Физические основы микроэлектроники
Класс точности измерительного прибора - выраженное в процентах отношение предельной абсолютной погрешности к максимальному значению измеряемой величины. Специфические особенности возникновения эффекта Холла в электронном и дырочном полупроводниках.
Подобные документы
Описание схемы омметра и метода непосредственного измерения электрического сопротивления с помощью системы моделирования LabVIEW. Расчет истинных значений измеренных сопротивлений с учетом класса точности. Понятие абсолютной и относительной погрешности.
лабораторная работа, добавлен 16.02.2016Общая теория гальваномагнитных явлений и магнетосопротивление. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках и ферромагнетиках, а также его приложениях в науке и технологии. Свойства и методика создания наносистем пониженной размерности.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Исследование прибора для измерения температуры на основе терморезистивного преобразователя (термометра сопротивления). Методические погрешности контактных методов. Измерительные цепи термометров сопротивления. Погрешности, обусловленные терморезистором.
методичка, добавлен 17.01.2018- 54. Измерение тока
Анализ методов измерения постоянного и переменного тока. Расчет шунта рамки прибора для заданного диапазона измерений. Исследование методики поверки приборов прямого действия для выявления соответствия прибора обозначенному на нем классу точности.
лабораторная работа, добавлен 06.04.2015 Определение предела абсолютной и относительной погрешности измерения тока. Оценка инструментальных погрешностей измерения тока. Процесс обработки результатов прямых измерений. Доверительные границы неисключенной систематической и суммарной погрешности.
контрольная работа, добавлен 18.06.2013- 56. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 Построение кумулятивной кривой случайных погрешностей. Вычисление среднего арифметического и погрешности измерения. Расчет на интервале значения функции Гаусса. Методика вычисления оптических и метрологических характеристик измерительного микроскопа.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Проведение исследования характеристик фотодиода: вольт-амперной характеристики, коэффициента полезного действия. Физические основы внутреннего фотоэффекта. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 15.03.2021Структурная схема канала измерения температуры. Расчет значения суммарной погрешности канала измерения температуры. Средства измерения, входящие в измерительный канал. Определение значения предельной допустимой погрешности и коэффициента корреляции.
контрольная работа, добавлен 03.03.2014Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018Ознакомление с задачами физического лабораторного эксперимента. Определение абсолютной и относительной погрешности измерений. Изучение коэффициентов Стьюдента. Рассмотрение результатов измерения диаметра вала. Анализ погрешности лабораторных приборов.
учебное пособие, добавлен 02.04.2015Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Современная система дозиметрических и радиометрических величин, используемых в радиационной безопасности. Базовые и нормируемые физические величины, явление радиоактивности. Эффекты ионизирующего излучения, операционные величины внешнего облучения.
реферат, добавлен 18.01.2013Определение погрешности переменного напряжения вольтметра и его амплитуды, характеристика точности приборов измерения физических величин. Анализ динамики тока и сопротивления элементов питания, их влияние на шкалу вольтметра, измерение индуктивности.
контрольная работа, добавлен 29.01.2015Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Разработка нового типа датчиков угловой скорости на сверхтекучем гелии-4. Описания принципа работы прибора. Исследование метода линеаризации выходной характеристики. Повышение точности квантовых интерферометров за счет калибровки конструкции прибора.
доклад, добавлен 28.10.2018Принцип действия измерительного трансформатора постоянного тока. Особенности осуществления связи между трансформаторными подстанциями и диспетчерским пунктом. Режим управления преобразователем частоты. Оценка погрешности каналов измерения напряжения.
реферат, добавлен 19.05.2013Понятие погрешности результата средств измерения. Расчет метрологических характеристик средств измерений. Определение пределов допустимой абсолютной, относительной и приведенной погрешностей. Вычисление сопротивления шунта, оценка погрешности вольтметра.
практическая работа, добавлен 08.04.2015Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011Энергия упругой деформации. Анализ аспектов сложения колебаний. Физические величины, характеризующие звуковое поле. Основы теории звукоизоляции. Теплофизические свойства ограждений. Особенности проведения расчета теплоустойчивости ограждающей конструкции.
учебное пособие, добавлен 24.11.2014Изучение основных законов внешнего фотоэффекта на основе измерения световой и вольтамперной характеристик вакуумного фотоэлемента. Основы расчета абсолютной погрешности прямого измерения фототока. Характеристика основ измерения запирающих напряжений.
контрольная работа, добавлен 06.05.2014Системы физических величин. Разновидности погрешностей средств и результатов измерения. Систематические, прогрессирующие и случайные погрешности. Изменение погрешности средств измерений во время эксплуатации. Инструментальные и методические погрешности.
реферат, добавлен 03.12.2013Понятие физической величины и ее измерения. Характеристика определения качества Гегеля. Классификация и характеристики измерений. Специфика и цель измерительного процесса. Понятие соотношения изомоторности. Важнейшие системы единиц физических величин.
лекция, добавлен 29.06.2015