Расчет транзистора
Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
Подобные документы
Основной расчет параметров электропневматического контактора. Схема, устройство и принцип действия переключателя пакетно-кулачкового. Индуктивное сопротивление катушки датчика. Цепи включения выключателя и электродвигателя топливоподкачивающего насоса.
контрольная работа, добавлен 16.12.2015Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Описание работы механизма устройства блокировки оперативных переключений с электромагнитным приводом. Исследование термодинамических показателей работы данного устройства в длительном режиме включения электромагнитного привода механизма блокировки.
статья, добавлен 29.09.2016Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Сопротивление нагрузки, необходимое для получения высокого коэффициента полезного действия транзистора. Напряжение источника питания для рассматриваемого усилителя. Усилитель мощности с трансформаторным включением нагрузки, выбор его режима работы.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2013Выбор параметров генератора и расчет предела его мощности. Составление схемы замещения для расчетов устойчивости параллельной работы электрических станций и определение параметров эквивалентной схемы замещения. Построение векторной диаграммы напряжений.
методичка, добавлен 02.08.2013Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
доклад, добавлен 15.01.2009Выбор системы электропривода: рациональной схемы, типа и параметров передаточного устройства. Расчет параметров всех его узлов: статических механических и переходных характеристик. Проверка двигателя по нагреву. Выбор и расчет средств его защиты.
курсовая работа, добавлен 27.07.2009Методика и основные этапы составления системы уравнений, необходимых для определения токов по первому закону Кирхгофа. Определение всех токов с помощью методом контурных токов. Порядок составления и структура баланса мощностей для заданной схемы.
задача, добавлен 22.12.2013Составление функциональной схемы электропривода, выбор обратных связей. Расчет параметров контура тока и скорости, синтез системы с определением вида и параметров корректирующих цепей. Уточнение принципиальной схемы электропривода и описание её работы.
дипломная работа, добавлен 16.09.2016Представление усилительных каскадов в виде активных линейных четырехполюсников. Низкочастотные дифференциальные характеристики транзистора-четырехполюсника, методы построения его эквивалентных схем с действительными параметрами составляющих элементов.
курсовая работа, добавлен 06.04.2015Расчет и построение тахограммы, нагрузочной и рабочей диаграмм. Определение параметров статорной и роторной цепи. Выбор преобразователя частоты, разработка его принципиальной схемы. Расчет и структура одномассовой системы исследуемого механизма.
контрольная работа, добавлен 15.06.2017Разработка схемы и параметров электростанций. Составление комплексной схемы замещения и расчет режимов электрической системы. Расчет предельного времени отключения короткого замыкания. Расчет критического напряжения и запаса устойчивости узла нагрузки.
курсовая работа, добавлен 10.12.2016Академик Ж.И. Алферов о процессах, происходящих в российском естествознании на пороге третьего тысячелетия. Рождение квантовой физики. Открытие Джоном Бардином, Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном первого транзистора. Сущность явления сверхпроводимости.
реферат, добавлен 02.04.2012Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Разработка схемы и определение параметров электростанций. Составление комплексной схемы замещения и расчет установившихся режимов электрической системы. Построение угловой характеристики мощности для ремонтно-аварийной системы с АРВ на генераторах.
курсовая работа, добавлен 07.02.2016Комплектные трансформаторные подстанции и распределительные устройства высокого и низкого напряжения. Расчет токов короткого замыкания, параметров релейной защиты кабельной линии. Выбор и описание работы схемы АВР секционного выключателя на подстанции.
курсовая работа, добавлен 26.04.2010Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Методы, помогающие в изучении физики в средней школе. Электромеханические аналогии (электромагнитные и механические колебания, волновые процессы, изучение транзистора, электрические цепи, постулаты Бора). Изучение аналогий на факультативах и кружках.
учебное пособие, добавлен 19.03.2010Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Контроль параметров электроэнергетической системы, сохранение ее живучести. Процесс включения трехфазной нагрузки путем замыкания ключа, включения двухфазного короткого замыкания на шины предварительно-нагруженного генератора. Величина скачка параметров.
реферат, добавлен 27.09.2012Классификация датчиков, их принципиальные схемы и алгоритмы работы. Описание схемы включения, которая будет использована при сборке макета беспроводной распределенной системы мониторинга. Структура оптического канала передачи измерительной информации.
статья, добавлен 01.02.2019Принципы построения усилительных устройств. Построение усилительного каскада на электронной лампе и полевых транзисторах. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
реферат, добавлен 07.01.2015