Моделирование влияния температуры на устойчивость логических схем к воздействию тяжелых заряженных частиц
Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
Подобные документы
- 101. Полевые транзисторы
Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013 Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.
автореферат, добавлен 02.08.2018Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Особенности процесса построения интеллектуальных систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Формирование символьного представления решения задачи канальной трассировки. Механизмы трассировки на основе роевого интеллекта.
статья, добавлен 19.01.2018- 107. Полевые транзисторы
Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013 Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Временная и дозовая кинетика туннельной релаксации неравновесных приграничных заряженных дефектов в изоляторах. Описание логарифмической туннельной релаксации как интеграла свертки по профилю мощности дозы с точной импульсной функцией линейного отклика.
статья, добавлен 23.11.2022Понятие, внутреннее устройство дешифратора, расширение его разрядности, применение и функциональные особенности. Моделирование схем дешифратора и шифратора, элементы их программной среды. Измерительные приборы, источники питания, устройства визуализации.
курсовая работа, добавлен 01.01.2018- 111. Измерительные преобразователи параметров электростатических полей и заряженных дисперсных материалов
Принципы построения инвариантных средств измерения параметров электростатических полей и зарядов, которые обладают повышенными метрологическими свойствами. Методы повышения помехозащищенности существующих конструкций измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 14.02.2018 Описание моделирования "быстрого" диагностирования логического элемента DC LUT тестами "все единицы" и "все нули" в системе схемотехнического моделирования NI Multisim 10 путём одновременной проверки всех ветвей обратного дерева передающих транзисторов.
статья, добавлен 29.06.2017Обзор методов (контактный, бесконтактный, люминесцентный) и приборов измерения температуры. Расчёт погрешности измерительного прибора. Моделирование печатной платы и схемы термоанемометра. Создание корпуса и компоновка основных узлов на лицевой панели.
курсовая работа, добавлен 26.06.2015Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Принципы работы операционного усилителя в различных схемах включения. Анализ влияния гамма-излучения на основные характеристики. Схемотехническое моделирование характеристик с учётом влияния гамма-излучения. Определение радиационно-зависимых параметров.
дипломная работа, добавлен 23.12.2015Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018- 119. Схемотехника усилителей электрических сигналов с использованием биполярных и полевых транзисторов
Принцип работы усилителя электрических сигналов, основные его характеристики. Особенности изменения их значений с увеличением напряжения питания. Исследование специфики схемотехники этого устройства с использованием биполярных и полевых транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 13.08.2013 Характеристика способа увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Формирование гетероструктуры специальной конфигурации. Особенность оптимизированного отжига примеси и радиационных дефектов.
статья, добавлен 07.11.2018Влияние параметров межсоединений на динамические характеристики печатных плат, интегральных схем. Требования к оборудованию рабочих мест, освещенности. Уменьшение паразитной индуктивности проводников на печатной плате. Погонная емкость между проводниками.
дипломная работа, добавлен 30.07.2016Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Проектирование и экспериментальная проверка работы синхронных счетчиков с заданной последовательностью смены состояний. Анализ работы счетчиков на регистрах сдвига. Моделирование лабораторного стола с наборным полем для макетирования цифровых схем.
лабораторная работа, добавлен 15.08.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011