Расчет полевого транзистора с изолированным затвором
Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
Подобные документы
Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Определение запаса напряжения, связанного с нелинейностью выходных вольтамперных характеристик транзистора. Методы графического расчета усилительного каскада. Исследование частотных характеристик усилителя. Вычисление возможного ухода рабочего тока.
курсовая работа, добавлен 15.09.2015Определение максимального, среднего и минимального напряжения на входе. Расчет схемы сравнения и источника опорного напряжения. Расчет схемы защиты от перегруза. Выбор регулирующего транзистора. Расчет параметров стабилизатора напряжения постоянного тока.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Изучение особенностей строения схемы транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы. Аналитический расчет параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Расчет параметров транзистора в рабочей точке и вычисление сопротивления эквивалентного генератора. Емкость блокировочного конденсатора промежуточного каскада, его максимально достижимая площадь усиления. Построение амплитудно-частотных характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.06.2018Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Фактор, влияющий на характеристики усилителя в области высоких частот. Граничная частота передачи тока базы. Семейство выходных характеристик выбранного транзистора. Падение напряжения на сопротивлении эмиттера. Расчет разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.02.2014Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Условия выбора транзистора. Нахождение рабочей точки. Методы расчета усилительных каскадов, корректирующих цепей, цепей термостабилизации. Индуктивная и эмиттерная коррекции. Частотные и временные характеристики каскада. Расчет верхней граничной частоты.
курсовая работа, добавлен 01.12.2013Определение значения сопротивления, предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттера, напряжения питания усилителя, параметров режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлении. Определение коэффициента нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 20.12.2012Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Построение статической характеристики устройств системы управления. Определение на графиках рабочей точки и угла между статическими характеристиками. Расчет динамического коэффициента регулирования. Выбор передаточных функций. Построение годографа.
курсовая работа, добавлен 21.03.2012Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Определение зависимости напряжения базы от логарифма тока коллектора, а также коэффициента усиления от тока коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Назначение и структурная схема цифрового таймера. Осциллограммы напряжений в узлах схемы мулитьвибратора. Схема семисегментного индикатора, полевого транзистора и дешифратора. Расчет одновибратора для тактирования D-триггеров, регистра и счётчика.
реферат, добавлен 23.05.2016