Проектирование ГИС усилителя

Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.

Подобные документы

  • Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Расчет элементов принципиальной схемы и амплитудно-частотной характеристики усилителя. Выбор навесных и пленочных элементов. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2015

  • Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.

    курсовая работа, добавлен 16.08.2014

  • Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 16.09.2017

  • Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2014

  • Конструирование тонкопленочных резисторов. Расчет тонкопленочных конденсаторов и проводников. Выбор навесных элементов. Определение площади платы и ее размера. Схема размещения плат на подложке. Электрофизические и механические характеристики ситалла.

    контрольная работа, добавлен 28.02.2013

  • Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 06.11.2017

  • Обоснование выбора схемы усилителя с обратной связью. Построение его общей структурной и функциональной схем. Состав каскадов операционного усилителя. Назначение выводов микросхемы. Амплитудная, частотная и фазовая характеристики электронного устройства.

    курсовая работа, добавлен 28.10.2017

  • Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.

    курсовая работа, добавлен 08.06.2016

  • Алгоритм нахождения параметров нагрузки и расчета количества каскадов усилителя. Выбор рабочей точки транзистора. Расчет значения коэффициента усиления. Моделирование усилителя на ЭВМ с помощью пакета схемотехнического моделирования Micro-Cap 3.

    курсовая работа, добавлен 11.12.2013

  • Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.

    контрольная работа, добавлен 19.09.2015

  • Эскизное проектирование усилителя. Методика определения амплитуды выходного напряжения и тока. Основные параметры резисторов и транзисторов. Порядок расчета относительного изменения тока коллектора. Коэффициент нелинейных искажений всего каскада.

    курсовая работа, добавлен 10.06.2015

  • Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.

    реферат, добавлен 01.02.2011

  • Выбор функциональной и принципиальной схем усилителя низкой частоты. Эскизный и электрический расчеты усилителя в соответствии с заданными параметрами. Настройка усилителя на ЭВМ. Анализ влияния разброса параметров элементов и изменения температуры.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2013

  • Описание технологии изготовления микросхемы операционного усилителя. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы усилителя.

    курсовая работа, добавлен 22.03.2018

  • Основные варианты построения усилителя низких частот. Использование специализированной микросхемы-усилителя мощности низких частот. Особенности выбора режима усилителя мощности. Параметры портативного одноканального усилителя мощности низких частот.

    практическая работа, добавлен 10.05.2013

  • Проектирование импульсного усилителя обладающий заданными параметрами. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.

    курсовая работа, добавлен 06.05.2010

  • Разработка проекта интегрирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Проведение графоаналитического расчета выходного каскада. Описание интегратора усилителя и анализ параметров усиления по напряжению и току.

    курсовая работа, добавлен 15.07.2012

  • Структурная схема усилителя мощности. Применение трансформаторов в каскадах усиления мощности. Выходные каскады на комплементарных парах транзисторов. Расчет схемы усилителя низкой частоты. Расчет разделительных конденсаторов С1, С2 и резистора R2.

    курсовая работа, добавлен 24.06.2015

  • Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.

    курсовая работа, добавлен 18.03.2020

  • Принципиальная схема усилителя. Источник сигнала - ток фотодиода. Расширение полосы пропускания в области верхних частот. Расчет элементов схемы по постоянному току. Предварительный расчет резисторов фотодиода. Анализ по постоянному току каскада.

    курсовая работа, добавлен 14.03.2020

  • Разработка дифференцирующего усилителя на основе операционного усилителя с выходным каскадом на транзисторах. Построение принципиальной электрической схемы дифференцирующего усилителя. Описание вольтамперных характеристик некоторых элементов схемы.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2011

  • Описание принципиальной схемы широкополосного RC-усилителя. Расчет элементов схемы, коэффициента усиления по току и сопротивления передачи. Построение амплитудно-частотной характеристики. Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера.

    курсовая работа, добавлен 15.05.2015

  • Типовая схема двухкаскадного усилителя частоты, с усилением мощности на выходе второго каскада. Выходное сопротивление инвертирующего усилителя, методика его расчета и построения анализ устойчивости. Специальные требования к входной и выходной цепям.

    контрольная работа, добавлен 19.06.2012

  • Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 11.05.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.