Экспериментальное исследование и разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния ионизирующей радиации космического пространства
Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
Подобные документы
Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Современный технологический процесс изготовления печатной платы для автомата световых эффектов, разработка маршрутных и операционных карт, подбор ИМС, транзисторов и диодов. Технологические требования к паяным соединениям, выбор типа припоя и флюса.
курсовая работа, добавлен 31.07.2013Влияние помех, создаваемых естественными радиошумами, на прохождение сигнала. Условия обеспечения радиосвязи в условиях ограниченного пространства. Определение зависимости значения множителя ослабления радиосигнала от длины волны излучающей антенны.
статья, добавлен 25.11.2016Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Расчёт интегрирующего операционного усилителя с выходным усилительным каскадом на транзисторах. Определение мощности, которая выделяется на нагрузке, тока и величины напряжения питания. Выбор транзисторов. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011История изобретения радиотелефона, его процесс распространения в мире. Выбор блок-схемы приемника и расчет его основных параметров. Основные правила определения промежуточной частоты. Выбор транзисторов и их режима, синтезатора частот и типа детектора.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013- 108. Моделирование распространения электромагнитных волн в помещении c учетом влияния местных предметов
Рассмотрение вопросов построения математической модели распространения электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона в помещении прямоугольной формы с учетом влияния местных предметов. Сравнение результатов математического моделирования.
статья, добавлен 30.10.2018 Разработка и расчет структурной схемы передатчика с усилителем мощности. Расчет параметром транзисторов, выбор вспомогательных элементов выходного усилителя мощности (ВУМ). Пересчет основных энергетических показателей ВУМ, расчет цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 14.05.2015Особенности разработки передаточной функции и схемы структурной и электрической принципиальной с учетом базовой схемы полосового фильтра. Разработка и построение амплитудно-частотной характеристики фильтра с учетом и без учета разброса параметров.
курсовая работа, добавлен 27.02.2012Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013- 112. Полевые транзисторы
Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013 Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019- 114. Электронная техника
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014 Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Разработка статистических моделей источников трафика IP-телефонии как в монологе, так и в диалоге, с последующей их реализацией в виде компонентов широко распространенной системы имитационного моделирования J-Sim с учетом уровня кодируемого сигнала.
автореферат, добавлен 25.09.2012История развития информатики. История развития идеи создания вычислительной, электронновычислительно и компьютерной техники. Изобретение транзисторов и интегральных микросхем. Первые попытки создания компьютера. Apple и IBM компьютеры. Создание Интернет.
реферат, добавлен 12.11.2008Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015- 120. Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014 Выбор выходных транзисторов. Расчет системы охлаждения, определение связи температуры, мощности потерь и тепловых сопротивлений. Выбор драйвера, расчет обвязочных элементов драйвера. Выбор микроконтроллера, расчет себестоимости изделия и его особенности.
курсовая работа, добавлен 13.01.2017Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Разработка системы оценивания эффективности моделей событий. Выбор структуры системы, показатели оценки эффективности работы и измерения временной сложности модели. Экспериментальное тестирование системы и характеристика используемых наборов видеоданных.
статья, добавлен 23.02.2016Расчет токов покоя транзисторов при замкнутых выводах. Построение логической схемы устройства в базисе И,ИЛИ,НЕ. Определение средней задержки распространения сигнала от входов к выходу и средней потребляемой мощности в принципиальной электрической схеме.
контрольная работа, добавлен 20.06.2016