Инжекционный лазер
Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
Подобные документы
Сведения о технологических лазерах и параметрах лазерного излучения. Критерии выбора технологических лазеров для реализации теплового воздействия лазерного излучения. Физическая модель лазерной обработки – феноменологический подход, уравнения теплофизики.
лекция, добавлен 02.05.2014Разработка технологии изготовления гибридных гетероструктур с прослойкой магнитоактивного материала из манганитов на основе эпитаксиальных сверхпроводящих металлоксидных пленок. Исследование многоэлементных джозефсононовских структур на постоянном токе.
автореферат, добавлен 29.10.2018История появления термометра. Принцип работы воздушного и жидкосного термоскопов. Градуирование, выбор термометрического тела и термодинамическое равновесие при изготовлении устройств для измерения температур. Шкала Цельсия, Кельвина, Фаренгейта.
реферат, добавлен 02.10.2016Методы и принципы измерений, используемые в физических лабораториях при изучении физико-химических систем. Учет погрешностей, измерения электрических сигналов и давлений. Измерение температуры и световых потоков, источников и приемников излучения.
учебное пособие, добавлен 19.02.2013Классификация методов и приборов для измерения температуры. Контактный, бесконтактный и люминесцентный методы измерения. Прямое и косвенное измерение физических параметров, зависящих от температуры. Температурные шкалы Цельсия, Кельвина, Фаренгейта.
контрольная работа, добавлен 04.04.2018Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013- 107. Измерение уровня
Функционирование буйковых и гидростатических средств измерения уровня. Электрические уровнемеры. Измерение уровня сыпучих тел. Схема установки указательных стекол на технологических аппаратах. Особенности работы поплавковых средств измерения уровня.
реферат, добавлен 16.01.2016 Измеряемые параметры напряжений. Классификация вольтметров в зависимости от структурной схемы, рабочего диапазона частот. Принцип работы измерительного механизма электромеханического прибора. Достоинства магнитоэлектрических приборов с преобразователями.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Анализ методов и схем измерения отклонения значения электрической емкости датчика от номинального значения, обеспечивающих эффективное использовании диапазона преобразования измерительных устройств. Методы и схемы преобразования отклонения емкости.
статья, добавлен 27.02.2019Измерение характеристик коротких газовых импульсов, получаемых из сверхзвукового сопла в вакууме, при помощи манометра, собранного на основе датчика давления ПМИ-10-2, подвергшегося небольшой доработке и стандартно подключенного к вакуумметру ВИТ-3.
статья, добавлен 23.10.2010Изучение методов измерения активных сопротивлений и анализ погрешностей полученных результатов. Использование косвенного метода для измерения больших сопротивлений. Особенности реализации метода сравнения с мерой. Методы измерения погрешностей.
лабораторная работа, добавлен 29.03.2017Понятие и особенности лазерного излучения, виды этих технологических процессов. Газовые и полупроводниковые лазеры, принцип работы магнитно-оптического накопителя. Применение лазеров в военной технике, голографические индикаторы на лобовом стекле.
реферат, добавлен 04.02.2013Осовные типы гетеропереходов. Исследование квантовых ям и точек. Последовательный рост двух гетеропереходов. Использование структур, содержащих квантовую яму InGaNAs. Структуры с квантовыми проволоками и точками. Применение в длинноволновых лазерах.
статья, добавлен 01.03.2019Сущность лазера как оптического квантового генератора, его значение и варианты получения. Особенности технологических процессов, их виды и применение в промышленности. Краткий исторический обзор создания. Принцип работы магнитно-оптического накопителя.
реферат, добавлен 22.09.2009Влияние оптических эффектов на функционирование волоконно-оптических систем. Методы усиления сигналов, созданных отдельным источником в электрические сигналы. Применение полупроводников и стекловолокон. Способы измерения усиления в ионных лазерах.
презентация, добавлен 28.12.2015Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Понятие и принцип работы аналогового электронного вольтметра с дискретным отсчетом. Методы измерения переменного и постоянного напряжения и силы тока. Основными элементами структурной схемы вольтметра и его классификация и определение класса точности.
реферат, добавлен 20.02.2014Анализ Нобелевской премии. Рассмотрение сведений о советских и российских нобелевских лауреатах. Обсуждение физики твердого тела, атомного ядра, лазеров и их применения. Обзор списка основных проблем физики по классификации академика В. Гинзбурга.
учебное пособие, добавлен 24.07.2017Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Основные сведения о метрологии, измерениях и средствах измерений. Метрологическое обеспечение при производстве и эксплуатации технических устройств. Измерение параметров электрических сигналов электронными приборами, значения магнитной восприимчивости.
презентация, добавлен 26.11.2020Схема построения измерительного комплекса и методика для измерения вольтамперных характеристик, фотопроводимости, односвязных наноразмерных объектов. Форма напряжения на туннельном промежутке для снятия и измерения фотопроводимости наноразмерных объектов.
статья, добавлен 25.06.2018Фотометрический метод определения компонентов химического состава объектов окружающей среды по интенсивности инфракрасного, видимого и ультрафиолетового излучения. Использование фотометрии в видимой области спектра, построение градуировочного графика.
презентация, добавлен 14.09.2015Основные принципы измерений с помощью интерференционных приборов. Применение метода фазосдвигающей интерферометрии для исследования оптического контакта. Современные стандартизованные методики регистрации свилей и контроль бессвильности деталей.
дипломная работа, добавлен 31.05.2016