Концентрация носителей заряда в невырожденном полупроводнике
Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
Подобные документы
- 51. Эффект Холла
Изучение сил, воздействующих на движение электрического заряда в магнитном поле. Принцип работы синхрофазотрона. Исследование Э. Холлом поперечного электрического напряжения. Роль эффекта Холла при исследовании физических свойств проводящих материалов.
реферат, добавлен 30.01.2017 Обзор понятия и видов тока, под которым в теории электрических цепей принято считать направленное движение носителей заряда в проводящей среде под действием электрического поля. Ток проводимости. Электрический ток смещения. Проводники электрического тока.
статья, добавлен 20.02.2019Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.
статья, добавлен 27.11.2018Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Понятие удельного заряда частицы. Определение силы Лоренца с помощью правил левой руки. Особенности движения частицы по спирали. Теория метода определения заряда электрона. Описание экспериментальной установки для определения удельного заряда электрона.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2015Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Циклотронный резонанс - резонансное поглощение электромагнитной энергии электронными проводниками, помещёнными в постоянном магнитном поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. Носители заряда в постоянном магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009- 62. Эффект Холла
Разработка структурной схемы счетчика оборотов на эффекте Холла, проведение технологических экспериментов и анализ полученных результатов. Особенности эффекта Холла в ферромагнетиках, полупроводниках, а также при примесной и собственной проводимости.
курсовая работа, добавлен 31.01.2015 Схема опыта Толмена и Стюарта. Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Определение модуля заряда электрона. Порядок величины числа атомов в единице объема. Электронная теория проводимости металлов. Удельный заряд частиц.
статья, добавлен 02.04.2014Методы определения и вычисления состояния заряда аккумуляторов различного типа, основные их преимущества и недостатки. С годами развитие технологий позволило сделать этот процесс более автономным, при этом не требуется большое количество оборудования.
статья, добавлен 05.02.2021Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Расчет температурной зависимости проводимости Gep-типа при заданных условиях. Время релаксации при рассеянии на ионах примеси. Взаимодействие электрона с колебаниями решетки. Температурная зависимость подвижности электронов с учетом рассеяния на фононах.
курсовая работа, добавлен 30.05.2016Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015- 69. Эффект Холла
Причины появления электрического поля в проводнике с током, помещённом в магнитное поле. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории, его проявления в ферромагнетиках, полупроводниках и на инерционных электронах. Назначение датчика ЭДС Холла.
реферат, добавлен 05.06.2010 Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.20163D моделирование процессов гашения вакуумной дуги магнитным полем в высоковольтном прерывателе тока с цилиндрическими электродами. Доля электронов, траектории которых замыкались на коллекторах. Определение влияния поля объёмного заряда электронов.
статья, добавлен 02.03.2021Понятие и особенности статической и динамической поляризации молекул, сущность индуктивного, кулоновского, мезомерного и пространственного эффекта. Определение электроотрицательности атомов и заряда ядра, принципы замещения орбиталей и пар электронов.
презентация, добавлен 29.07.2015Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Описание двумерных численных моделей, основанных на решении уравнений переноса носителей с помощью аппарата конечных разностей. Анализ математических моделей состояния металлических контактов области полупроводника и диэлектрика по уравнению Пуассона.
контрольная работа, добавлен 23.10.2014