Контактные явления в полупроводниках
Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
Подобные документы
Структурно-параметрический синтез двух- и трехконтурных электрических цепей с емкостным накопителем энергии в тиристорных формирователях разрядных импульсов. Рассмотрение сопротивления в полупроводниках. Процесс формирования мощных разрядных импульсов.
статья, добавлен 29.01.2016- 52. Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT
Наноструктурированный AlN – полупроводник с широкой энергетической щелью. Объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике. Экспериментальное значение Фурье-трансформанты. Анализ зарядовых состояний атомов по Бейдеру.
статья, добавлен 30.05.2017 Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Влияние электрического поля на величину, вид магнитополевой зависимости магниторезистивного эффекта в арсениде галлия и германия Закономерности проявления размерного эффекта в низкотемпературном магнитотранспорте диамагнитных полупроводниковых пленок.
автореферат, добавлен 19.08.2018Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017- 59. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Исследование электронных свойств и роли локализованных состояний, определяющих особенности щели подвижности в халькогенидных полупроводниках. Введение железа в стекла и последующий рост электропроводности и уменьшение энергии активации электропроводности.
статья, добавлен 12.05.2018 Свойства полупроводников, характеристика аномального и квантового эффектов Холла. Гальваномагнитные явления в монокристаллах и их применение. Сущность магнетосопротивления и история открытия эффекта Томсона. Понятие термогальваномагнитных эффектов.
курсовая работа, добавлен 13.04.2012Особенности воздействия рентгеновского излучения с большой степенью поглощения на конструкцию микроэлектронного устройства. Анализ моделей расчета тепловых и термомеханических эффектов. Моделирование термомеханических напряжений в полупроводниках.
отчет по практике, добавлен 09.04.2019Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Распределение поля для простейших типов колебаний. Выходная мощность лазерного генератора. Межзонные оптические переходы в полупроводниках. Добротность, определяемая выводом излучения через зеркала. Распространение испускания в анизотропных средах.
шпаргалка, добавлен 19.10.2014Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Преимущества способа импульсного металл детектирования Особенности способа импульсного детектирования металлических объектов на основе резонанса в L-C контуре и его формирование. Анализ функциональной схемы устройства и первых результатов испытаний.
дипломная работа, добавлен 27.02.2019Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Описание истории открытия фотоэффекта В. Гальваксом и Ф. Ленардом. Его определение и виды. Объяснение законов фотоэффекта с позиции электромагнитной теории света и квантовой теории Эйнштейна. Применение фотоэффекта в полупроводниках, медицине и технике.
реферат, добавлен 12.11.2014Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018- 73. Трение в вакууме
Сущность явления обратимого снижения на несколько порядков коэффициента трения скольжения в вакууме в парах трения металл. Рассмотрение способа уменьшения трения в вакууме путем нанесения металлического смазочного покрытия на одну из поверхностей.
реферат, добавлен 25.01.2014 Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Численное диффузионно-дрейфовое моделирование процессов переноса и накопления носителей заряда в гетероструктуре TiO2 / перовскит / полупроводник p-типа. Анализ фотоэлектрических характеристик солнечных элементов. Обоснование оптимальной толщины пленки.
статья, добавлен 30.07.2017