Исследование быстродействия SiGe ГБТ при переходе к суб-100 нм проектной норме
Влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на динамические характеристики. Изменение максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектными нормами 0,18 мкм к проектным нормам 0,09 мкм.
Подобные документы
Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Рассмотрение основных методов масштабирования изображений. На основе методов, созданных ранее, обоснование дальнейшего направления развития метода итерационного масштабирования и очистки цифровых изображений. Методы итерационного преобразования.
реферат, добавлен 02.04.2019Расчет основных характеристики усилительного каскада на биполярном транзисторе. Паспортные данные и электрические параметры биполярного транзистора с общим эмиттером КТ312А. Определение величин элементов цепи питания и стабилизации рабочего режима.
курсовая работа, добавлен 08.03.2013Замеры и расчеты различных характеристик биполярного транзистора КТ 201Б в усилительном каскаде с общим эмиттером. Параметры усилительного каскада, коэффициенты усиления по мощности, по току и по напряжению. Амплитудно-частотные характеристики усилителя.
курсовая работа, добавлен 13.11.2016Особенность описания работы синтезатора частот. Вычисление колебательной системы автогенератора. Калькуляция коэффициента использования источника питания. Главный расчет насыщенного симметричного триггера. Основные критерии при выборе типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 03.01.2016Методы реализации цифрового фильтра верхних частот, основой которого служит однокристальный микропроцессор К1821ВМ85 (ВМ85). Обоснование аппаратной части устройства. Разработка и отладка программы на языке команд микропроцессора. Расчет быстродействия.
курсовая работа, добавлен 28.11.2010Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах полевого транзистора КП301Б. Методика построения фрагмента выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки. Анализ эквивалентной схемы для низких частот.
контрольная работа, добавлен 04.02.2016Рассмотрение параметров и архитектуры технологии LTE. Характеристики беспроводного доступа MIMO. Формирование максимальной площади покрытия сети LTE. Методы обеспечения требуемой емкости для исследуемой технологии мобильной радиопередачи информации.
дипломная работа, добавлен 24.12.2013Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Понятие фильтров; их классификация по типу, форме амплитудно-частотной характеристики и диапазону частот. Рассмотрение схемы низкочастотного фильтра; его применение для устранения влияния близлежащих радиостанций на работу усилителей звуковых частот.
презентация, добавлен 16.12.2013Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Характеристика рабочего сектора биполярного транзистора, образующего усилительный каскад. Изучение общих требований к положению рабочей точки в пределах рабочего сектора. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
лекция, добавлен 04.10.2013Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Междуэлектродные емкости, их общие характеристики и назначение. Особенности и частотные характеристики коммутатора на ИМС МАХ312. Причины возникновения динамических помех, их негативное влияние на ключи и способы устранения. Эксплуатационные параметры.
курсовая работа, добавлен 14.02.2009Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016Оценка развития автоматизированных систем управления при переходе от платформоцентрического управления к сетецентрическому. Переход от линейной экономики к циклической в целях экономии материалов при производстве. Технологии сетецентрического управления.
статья, добавлен 02.04.2019Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Параметры эквивалентной схемы транзистора. Угол отсечки и коэффициенты разложения. Расчет режима максимальной мощности. Пиковое напряжение на коллекторе. Амплитуда базового тока. Статические модуляционные характеристики. Принципиальная схема модуля.
контрольная работа, добавлен 23.02.2015Фактор, влияющий на характеристики усилителя в области высоких частот. Граничная частота передачи тока базы. Семейство выходных характеристик выбранного транзистора. Падение напряжения на сопротивлении эмиттера. Расчет разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.02.2014Устройство многорезонаторного магнетрона, являющегося одним из основных источников мощных колебаний сверхвысоких частот в диапазоне от дециметровых до миллиметровых волн. Виды колебаний и разделение частот в магнетроне, его нагрузочные характеристики.
лекция, добавлен 09.06.2016Выбор схемы главного тракта приема. Методика выбора промежуточных частот. Расчет УПЧ с двухконтурными полосовыми фильтрами. Выбор типа усилительного прибора, типа структурной схемы радиоприемника. Разделение на поддиапазоны с постоянным интервалом частот.
учебное пособие, добавлен 22.06.2014