. Анализ электрических цепей. Электрические цепи переменного тока. Методы расчета параметров элементов промышленной электроники. Общие принципы работы электронных усилителей. Трансформаторы.
методичка, добавлен 23.10.2008Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017