Энергетическая структура и применение полупроводниковых сверхрешеток
Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
Подобные документы
Исследование необходимости использования метода лазерной интерференционной термометрии для дистанционного контроля температуры полупроводниковых и диэлектрических подложек в микроэлектронике. Распределение высокочастотной и сверхвысокочастотной энергии.
статья, добавлен 30.05.2017Розгляд особливостей спектральних ефектів при взаємодії випромінювання неперервного лазера на барвнику з атомами і молекулами. Загальна характеристика методу флуоресцентної лазерної спектроскопії з використанням лазера на барвнику з вузьким спектром.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 53. Оптико-электронное устройство формирования плоского многоцветного светового растра больших размеров
Описание оптико-электронного устройства, включающего в себя два полупроводниковых лазера, коллимирующих и отражающих оптику. Проведение исследования сканеров, осуществляющих сканирование лазерного луча и позволяющих получить плоский световой растр.
статья, добавлен 27.02.2018 Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Вода принадлежит к единственному веществу на нашей планете, которое в обычных условиях температуры и давления может находиться в трех фазах. Рассмотрение аномалий плотности, теплоёмкости и сжимаемости. Переохлаждённая вода и её физические свойства.
реферат, добавлен 15.12.2010Применение метода конечных объемов для расчета электрического поля пространственно-однородной трехмерной среде. Построение расчетной сетки на основе разбиения пространства, известного как триангуляция Делоне с применением в расчетной схеме ячеек Вороного.
статья, добавлен 02.02.2019Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.
реферат, добавлен 16.03.2011Основной закон динамики вращательного движения. Характеристики колебательного процесса и электрического поля. Уравнение состояния идеального газа. Суть принципа Гюйгенса-Френеля. Понятие и принцип действия лазера. Длина звуковой волны и ее скорость.
контрольная работа, добавлен 21.12.2010Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.
автореферат, добавлен 13.04.2018Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.
статья, добавлен 16.11.2018Методы и приборы измерения температуры, электрического сопротивления, массы, плотности и давления. Характеристики, свойства и применение дилатометра, дифференциально сканирующего калориметра, весов с приставкой, универсальной разрывной машины, автоклава.
отчет по практике, добавлен 22.11.2015Понятие лазеров или оптических квантовых генераторов, их виды: газовые, твердотельные, полупроводники, жидкостные, эксимерные и на парах металла. Свойства вынужденного излучения. Устройство лазера: источник энергии, рабочее тело, оптический резонатор.
презентация, добавлен 23.02.2017Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Принцип работы лазера. Некоторые уникальные свойства лазерного излучения. Применение лазеров в различных технологических процессах, их влияние на области науки, техники. Применение лазеров в строительстве в качестве измерительных и геодезических приборов.
реферат, добавлен 18.05.2010Принцип действия полупроводниковых сенсоров газов. Физико-химические превращения, происходящие в процессе электроискровой обработки адсорбента. Исследование особенностей модификации состава и структуры поверхности кремния электроискровой обработкой.
статья, добавлен 30.05.2017Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017