Механізм генерації центрів забарвлення в кристалах BACL2-PB за температури T<145 К
Дослідження механізму генерації центрів забарвлення в кристалах BaCl2-Pb за умови існування в кристалах автолокалізованих дірок (VK-центрів) у моделі лінійного кристала. Кінетика утворення та граничні концентрації в кристалі. Сумарне забарвлення кристала.
Подобные документы
Поглинання світла в кристалах, люмінесценція твердих тіл, фотолюмінесценція, люмінофори, вимушене випромінювання, лазер і схема рубінового лазера. Основні електронні переходи при поглинанні світла в кристалах, спектри люмінесценції деяких люмінофорів.
курсовая работа, добавлен 03.11.2014Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вивчення концентраційної поведінки урбахівського краю поглинання та його основних параметрів. Розгляд спектральних залежностей коефіцієнта поглинання в кристалах твердих розчинів. Аналіз катіонного заміщення Ge-Si. Збільшення ширини оптичної псевдощілини.
статья, добавлен 27.12.2016Встановлення особливостей дисперсії елементарних збуджень різного типу (фононних та електронних) у тетрагональних гіротропних енантіоморфних кристалах у таких як a-ZnP2, CdP2 та TeO2. Засоби спектроскопії оптичної із залученням методів теорії груп.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження факторів, які впливають на зарядовий стан домішки Gd у кристалах телуридів свинцю і олова і можуть змінювати його, а також можливі механізми і результати взаємодії легуючої домішки і системи власних дефектів легованих кристалічних матриць.
автореферат, добавлен 15.07.2014Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Отримання теоретичного опису структури пропускаючих динамічних граток, які формуються при чотирипучковій взаємодії в фоторефрактивному середовищі з нелокальним відгуком. Визначення способів керування ефективністю ЗЧПВ в фоторефрактивних кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2013Виявлення специфічних механізмів перенесення тепла у молекулярних кристалах та їхніх розчинах при температурах порядку і вище дебаєвських в орієнтаційно-впорядкованих та орієнтаційно-невпорядкованих фазах молекулярних кристалів з фазовими переходами.
автореферат, добавлен 25.09.2015Дослідження фотоіндукованих фізико-хімічних процесів формування регулярних структур із наноцентрів під дією стаціонарних просторово-періодичних світлових полів у адитивно забарвлених кристалах KCl як сукупності конкуруючих дифузійно-дрейфових процесів.
автореферат, добавлен 11.08.2014Встановлення кореляційних властивостей фононних станів в кристалах дифосфідів цинку та кадмію та побудова для них дисперсійних кривих. Дослідження особливостей динаміки кристалічних ґраток монокристалів різних модифікацій дифосфідів цинку і кадмію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Суть методу термічного висвічування. Розробка установки для дослідження термолюмінесценції, що дозволяє визначати кінетичні параметри центрів локалізації носіїв заряду, центрів рекомбінації, їх енергетичні характеристики. Опис експериментальної установки.
статья, добавлен 29.09.2016Експерименти по вивченню впливу фізичних параметрів (концентрації легуючої домішки, напрямку одноосьового тиску відносно кристалографічних осів кристалу та ін.) на умови виникнення генерації і стрибка струму при збіжних напрямках електричного поля і тиску
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Розроблення рентгенодифракційних методів дослідження параметрів субструктури біоапатиту кісткової тканини. З’ясування характеру змін параметрів субструктури у ході модельної демінералізації. Визначення концентрації кальцію та фосфору в кристалах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Визначення закономірностей динаміки модульованої надструктури в умовах сильного піннінгу. Дослідження температурної динаміки солітонної ґратки за умови існування просторових хвиль деформацій основної структури. Аналіз її в межах феноменологічної теорії.
автореферат, добавлен 26.08.2015Дослідження механізмів фізичних процесів, насамперед, структурних перетворень, що відбуваються у сегнетоелектричних кристалах з неспівмірними фазами під дією електромагнітного випромінення оптичного діапазону та періодичної або швидкої зміни температури.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження доменної структури зразків монокристалічного TlInS2, отриманих з розплаву методом Бріджмена, в області існування фаз високого тиску. Побудова діаграми стану. Визначення особливостей поведінки сегнетоеластичних доменів при зміні тиску.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Дослідження низькотемпературних властивостей кристала, який містить надпровідні включення різних матеріалів. Розрахунок намагніченості та провідності кристала з двома типами надпровідних включень. Аналіз залежності провідності системи від магнітного поля.
статья, добавлен 12.09.2013Встановлення умов існування автолокалізованих електронних станів в молекулярних ланцюжках. Побудова параметричних діаграм основних електронних станів. Знаходження параметрів солітонів в дискретних ланцюжках, властивостей зумовленого дискретністю рельєфу.
автореферат, добавлен 10.01.2014Температурні залежності інтенсивності та яскравості випромінювання спектрів фотолюмінесценції кристалів ZnS:Mn при різних значеннях концентрації активатора. Аналіз функції помилок при розкладенні інтегральних спектрів за допомогою функції Гауса.
автореферат, добавлен 15.07.2014Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016