Полупроводниковые диоды
Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
Подобные документы
Эмиттерный повторитель как каскад, в котором транзистор включен по схеме с общим коллектором, его параметры. Принципиальная схема усилителя с RC связью. Параметры усилителя в области средних частот. Частотная характеристика в области низких частот.
реферат, добавлен 06.09.2017- 102. Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014 Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017Функциональная схема устройства. Режимы работы счетчика К500ИЕ137. Распределение технических характеристик по блокам. Анализ метрологических характеристик счетчика, его емкость и быстродействие. Наиболее важные для моделирования параметры диодов КД503А.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Физические процессы, приводящие к образованию сигналограмм. Системы записи: магнитная, механическая, фотографическая и электростатическая. Принципы, на которых основано действие различных систем записи. Запись сигналов на магнитооптический носитель.
реферат, добавлен 03.03.2013- 106. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Анализ структурной системы источника питания. Основной расчет параметрического стабилизатора и трансформатора. Определение емкости конденсатора фильтра. Выбор выпрямительных диодов или диодного моста. Особенность схемы защиты от короткого замыкания.
контрольная работа, добавлен 20.11.2015Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013- 110. Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013 Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010- 112. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018- 114. Туннельный диод
Схематическое изображение туннельного диода, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Функции и работа стабилизаторов напряжения.
реферат, добавлен 17.03.2016 Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Характеристика принципа работы электромагнитного измерительного механизма с плоской катушкой. Увеличение мощности входного электрического сигнала - одна из основных функций биполярного транзистора. Расчет полного сопротивления цепи переменного тока.
контрольная работа, добавлен 05.03.2022Понятие аберраций оптических систем, их классификация. Расчет широких наклонных лучей в меридиональном и сагиттальном сечениях. Основные параметры и соотношения в простых телескопических системах. Принципиальная оптическая схема измерительного микроскопа.
учебное пособие, добавлен 27.08.2017- 120. Электронная техника
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014 Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Виды и свойства сигналов, их параметры, позволяющие оценить степень пригодности для решения тех или иных задач. Частотно-временные характеристики и параметры сигнала. Нахождения спектра периодического сигнала с помощью ряда Фурье, его длительность.
лекция, добавлен 21.08.2015Оценка коэффициента полезного действия компенсационных стабилизаторов и габаритной мощности силового трансформатора. Выбор выпрямительных диодов. Оптимизация конструкции охладителей для транзисторов. Расчет элементов схемы защиты от перегрузок по току.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
контрольная работа, добавлен 09.02.2014Назначение, принцип построения и параметры коммутационного блока АТСКУ. Определение типа и количества МКС, параметры коммутаторов, используемых для построения данного звена. Состав и взаимодействие функциональных узлов управляющего устройства АТСК.
контрольная работа, добавлен 22.08.2011