Електрофізичні та оптичні властивості градієнтних структур на основі склоподібного As2S3
Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
Подобные документы
Об'ємні композити системи Bi(Sb)2S3-As2S3 та аморфні багатошарові наноструктури на основі халькогенідних напівпровідників As2S3 з Bi i Sb. Зміна оптичних та електрофізичних властивостей нанокомпозитів за рахунок фото- і термоіндукованих процесів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015- 3. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Фазовий склад, структурний стан поверхні, особливості дифузійних процесів та електрофізичні властивості дво- та тришарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Со), їх аналіз. Моделювання термо- та тензорезистивних властивостей тришарових плівкових систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Композиційні особливості оптичних радіаційно-індукованих ефектів в стеклах досліджуваної потрійної системи As-Ge-S стехіометричного As2S3-GeS2 та нестехіометричного As2S3-Ge2S3 розрізів. Впливу підвищених температур на оптико-спектроскопічні особливості.
автореферат, добавлен 27.07.2014Умови осадження полікристалічних плівок ZnO методом хімічного осадження з парової фази металоорганічних вихідних реагентів, при підсиленні плазмовим розрядом. Вплив галію на структуру, морфологію, електричний опір та спектр оптичного пропускання плівок.
автореферат, добавлен 26.08.2015Розробка функціональних матеріалів на базі ціанофератів перехідних металів, характеристика їх структури, оптичні та електрохімічні властивості, сфери їх застосування. Поняття кінетики і довговічності електрохромних індикаторів, рентгенофазова дифракція.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження еволюції смуг розсіяного світла та дифракції при утворенні періодичних структур у плівках As2S3–Ag під дією сфокусованого лазерного пучка. Вплив дії на плівку розсіяного в підкладку світла поза зоною опромінення плівки лазерним пучком.
автореферат, добавлен 05.08.2014Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Ознайомлення з методами побудови тришарової моделі для тонких металічних плівок з врахуванням верхнього перехідного шару між плівкою і повітрям. Дослідження та аналіз тришарових тонкоплівкових структур із використанням методів спектроеліпсометрії.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Вплив розмірних і температурних ефектів, складу, структурно-фазового стану, умов термообробки на електрофізичні та гальваномагнітні властивості одношарових плівок. Розробка методики одержання плівкових сплавів у широкому діапазоні концентрацій компонент.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження спектрів пропускання аморфних плівок (As2S3)100-x(SbSI)x у залежності від умов експонування. Визначення значення ширини псевдозабороненої зони та показника заломлення плівок. Виявлення основних причин змін оптичних характеристик плівок.
статья, добавлен 30.01.2016Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Метод розрахунку параметрів електронної структури сплавів на основі перехідних елементів з врахуванням впливу топологічного розупорядкування атомів. Моделювання густини електронних станів АМС на основі Ni, порівняння результату з даними досліджень.
автореферат, добавлен 20.04.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Елементний склад і розподіл елементів по глибині для плівок SiOX у залежності від методу їх формування та механізми впливу технологічних параметрів отримання на їх властивості. Вплив домішки азоту на формування структур із кремнієвими нанокластерами.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз розмірних ефектів у електрофізичних властивостях плівкових систем на основі дисперсних і нанокристалічних шарів. Вплив температури та деформації на питомий опір, коефіцієнт поздовжньої тензочутливості, сутність електроперенесення двошарових плівок.
автореферат, добавлен 24.07.2014