Технологический процесс полупроводникового производства

Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.

Подобные документы

  • Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.

    реферат, добавлен 22.03.2013

  • Описание блока и характеристика его как объекта производства, технологическая подготовка производства. Технологический анализ конструкции блока и оценка технологичности, разработка средств автоматизации при производстве, процесс изготовления детали.

    курсовая работа, добавлен 10.06.2009

  • Снижение затрат на подготовку и освоение производства небольших серий микросхем как одна из важнейших задач микроэлектроники. Понятие и закономерности воплощения "разумного" производства. Модификации производственного маршрута и роль разработчика.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.

    статья, добавлен 29.07.2016

  • Изучение общей архитектуры 32-разрядных и 64-разрядных RISC-процессоров. Описание блок-схемы микроконтроллера Cortex-M3 и Cortex-M4 процессора. Порядок синхронизации работы микроконтроллеров STM32 устройства управления и силового канала электропривода.

    статья, добавлен 19.12.2019

  • Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2011

  • Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.

    курсовая работа, добавлен 21.02.2018

  • Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.

    курс лекций, добавлен 23.03.2015

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2014

  • Технология получения ситалла. Изменение свойств стекла в процессе кристаллизации. Процесс получения подложек. Резка слитков на пластины, шлифовка и полировка. Метод скрайбирования для получения плат, его достоинства и недостатки. Ломка пластин на платы.

    реферат, добавлен 27.11.2013

  • Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2015

  • Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.

    шпаргалка, добавлен 01.10.2017

  • Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.

    методичка, добавлен 18.05.2010

  • Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.

    учебное пособие, добавлен 27.06.2014

  • Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.

    контрольная работа, добавлен 19.04.2014

  • Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 16.04.2015

  • Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2013

  • Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.

    контрольная работа, добавлен 26.05.2012

  • Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.

    лабораторная работа, добавлен 22.10.2012

  • Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.

    магистерская работа, добавлен 01.12.2019

  • Современный процесс по организации производства радиоэлектронной аппаратуры, формы специализации цехов. Основные понятия технологии производства аппаратуры и ее технологические особенности. Основные задачи планирования технологической подготовки.

    статья, добавлен 15.11.2018

  • Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).

    лекция, добавлен 30.08.2012

  • Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.

    курс лекций, добавлен 03.03.2018

  • Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.

    дипломная работа, добавлен 15.07.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.